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氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。

氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。收起

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    人們對更小、更高效電源的需求不斷增長,進(jìn)而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器,通過功能越來越強(qiáng)大但尺寸越來越小的適配器,幫助擴(kuò)大 USB Type-C? 接口的市場規(guī)模。 雖然這令人振奮,但與此同時,電源設(shè)計人員必須降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。借助反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的最新創(chuàng)新成果,無需使用輔助繞組即可實(shí)現(xiàn)器件偏置(無輔助繞組
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    專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書,探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢,以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。 《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》(10位專家暢談
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    在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代,電子器件的性能提升備受關(guān)注,而散熱問題始終是制約其發(fā)展的關(guān)鍵因素之一。 氮化鎵(GaN)作為高頻、高功率微波功率器件的理想材料,在眾多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。 然而,隨著GaN HEMT(高遷移率晶體管)器件功率密度及頻率的不斷提高,散熱問題日益凸顯,已成為性能進(jìn)一步提升的瓶頸。 在此背景下,金剛石基GaN技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,其憑借金剛石超高的熱導(dǎo)率,有望解決散熱難題,為電子器件的發(fā)展帶來新的曙光。
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    雙方合作將Qorvo的高性能BLDC/PMSM電機(jī)控制器/驅(qū)動器與CGD易於使用的ICeGaN IC結(jié)合於新的評估套件(EVK)中。 英商劍橋氮化鎵器件有限公司(Cambridge GaN Devices,簡稱 CGD)是一家專注於研發(fā)高效能氮化鎵(GaN)功率元件的半導(dǎo)體公司,致力於打造更環(huán)保的電子元件。近日,該公司與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案提供商 Qorvo?(Nasdaq: QRVO)合
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    全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關(guān)系,后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P,幫助該公司開發(fā)先進(jìn)的無線功率解決方案,為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。 此次合作將英飛凌的先進(jìn)氮化鎵(GaN
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    繼宣布將出售部分股權(quán)后,羅姆還公布了在GaN領(lǐng)域的新合作;此外,“行家說三代半”還匯總了近期GaN行業(yè)的多起合作案,詳情請看:
  • 總投資超36億,新增6個GaN項目
    總投資超36億,新增6個GaN項目
    氮化鎵行業(yè)最近很是熱鬧,英飛凌宣布實(shí)現(xiàn)了12吋晶圓突破;近日,國內(nèi)外多家GaN也傳來了項目、研發(fā)等新動態(tài):●?冠鼎半導(dǎo)體:投資1.055億人民幣,推進(jìn)第三代氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新建項目?!?華通芯電:旗下封裝產(chǎn)線正式通線,專注于氮化鎵射頻功率器件模組的封裝與測試?!?新鎵能半導(dǎo)體:氮化鎵功率芯片項目簽約落戶無錫惠山。
  • 英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動行業(yè)變革
    英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動行業(yè)變革
    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓,300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn),也因?yàn)榫A直徑的擴(kuò)大,每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3
  • 12英寸氮化鎵,新輔助?
    第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵,傳來新消息:日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。
  • 這家GaN企業(yè)將上市,募資近1億
    這家GaN企業(yè)將上市,募資近1億
    8月23日,據(jù)韓媒報道,韓國氮化鎵企業(yè)Wavice 宣布在22日向韓國金融服務(wù)委員會提交了上市申請報告,將在 KOSDAQ 市場(韓國創(chuàng)業(yè)板市場)上市,并開始正式公開募股。
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    08/29 08:34
    GaN
  • GaN功率半導(dǎo)體市場發(fā)展提速,行業(yè)首波整合潮出現(xiàn)
    GaN功率半導(dǎo)體市場發(fā)展提速,行業(yè)首波整合潮出現(xiàn)
    自去年以來,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場可謂熱鬧非凡。英飛凌、瑞薩電子、格芯等頭部大廠紛紛開始并購GaN技術(shù)公司,強(qiáng)化在GaN領(lǐng)域的技術(shù)儲備。雖然GaN在快充領(lǐng)域應(yīng)用已經(jīng)日漸成熟,但隨著新興產(chǎn)業(yè)如電動汽車、人工智能、機(jī)器人等逐漸發(fā)展,對更高功率更低能耗的要求,將促發(fā)氮化鎵器件逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件,氮化鎵在這些高價值場景的商業(yè)化應(yīng)用漸次鋪開,也因此驅(qū)使半導(dǎo)體大廠在氮化鎵領(lǐng)域紛紛積極布局。
  • Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設(shè)計,可將溫度降低30%
    Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設(shè)計,可將溫度降低30%
    位于英國劍橋的電力電子技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN優(yōu)化參考設(shè)計,該設(shè)計旨在解決電源中的復(fù)雜熱性能挑戰(zhàn)。這一備受期待的突破性開發(fā)成果將提供其他設(shè)計中所未有的獨(dú)特功能和優(yōu)勢組合,必將徹底改變USB-C快速充電領(lǐng)域。 PSV-RDAD-65USB參考設(shè)計將Pulsiv OSMIUM技術(shù)與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的準(zhǔn)諧振反激變換器和高度優(yōu)化、超緊湊的磁性組件相結(jié)合
  • 三相集成 GaN 技術(shù)如何更大限度地 提高電機(jī)驅(qū)動器的性能
    三相集成 GaN 技術(shù)如何更大限度地 提高電機(jī)驅(qū)動器的性能
    內(nèi)容概覽 1GaN 如何提高逆變器效率 2使用 GaN 電源開關(guān)提高電機(jī)性能 3在電機(jī)驅(qū)動器中使用 GaN 時的設(shè)計注意事項 在應(yīng)對消費(fèi)類電器、樓宇暖通空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動裝置的能耗挑戰(zhàn)中,業(yè)界積極響應(yīng),通過實(shí)施諸如季節(jié)性能效比 (SEER)、最低能效標(biāo)準(zhǔn) (MEPS)、Energy Star 和Top Runner 等項目推進(jìn)建立系統(tǒng)能效評級體系。 變頻驅(qū)動器 (VFD) 可為加熱
  • ?AI服務(wù)器、人形機(jī)器人等引燃,氮化鎵打響“翻身仗”!
    ?AI服務(wù)器、人形機(jī)器人等引燃,氮化鎵打響“翻身仗”!
    從歡呼聲到質(zhì)疑聲,GaN(氮化鎵)近幾年在功率半導(dǎo)體市場并非一路坦途,中間呈現(xiàn)出些許“雷聲大雨點(diǎn)小”的態(tài)勢,但GaN巨大的應(yīng)用潛力一直毋庸置疑,用心挖掘其技術(shù)潛能并認(rèn)真耕耘市場的企業(yè)深知,GaN只是還沒到綻放的時機(jī)。
  • 英飛凌推出全新CoolGaN? Drive產(chǎn)品系列,包括帶有集成驅(qū)動器的集成單開關(guān)和半橋
    英飛凌推出全新CoolGaN? Drive產(chǎn)品系列,包括帶有集成驅(qū)動器的集成單開關(guān)和半橋
    消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發(fā)展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設(shè)計,同時還需采用非常規(guī) PCB設(shè)計,此類設(shè)計面臨嚴(yán)格的空間限制,從而限制了外部元件的使用。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolGaN? Drive產(chǎn)品系列,進(jìn)一步豐富了其氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品系列包括CoolGaN? Driv

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