功率半導體器件

MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數(shù)。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。 圖1. 功率MOSFET的組件級電容 三端功率半導體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個設備終

近日，英飛凌宣布與全球領先的能源互聯(lián)網(wǎng)核心電力設備及解決方案領軍企業(yè)盛弘電氣股份有限公司達成合作。英飛凌將為盛弘提供業(yè)內(nèi)領先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體器件，配合EiceDRIVER? 緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動IC， 從而進一步提升儲能變流器的效率。 在“雙碳”戰(zhàn)略和新能源浪潮帶動下，近年來，國內(nèi)儲能市場保持持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)工信部統(tǒng)計，2023年上半年，新型儲能

新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率半導體產(chǎn)品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用該公司的一項專利技術，在氮化鎵功率晶體管上實現(xiàn)了長達5微秒的短路耐受時間（SCWT）。這是同類產(chǎn)品有記錄以來首次達到的成就，也是整個行業(yè)的一個重要里程碑，證明 Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機、工業(yè)電機和汽車動力傳動系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應用領域未來五年的潛在市場規(guī)模(TAM)超過 30 億美元。

英飛凌科技股份公司今日宣布，其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導體芯片工廠正式啟動運營。

相比手機、電腦芯片新產(chǎn)品發(fā)布會有時比春晚還熱鬧的景象，汽車芯片領域一直不太受普通大眾關注。直到2020年開始，汽車芯片出現(xiàn)了嚴重短缺，甚至出現(xiàn)了供應商囤積居奇的魔幻場景。