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5月23日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式公布了《外匯法》法令修正案，將先進(jìn)芯片制造所需的23個(gè)品類(lèi)的半導(dǎo)體設(shè)備列入出口管理的管制對(duì)象，上述修正案自今年3月31日正式披露，并接受了為期一個(gè)多月的征求意見(jiàn)之后終于在5月23日定稿，并將正式于7月23日實(shí)施。
此次正式公布的出口管制政策與之前公布的版本基本一致。被新增列入出口管制設(shè)備品類(lèi)包括：3項(xiàng)清洗設(shè)備、11項(xiàng)薄膜沉積設(shè)備、1項(xiàng)熱處理設(shè)備、4項(xiàng)光刻設(shè)備、3項(xiàng)蝕刻設(shè)備、1項(xiàng)測(cè)試設(shè)備。
此外，查看原有的出口管制條例（2022年12月6日生效），碳化硅、金剛石、光刻膠等半導(dǎo)體材料，高質(zhì)量的12吋半導(dǎo)體硅片制造、EUV、GAAFET相關(guān)EDA軟件、32位及以上處理器內(nèi)核等相關(guān)半導(dǎo)體技術(shù)，以及高性能計(jì)算機(jī)及組件也都在出口管制之列。
一、受出口管制的半導(dǎo)體制造設(shè)備：
1、光刻相關(guān)設(shè)備
（1）一種用于處理晶圓的步進(jìn)重復(fù)式、步進(jìn)掃描式光刻機(jī)設(shè)備，屬于光學(xué)方式的曝光裝置或使用了X射線(xiàn)的曝光裝置中的以下任一種：
a、光源波長(zhǎng)小于193納米（芯智訊注：目前的DUV光刻機(jī)光源波長(zhǎng)都是193納米）；
b、用納米表示的光源的波長(zhǎng)乘以0.35得到的數(shù)值除以數(shù)值孔徑的值得到的數(shù)值在45納米以下。
（芯智訊注：依照瑞利公式，光刻機(jī)分辨率為 R=kλ/NA ，即分辨率=K1×光源波長(zhǎng)/數(shù)值孔徑。此處，日本將K1設(shè)定為0.35，并要求分辨率低于45納米。而ASML預(yù)計(jì)可以對(duì)華銷(xiāo)售的浸沒(méi)式光刻機(jī)NXT1980系列的分辨率為38納米左右。也就是說(shuō)，日本對(duì)于光刻機(jī)的出口限制比荷蘭還要嚴(yán)苛，直接將浸沒(méi)式光刻機(jī)全部列入了限制出口范圍。）
（2）一種用于制造防塵薄膜（Pellicle）組件（僅限于為使用EUV制造集成電路的裝置而特別設(shè)計(jì)的裝置）的裝置；
（3）一種被用于EUV抗蝕劑（光刻膠）的涂敷、成膜、加熱或顯影的裝置；
以下為非新增項(xiàng)目：
（4）可實(shí)現(xiàn)45納米以下線(xiàn)寬的壓印光刻裝置。（芯智訊注：除了傳統(tǒng)的光刻機(jī)之外，目前日本還在發(fā)展納米壓印技術(shù)。具體可查看芯智訊此前文章：《不用EUV光刻機(jī)也能造5nm芯片？鎧俠攜手NDP與佳能力推NIL技術(shù)》）
（5）設(shè)計(jì)成能夠制造掩模的設(shè)備，被應(yīng)用在使用電子束、離子束或激光的設(shè)備中，屬于以下任一種的設(shè)備：
a、照射面半值全寬的直徑小于65納米，且圖像位置誤差（平均值加上三西格瑪）小于17納米；
b、已刪除；
c、掩模上的第二層重合誤差（平均值加上三西格瑪）小于23納米。
（6）設(shè)計(jì)成能夠以直接描繪方式制造半導(dǎo)體元件或集成電路的設(shè)備，在使用電子束的設(shè)備中，屬于以下任一種：
a、照射面直徑在15納米以下的；
b、重合誤差（平均值加上三西格瑪）在27納米以下的。
2、蝕刻設(shè)備
（1）一種用于干蝕刻的裝置，屬于以下任一種：
a.為各種向性干蝕刻用而設(shè)計(jì)或改造的裝置，其中硅鍺（SiGe）對(duì)硅的蝕刻選擇性的比率為100倍以上；
b.為各種異向性干蝕刻而設(shè)計(jì)或改造的裝置，符合以下全部?jī)?nèi)容：
具有一個(gè)以上高頻脈沖輸出電源的電器；
具有一個(gè)以上切換時(shí)間小于300毫秒的高速氣體切換閥；
具有靜電吸盤(pán)（僅限于具有可單獨(dú)控制溫度的區(qū)域?yàn)?0以上的吸盤(pán)）
（2）一種為濕法刻蝕而設(shè)計(jì)的裝置，其中硅鍺對(duì)硅的刻蝕選擇性比例為100倍以上；
（3）一種為異向性蝕刻而設(shè)計(jì)的裝置，且對(duì)于電介質(zhì)的材料，蝕刻深度相對(duì)于蝕刻寬度的比率超過(guò)30倍，并且該蝕刻寬度的尺寸能夠形成小于100納米的形狀，符合以下全部要求的裝置：
a.具有一個(gè)以上高頻脈沖輸出電源的電器
b.具有一個(gè)以上切換時(shí)間小于300毫秒高速氣體切換閥
3、薄膜沉積設(shè)備
原有的限制：
屬于以下任何一種情況的晶體外延生長(zhǎng)設(shè)備：
（1）設(shè)計(jì)或改性以形成硅以外的薄膜，在75毫米或更長(zhǎng)的長(zhǎng)度上絕對(duì)厚度公差小于2.5%；
（2）有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中外延生長(zhǎng)具有以下兩種或兩種以上元素的化合物半導(dǎo)體：鋁、鎵、銦、砷、磷、銻或氮；
（3）使用氣源或固體源的分子束外延生長(zhǎng)裝置。
新增限制如下：
作為成膜裝置（薄膜沉積設(shè)備），屬于以下任一種的裝置：
（1）設(shè)計(jì)為利用電鍍形成鈷（Co）膜；
（2）一種化學(xué)氣相生長(zhǎng)裝置，其設(shè)計(jì)為：在通過(guò)自下而上成膜填充鈷（Co）或鎢（W）的工序中，填充的金屬的空隙或接縫的最大尺寸為3納米以下；
（3）一種設(shè)計(jì)成通過(guò)在單一的腔室內(nèi)的多個(gè)工序形成金屬接觸層（膜）的裝置，符合以下全部要求的裝置：
a.一邊將芯片基板溫度維持在超過(guò)100度且低于500度，一邊使用有機(jī)金屬化合物成鎢膜層；
b.具有使用氫（包括氫和氮或氨的混合物）的等離子體的工序的物質(zhì)。
（4）一種半導(dǎo)體制造裝置，其是通過(guò)多個(gè)腔室或站內(nèi)多個(gè)工序成膜的裝置，且在多個(gè)工序間設(shè)計(jì)為能夠維持0.01帕斯卡以下的真空狀態(tài)或惰性環(huán)境（以下稱(chēng)為特定半導(dǎo)體制造裝置）中設(shè)計(jì)為通過(guò)下述所有工序形成膜金屬接觸層（符合條件的除外）：
a.使用氫（包括氫和氮或氨的混合物）的等離子體進(jìn)行表面處理，同時(shí)將晶片的基板溫度維持在超過(guò)100度且低于500度。
b.一邊將芯片基板溫度維持在超過(guò)40度且低于500度，一邊利用使用氧或臭氧的等離子體進(jìn)行表面處理的工序；
c.一邊將芯片的基板溫度維持在超過(guò)100度且低于500度，一邊成鎢膜層的工序。
（5）特定半導(dǎo)體制造裝置中，為通過(guò)以下所示的所有工序形成金屬膜的接觸層而設(shè)計(jì)的裝置（適用的裝置除外）：
a.使用遠(yuǎn)程等離子體源及離子過(guò)濾器進(jìn)行表面處理工序；
b.使用有機(jī)金屬化合物在銅上選擇性地形成鈷膜層的工序。
（6）特定功函數(shù)的金屬（指用于控制晶體管閾值電壓的材料，下同）的原子層沉積裝置，符合以下全部?jī)?nèi)容：
a.符合以下所有條件的：兩種或多種金屬源中具有一種或多種為鋁前體設(shè)計(jì)的源；具有設(shè)計(jì)成在超過(guò)45度溫度下工作的前體容器的容器。
b.特定功函數(shù)金屬成膜的裝置，符合以下全部?jī)?nèi)容：成膜碳化鈦鋁；4.0電子伏特以上的功函數(shù)。
（7）特定半導(dǎo)體制造裝置中，為通過(guò)以下所示的所有工序成膜金屬的接觸層而設(shè)計(jì)的裝置（符合條件的裝置除外）：
a.使用有機(jī)金屬化合物形成氮化鈦或碳化鎢層的工序，同時(shí)將芯片的基板溫度維持在超過(guò)20度且低于500度；
b.一邊將芯片基板溫度維持在低于500度，一邊以超過(guò)0.1333Pa（帕斯卡）至13.33 Pa的壓力下通過(guò)濺射法形成鈷膜層的工序；
c.一邊將芯片的基板溫度維持在20度以上且低于500度，在133.3Pa至13.33KPa的壓力下使用有機(jī)金屬化合物形成鈷膜層的工序。
（8）特定半導(dǎo)體制造裝置中，為通過(guò)以下所示的所有工序形成銅配線(xiàn)而設(shè)計(jì)的裝置（符合條件的裝置除外）：:
a.在將芯片基板溫度維持在超過(guò)20度且低于500度的同時(shí)，在133.3Pa至13.33KPa的壓力下使用有機(jī)金屬化合物成鈷或釕膜層的工序；
b.一邊將芯片的基板溫度維持在低于500度，一邊在0.1333Pa至13.33Pa的壓力下使用物理氣相沉積法形成銅膜層的工序
（9）設(shè)計(jì)成使用有機(jī)金屬化合物選擇性地成膜阻擋膜或襯墊原子層沉積裝置。
（10）一種原子層沉積裝置（不包括符合條件的裝置），其設(shè)計(jì)成在絕緣膜與絕緣膜的間隙（僅限于深度相對(duì)于寬度的比例超過(guò)5倍，且該寬度小于40納米的裝置）中填充鎢或鈷，以避免在絕緣膜與絕緣膜的間隙（寬度的比例超過(guò)5倍且該寬度小于40納米的裝置）中產(chǎn)生空隙。
（11）設(shè)計(jì)成在0.01帕斯卡以下的真空狀態(tài)或惰性氣體的環(huán)境中成膜金屬層的裝置，符合以下全部的裝置：
（1）通過(guò)化學(xué)氣相沉積法或周期性沉積法形成氮化鎢層，同時(shí)將芯片的基板溫度維持在超過(guò)20度且低于50度。
（2）在133.3Pa至53.33KPa的壓力下，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法或周期性沉積法形成鎢層，同時(shí)將芯片的基板溫度維持在超過(guò)20度低于500度。
（12）設(shè)計(jì)成在0.01帕斯卡以下的真空狀態(tài)或惰性氣體的環(huán)境中成膜金屬層的裝置，符合以下任一種：
a.不使用阻擋膜而選擇性地生長(zhǎng)鎢
b.不使用阻擋膜而選擇性地生長(zhǎng)鉬
（13）設(shè)計(jì)成一邊將芯片的基板溫度維持在超過(guò)20度且低于500度，一邊使用有機(jī)金屬化合物成膜釕層的裝置；
（14）空間原子層沉積裝置（僅限于具有旋轉(zhuǎn)軸芯片的支撐臺(tái)的裝置），屬于以下任一種的裝置：
a.通過(guò)等離子體成膜原子層；
b.具有等離子體源材料；
c.具有用于將等離子體封閉在等離子體照射區(qū)域的等離子體屏蔽或機(jī)構(gòu)的物質(zhì)。
（15）通過(guò)在與設(shè)置有在40度以上65度以下的溫度下成膜的裝置或芯片的不同的空間中產(chǎn)生的自由基促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)而成膜的裝置，設(shè)計(jì)為形成符合以下全部的含有硅及碳的膜：
a.介電常數(shù)低于5.3；
b.在水平方向開(kāi)口部尺寸小于70納米的圖案中，深度相對(duì)于該尺寸的比率超過(guò)5倍；
c.圖案間距小于100納米的結(jié)構(gòu)
（16）用于掩模（僅限于特別設(shè)計(jì)用于使用極端紫外制造集成電路的裝置）的多層反射膜通過(guò)離子束蒸鍍或物理氣相沉積法成膜而設(shè)計(jì)的裝置；
（17）硅（含碳）或硅鍺（含碳）的外延生長(zhǎng)裝置；
a.具有多個(gè)腔室，且在多個(gè)工序間能夠維持0.01Pa以下真空狀態(tài)或水和氧的分壓小于0.01Pa的惰性環(huán)境
b.作為預(yù)處理，具有一個(gè)以上為清潔芯片表面而設(shè)計(jì)的腔室；
c.外延生長(zhǎng)工作溫度在685度以下。
（18）設(shè)計(jì)為利用等離子體成膜厚度超過(guò)100納米且應(yīng)力小于45MPa的碳硬掩模的裝置；
（19）鎢膜（僅限于氟原子數(shù)每立方厘米小于10的19次方的膜）被設(shè)計(jì)為通過(guò)使用等離子體的原子層沉積法或化學(xué)氣相生長(zhǎng)法成膜的裝置；
（20）金屬布線(xiàn)間間隙（僅限于寬度小于25納米且深度超過(guò)50納米的材料）中相對(duì)介電常數(shù)小于3.3的低介電層以不產(chǎn)生空隙的方式使用等離子體成膜的裝置；
4、熱處理設(shè)備
在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下工作的退火裝置，屬于以下任一種：
1、通過(guò)實(shí)施銅回流（Reflow），能夠使銅布線(xiàn)的空隙或接縫最小化或消除；
2、通過(guò)實(shí)施鈷或鎢的填料金屬的回流，可以使空隙或接縫最小化或消除的；
5、清洗設(shè)備
1、設(shè)計(jì)成在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，除去高分子殘留和氧化銅膜，并且使銅的成膜更可靠的裝置；
2、一種具有多個(gè)腔室或工位的裝置，設(shè)計(jì)為通過(guò)干燥工藝進(jìn)行除去表面氧化物的預(yù)處理，或者設(shè)計(jì)為通過(guò)干燥工藝除去表面的污染物；
3、具有在芯片表面改性后進(jìn)行干燥工序的單片式濕式清洗裝置。
6、檢測(cè)設(shè)備
被設(shè)計(jì)成檢查用于EUV曝光的光掩膜版（Mask Blanks）的檢測(cè)設(shè)備、或者“帶有圖案的掩膜”的檢測(cè)設(shè)備。
7、離子注入設(shè)備（非新增）
屬于以下任何一種情況的離子注入機(jī)：
（1） 已刪除；
（2）注入氫、氘或氦時(shí)，光束能量為20千伏以上，光束電流為10毫安以上；
（3）可以直接繪制的項(xiàng)目；
（4）將氧氣注入加熱半導(dǎo)體材料的襯底時(shí)，光束能量為65千伏或更高，光束電流為45毫安或更高；
（5）將硅注入加熱到600攝氏度或更高的溫度的半導(dǎo)體襯底中時(shí)，光束能量為20千電子伏或更高，光束電流為10毫安或更高。
8、晶圓傳輸設(shè)備（非新增）
能夠自動(dòng)裝載晶圓的多室晶圓運(yùn)輸中心裝置，屬于以下（1）和（2）：
（1） 屬于前面薄膜沉積設(shè)備或離子注入設(shè)備中的任何一個(gè)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，并且具有用于裝卸晶圓的連接，其設(shè)計(jì)為可以連接三個(gè)或更多不同的單元（僅限于能夠連接具有不同功能的單元的單元）；
（2）設(shè)計(jì)為集成在真空狀態(tài)下的設(shè)備，用于多個(gè)晶圓的順序加工。
二、受出口管制的半導(dǎo)體材料
1、在基板上具有屬于以下任何一項(xiàng)的物質(zhì)的多層膜晶體，并且該晶體被外延生長(zhǎng)，這將是異質(zhì)外延材料（對(duì)應(yīng)于氮化鎵，氮化銦鎵, 氮化鋁鎵, 氮化銦鋁, 氮化銦鋁鎵, 磷化鎵, 砷化鎵, 砷化鋁鎵, 磷化銦, 磷化銦鎵, 磷化鋁銦或磷化銦 (僅限于鋁/鎵)，除了那些有一個(gè)或多個(gè)P型外延層，且P型外延層不夾在N型層之間。）
（1）硅
（2）鍺
（3）碳化硅
（4）III-V 族化合物（限于鎵或銦化合物）
（5）三氧化二鎵
（6）金剛石
2、屬于以下任何一項(xiàng)的抗蝕劑（光刻膠）或涂有它們的基材。
（1）用于半導(dǎo)體光刻并具有以下任何一項(xiàng)的抗蝕劑：
a、針對(duì)波長(zhǎng)大于等于 15 nm 小于 193 nm 的光使用而優(yōu)化的正型抗蝕劑；
b、針對(duì)波長(zhǎng)大于 1 nm 且小于 15 nm 的光使用而優(yōu)化的抗蝕劑
（2）設(shè)計(jì)用于電子束或離子束的抗蝕劑，靈敏度為每平方毫米 0.01 微庫(kù)侖或更??；
（3）已刪除；
（4）表面成像技術(shù)的優(yōu)化抗蝕劑；
（5）設(shè)計(jì)或優(yōu)化用于屬于第 17 f(2) 項(xiàng)的壓印光刻設(shè)備的熱塑性或光固化抗蝕劑；
3、屬于下列任何一項(xiàng)的有機(jī)金屬化合物或有機(jī)化合物：
（1）純度大于99.999%的鋁、鎵或銦的有機(jī)金屬化合物
（2）純度超過(guò)99.999%的磷、砷或銻的有機(jī)化合物
4、純度超過(guò)99.999%的磷、砷或銻的氫化物（含惰性氣體或氫氣20%以上者除外）。
5、碳化硅、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁鎵、三氧化二鎵或金剛石的半導(dǎo)體襯底或錠、晶錠或其他預(yù)制棒，在20度的溫度下電阻率超過(guò)10000歐姆·厘米。
6、在20℃時(shí)電阻率超過(guò)10000歐姆·厘米的多晶襯底或多晶陶瓷襯底中，硅、碳化硅、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁鎵等非外延單晶層中至少有一層的三氧化二鎵或金剛石。
7、前兩項(xiàng)所列襯底，其外延層至少為一層或多層碳化硅、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁鎵、三氧化二鎵或金剛石（上面第1項(xiàng)除外）。
三、受出口管制的半導(dǎo)體技術(shù)：
1、特別設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)光刻程序，用于設(shè)計(jì)或使用極紫外光（EUV）制造集成電路的裝置的掩模或標(biāo)線(xiàn)圖案的。
2、一種雙絕緣體由二氧化硅構(gòu)成的集成電路的基板，具有絕緣體上硅結(jié)構(gòu)的基板的設(shè)計(jì)或制造所涉及的技術(shù)（程序除外）
3、微處理器、微型計(jì)算機(jī)或微控制器的核心，在邏輯運(yùn)算單元的訪(fǎng)問(wèn)寬度的位數(shù)為32位以上的處理器中，設(shè)計(jì)或制造符合以下任一項(xiàng)的處理器所需的技術(shù)（程序除外）
（1）一種設(shè)計(jì)成能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)超過(guò)兩個(gè)浮點(diǎn)矢量運(yùn)算處理的矢量運(yùn)算器；
（2）被設(shè)計(jì)為每一個(gè)循環(huán)可以實(shí)現(xiàn)超過(guò)四個(gè)64位以上的浮點(diǎn)運(yùn)算處理的；
（3）為了能夠?qū)崿F(xiàn)每循環(huán)超過(guò)八個(gè)的16位定點(diǎn)積和運(yùn)算處理而設(shè)計(jì)的技術(shù)。
4、特別設(shè)計(jì)用于在一毫秒內(nèi)從電磁脈沖或靜電放電中斷恢復(fù)到正常狀態(tài)而不喪失操作連續(xù)性的程序。
5、直徑300毫米的硅晶圓，在排除外周2毫米以下區(qū)域后，在長(zhǎng)26毫米、寬8毫米的長(zhǎng)方形區(qū)域的硅晶圓表面的任意切片、研磨、拋光技術(shù)下，平面平整度達(dá)到20納米以下所需的技術(shù)（不含程序）。
6、專(zhuān)為設(shè)計(jì)具有環(huán)繞柵極（GAAFET）結(jié)構(gòu)的集成電路而設(shè)計(jì)的ECAD程序，屬于以下任何一項(xiàng)
（1）專(zhuān)為實(shí)現(xiàn) GDSII 或等效數(shù)據(jù)庫(kù)文件格式的寄存器傳輸級(jí) (RTL) 而設(shè)計(jì)；
（2）專(zhuān)為優(yōu)化所設(shè)計(jì)集成電路的數(shù)據(jù)處理中的功耗或傳輸數(shù)據(jù)所需的時(shí)間而設(shè)計(jì)。
7、外匯令附表第7 (4)項(xiàng)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省令規(guī)定的技術(shù)，是指與使用電子元件的設(shè)計(jì)或制造相關(guān)的技術(shù)(程序除外)超導(dǎo)材料。
8.、外匯令附表第 7 項(xiàng)(5)項(xiàng)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省令規(guī)定的技術(shù)屬于下列任何一項(xiàng)。
（1）已刪除
（2）與真空微電子器件設(shè)計(jì)或制造相關(guān)的技術(shù)（不含程序）
（3）異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體器件（不包括工作頻率低于31.8GHz的高電子遷移率晶體管或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）設(shè)計(jì)或制造相關(guān)技術(shù)（不含程序）
（4）與使用金剛石、碳化硅或氧化鎵的電子設(shè)備部件基板相關(guān)的設(shè)計(jì)或制造技術(shù)（程序除外）
（5）工作頻率為31.8GHz及以上的真空電子器件（包括速調(diào)管、行波管及其衍生物）的設(shè)計(jì)或制造相關(guān)技術(shù)（不含程序）
四、受出口管制的計(jì)算機(jī)及組件
1、屬于以下任何一項(xiàng)的計(jì)算機(jī)或其附屬設(shè)備或其組件：
（1）設(shè)計(jì)用于超過(guò) 85 攝氏度或低于 -45 攝氏度的溫度的產(chǎn)品
（2）旨在防止輻射影響并屬于以下任何一項(xiàng)的產(chǎn)品
a、設(shè)計(jì)用于承受以硅計(jì)的總吸收劑量超過(guò) 5,000 Gy 的輻射照射：
b、 設(shè)計(jì)成硅的吸收劑量超過(guò)每秒 5,000,000 Gy，從而不會(huì)因輻射照射而發(fā)生損壞
c、旨在使由于單個(gè)事件故障引起的錯(cuò)誤率小于每天每比特的百萬(wàn)分之一的 1/100
2、已刪除
3、為提高數(shù)字計(jì)算機(jī)的功能而設(shè)計(jì)的零件、其附件或?qū)儆谝韵?(2)、(3) 或 (7) 中任何一項(xiàng)的數(shù)字計(jì)算機(jī)，或這些組件（以下不包括那些屬于在（8）到（10）中的任何一個(gè)及其部分下）。
（1）已刪除
（2）最大加權(quán)性能超過(guò)70萬(wàn)億次有效運(yùn)算的數(shù)字電子計(jì)算機(jī)。
（3）為提高數(shù)字電子計(jì)算機(jī)功能而設(shè)計(jì)的組件，通過(guò)聚合計(jì)算元素，最大加權(quán)性能超過(guò)70萬(wàn)億次運(yùn)算（最大性能超過(guò)70萬(wàn)億次有效運(yùn)算，專(zhuān)為數(shù)字電子計(jì)算機(jī)或家庭計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的除外）。
（4）已刪除
（5）已刪除
（6）已刪除
（7）為提高數(shù)字計(jì)算機(jī)的運(yùn)算處理能力而設(shè)計(jì)用于在多臺(tái)數(shù)字計(jì)算機(jī)之間傳輸數(shù)據(jù)的數(shù)字計(jì)算機(jī)附屬設(shè)備，其中傳輸數(shù)據(jù)的傳輸速度超過(guò)每秒2GB。
（8）內(nèi)置于其他設(shè)備中并且對(duì)設(shè)備的運(yùn)行必不可少的東西，但不是設(shè)備的主要元素。
（9）內(nèi)置于其他設(shè)備中的對(duì)于設(shè)備運(yùn)行必不可少的，其功能僅限于設(shè)備的信號(hào)處理或圖像增強(qiáng)的那些。
（10）出口訂單附表1、9所列第(1)至(3)項(xiàng)或第(5)至(5-5)項(xiàng)所列貨物中內(nèi)置的，且為操作設(shè)備所必需的。
4、符合以下任何一項(xiàng)的計(jì)算機(jī)或其輔助設(shè)備或部件：
（1）脈動(dòng)陣列計(jì)算機(jī)
（2）神經(jīng)計(jì)算機(jī)
（3）光學(xué)計(jì)算機(jī)
5、為創(chuàng)建、命令和控制或分發(fā)入侵程序而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)或修改的計(jì)算機(jī)或其附屬設(shè)備或部件。
值得注意的是，在3月31日該出口管制政策正式被日本官方披露時(shí)，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔曾強(qiáng)調(diào)，此舉并不是與美國(guó)協(xié)調(diào)的結(jié)果，也不是為了遏制中國(guó)，“這些出口管制適用于所有地區(qū)，并不是針對(duì)任何一個(gè)國(guó)家?！痹撜呤菫榱俗柚瓜冗M(jìn)技術(shù)被用于軍事目的。
而此次正式公布的版本也沒(méi)有明確將中國(guó)等特定國(guó)家和地區(qū)指定為管制對(duì)象，除面向友好國(guó)家等42個(gè)國(guó)家和地區(qū)之外，其余都需要個(gè)別許可，因此對(duì)中國(guó)大陸的出口實(shí)際上是受限的。
5月23日當(dāng)天，商務(wù)部新聞發(fā)言人也就日本正式出臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制措施一事進(jìn)行了回應(yīng)稱(chēng)：
“我們注意到，日本政府正式出臺(tái)針對(duì)23種半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口管制措施，這是對(duì)出口管制措施的濫用，是對(duì)自由貿(mào)易和國(guó)際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴(yán)重背離，中方對(duì)此堅(jiān)決反對(duì)。
在日方措施公開(kāi)征求意見(jiàn)期間，中國(guó)產(chǎn)業(yè)界紛紛向日本政府提交評(píng)論意見(jiàn)，多家行業(yè)協(xié)會(huì)公開(kāi)發(fā)表聲明反對(duì)日方舉措，一些日本行業(yè)團(tuán)體和企業(yè)也以各種方式表達(dá)了對(duì)未來(lái)不確定性的擔(dān)憂(yōu)。但令人遺憾的是，日方公布的措施未回應(yīng)業(yè)界合理訴求，將嚴(yán)重?fù)p害中日兩國(guó)企業(yè)利益，嚴(yán)重?fù)p害中日經(jīng)貿(mào)合作關(guān)系，破壞全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局，沖擊產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全和穩(wěn)定。
日方應(yīng)從維護(hù)國(guó)際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中日經(jīng)貿(mào)合作出發(fā)，立即糾正錯(cuò)誤做法，避免有關(guān)舉措阻礙兩國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實(shí)維護(hù)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。中方將保留采取措施的權(quán)利，堅(jiān)決維護(hù)自身合法權(quán)益。”
