德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)近日宣布,公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn),加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能,德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍。 德州儀器技術(shù)和制造集團(tuán)高級副總裁 Mohammad Yunus 表示:“基于在 GaN 芯片設(shè)計和制造領(lǐng)域數(shù)十年的專業(yè)知識,我們已成功驗證了德州儀器 8 英寸