Si IGBT?

• SiC很火爆，但可能不賺錢
  SiC寬帶隙第三代半導(dǎo)體異?；鸨?，特別是1200V的SiCMOSFET有望取代目前常用的650V Si IGBT。不過(guò)火爆歸火爆，但可能賺不到錢。

  佐思產(chǎn)研

  987

  2021/11/29

  SiC SiC-MOSFET
• 新技術(shù)看點(diǎn)多 英飛凌展示多項(xiàng)產(chǎn)品應(yīng)用
  二氧化碳傳感器、能源和汽車應(yīng)用的功率器件、智能門鎖的系統(tǒng)級(jí)方案......不久前，在2021深圳國(guó)際電子展期間，英飛凌展示了該公司多項(xiàng)技術(shù)在多元化應(yīng)用中的亮點(diǎn)。在現(xiàn)場(chǎng)，英飛凌的工作人員向與非網(wǎng)詳細(xì)介紹了這些技術(shù)和產(chǎn)品。 二氧化碳傳感器 這是英飛凌XENSIV系列下的氣體傳感器，采用最新的光聲光譜技術(shù)。傳感器內(nèi)部給出特定

  陸楠

  542

  2021/10/20

  傳感器 英飛凌

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