雙脈沖測(cè)試

電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過(guò)渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說(shuō)明的是寬禁帶FET的測(cè)試，但雙脈沖測(cè)試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。 為確保這些設(shè)

由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平應(yīng)用越來(lái)越廣，我們開(kāi)發(fā)了IGBT7 1200V 62mm共發(fā)射極模塊，最大規(guī)格電流為800A，以及PrimePACK?3+封裝的的共集電極模塊，規(guī)格為2400A/1200V，采用了IGBT7大功率芯片，單橋臂即可實(shí)現(xiàn)兆瓦級(jí)功率。而中小功率Easy封裝則單模塊集成了T型三電平的橋臂供選擇。本文從分析T-NPC三電平電路的換流入手，介紹了雙脈沖與短路測(cè)試技術(shù)，對(duì)電路設(shè)計(jì)和驗(yàn)證有參考價(jià)值。

雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線(xiàn)電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開(kāi)關(guān)性能，并為功率變換器的設(shè)計(jì)（如開(kāi)關(guān)頻率和死區(qū)時(shí)間的確定、熱管理和效率評(píng)估）提供了參考依據(jù)，那么對(duì)于三電平電路，雙脈沖測(cè)試需要怎么做呢？