RRAM

• 億鑄科技榮獲2023硬科技新銳之星
  2023年，新突破、新商業(yè)、新經濟成為了科技發(fā)展的關鍵詞。這一年，科技領域充滿著活力和創(chuàng)新，存算一體等底層技術不斷突破，大模型和AI相關技術的突破更是引發(fā)了前所未有的廣泛關注，AIGC不斷開拓著新的邊界；投資機構的活躍，資本的涌入，讓科技領域的探索更上一層樓。初創(chuàng)企業(yè)在這一年大放異彩，為全球經濟注入著新的活力。

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  2023/12/25

  數字化技術 RRAM
• 億鑄科技榮獲硬核中國芯2023年度卓越成長表現(xiàn)企業(yè)獎
  

  昨日，由國內領先的半導體電子信息媒體芯師爺主辦的第五屆硬核芯生態(tài)大會圓滿落幕，會上揭曉了2023年度硬核中國芯評選大獎，億鑄科技榮獲2023年度卓越成長表現(xiàn)企業(yè)獎。

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  2007

  2023/10/31

  AI芯片 RRAM
• 新型存儲之我見(科普長文)
  也許2年內，不知道什么時候新型存儲有可能成為下一個半導體板塊的炒作熱點題材，就像四年我預判碳化硅，氮化鎵那些化合物半導體一樣，我認為一定會有這樣的機會存在，屬于提前2年預判市場的預判。

  啟哥有何妙計

  2028

  2023/04/15

  NAND 存儲技術
• 破解內存墻，除了“存算一體”還需要什么？
  20世紀初的物理學家不會想到，懸浮在物理學大廈上的兩朵烏云會徹底顛覆整個物理學體系，馮·諾依曼在參與曼哈頓工程提出新架構時，也不會想到未來阻止芯片算力進步的竟然不是芯片本身。 ? 馮·諾依曼結構的誕生與局限 1945年6月30日，美國正在秘密進行曼哈頓計劃。馮·諾依曼作為該計劃的重要參與者與領導者，與另外兩位組內科學家發(fā)表了一篇長達101頁的報告，這就是計算機史上著名的“101頁報告”，

  劉浩然

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  2023/01/06

  與非觀察 存算一體
• 【未來可測】系列之二： 憶阻器單元基礎研究和性能研究測試方案
  憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器（RRAM）。

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  2022/09/28

  泰克 PCM
• 看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
  你如果問當前內存市場是誰的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內存市場，當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過，在內存天下三分的大背景下，新一代存儲技術3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音， RRAM非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。

  吳子鵬

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  2017/09/19

  dram NAND
• Crossbar：單芯片實現(xiàn)太字節(jié)存儲，我們能做到
  物聯(lián)網、云存儲推動了數據的急劇增長，預計數據量每兩年就會翻一番，到2020年會達到44TB。從超低功耗微控制器到大型數據中心的連接器件，存儲器無處不在，相對于老式的磁盤存儲器，閃存提供了更好的讀寫性能，采用閃存的固態(tài)硬盤發(fā)展勢頭加速，是由于它沒有機械運動固件，尺寸更小且速度更快。為了滿足市場需求，閃存制造商不得不通過縮小存儲單元的尺寸，讓

  咖啡不解困

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  2016/03/23

  閃存 RRAM

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