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碳化硅晶體

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早在1824年,瑞典科學(xué)家Berzelius(1779一1848)在人工合成金剛石的過程中就觀察到了SiC的存在,但是因?yàn)樘烊坏腟iC單晶極少,當(dāng)時人們對SiC的性質(zhì)幾乎沒有什么了解。

早在1824年,瑞典科學(xué)家Berzelius(1779一1848)在人工合成金剛石的過程中就觀察到了SiC的存在,但是因?yàn)樘烊坏腟iC單晶極少,當(dāng)時人們對SiC的性質(zhì)幾乎沒有什么了解。收起

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  • 國產(chǎn)SiC實(shí)現(xiàn)3大技術(shù)突破:溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)
    國產(chǎn)SiC實(shí)現(xiàn)3大技術(shù)突破:溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)
    近期國內(nèi)多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術(shù)突破,涉及溝槽技術(shù)、大尺寸制備等:●?青禾晶元:實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級SiCOI(6寸,SiC膜厚1μm±100nm)的規(guī)模化生產(chǎn)。●?國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京):成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)●?上海漢虹:使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體。
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    什么是可編程晶振?可編程晶振多為有源晶振,由兩個芯片組成;一個是全硅MEMS諧振器,一個是具有溫補(bǔ)功能的芯片,可以啟動電路鎖相環(huán)CMOS。它采用標(biāo)準(zhǔn)化的半導(dǎo)體芯片MCM封裝??梢圆捎萌詣訕?biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝,比如現(xiàn)在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)用的IC,穩(wěn)定性和質(zhì)量都很好;生產(chǎn)過程中不能出現(xiàn)人為錯誤。
  • 決戰(zhàn)碳化硅:成敗在于襯底大小與厚度?
    近年來,包括碳化硅在內(nèi)的功率半導(dǎo)體市場并沒有因整個半導(dǎo)體行業(yè)的周期性下行而出現(xiàn)絲毫頹勢,反而逆市上揚(yáng),發(fā)布新產(chǎn)品的、投資的、擴(kuò)大產(chǎn)能的動作比比皆是,目的不外一個:降本增效。怎么做到?還得從碳化硅器件的原材料——晶錠說起。
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    2023/05/04
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    近日,晶盛機(jī)電通過官方微信公眾號宣布,經(jīng)過晶體實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年多的技術(shù)攻關(guān),8月12日,首顆8英寸(200mm)N型SiC(碳化硅)晶體成功出爐,晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時代。

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