作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù),GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等市場(chǎng)都有著廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。和傳統(tǒng)的Si器件相比,GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的開關(guān)損耗,但對(duì)驅(qū)動(dòng)IC與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)也提出了更高的要求。按照柵極特性差異,GaN分為常開的耗盡型(D-mode)和常關(guān)的增強(qiáng)型(E-mode)兩種類型;按照應(yīng)用場(chǎng)景差異,GaN需要隔離或非隔離、低邊或自舉、零伏或負(fù)壓關(guān)斷等多種驅(qū)動(dòng)方式。針對(duì)不同類型的GaN和各種應(yīng)用場(chǎng)景,納芯微推出了一系列驅(qū)動(dòng)IC解決方案,助力于充分發(fā)揮GaN器件的性能優(yōu)勢(shì)。