eGaN

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十五階段產(chǎn)品可靠性測(cè)試報(bào)告，進(jìn)一步豐富了關(guān)于氮化鎵器件可靠性的知識(shí)庫(kù)和展示了EPC eGaN產(chǎn)品的穩(wěn)健耐用性已在實(shí)際應(yīng)用中得到驗(yàn)證。 EPC宣布發(fā)布其第十五階段產(chǎn)品可靠性測(cè)試報(bào)告，記錄了持續(xù)使用測(cè)試器件至失效的方法，并針對(duì)太陽(yáng)能優(yōu)化器、激光雷達(dá)傳感器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等實(shí)際應(yīng)用，加入了具體的可靠性指標(biāo)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)。 本報(bào)告介紹了測(cè)試eGaN器件至失效的結(jié)果，以了解器件

EPC推出EPC9177，這是一種基于eGaN?IC的高功率密度、薄型DC/DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，可滿足新型USB PD 3.1對(duì)多端口充電器和主板上從28 V~48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換至12 V或20 V輸出電壓的嚴(yán)格要求。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9177，這是一款數(shù)字控制、單輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，工作在 720 kHz 開(kāi)關(guān)頻率，可轉(zhuǎn)換 48 V、36 V、28 V至穩(wěn)壓12

EPC推出 80 V、通過(guò)AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)計(jì)人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車(chē)規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換和低電感電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。 作為增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN?) FET 和 IC 的全球領(lǐng)導(dǎo)者，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）進(jìn)一步擴(kuò)大已有現(xiàn)貨供應(yīng)的車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵晶體管系列，推出80 V、11 mΩ

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽(yáng)能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

瑞薩電子(Renesas)的兩相同步GaN升壓控制器與宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的超高效eGaN? FET相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。