整個(gè)行業(yè)向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)升級(jí)的必要性仍然存在,比如尖端的AI應(yīng)用、汽車等,都需要更先進(jìn)的半導(dǎo)體系統(tǒng)方案。日前,英特爾在IEDM 2023(2023 IEEE 國際電子器件會(huì)議)上展示了多項(xiàng)技術(shù)突破,分享了近期背面供電研發(fā)突破的擴(kuò)展路徑(如背面觸點(diǎn)),并率先在同一塊300毫米晶圓上,成功實(shí)現(xiàn)了硅晶體管與氮化鎵(GaN)晶體管的大規(guī)模單片3D集成。