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東方晶源

東方晶源微電子科技(北京)股份有限公司成立于2014年,總部位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū),是一家專(zhuān)注于集成電路良率管理的企業(yè)。公司自成立以來(lái)堅(jiān)持以創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展,申報(bào)國(guó)內(nèi)外發(fā)明專(zhuān)利480余項(xiàng),授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利121項(xiàng),軟件著作權(quán)23項(xiàng),注冊(cè)商標(biāo)38項(xiàng)。獲得“國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)”、“中關(guān)村高新技術(shù)企業(yè)”、“北京市專(zhuān)利試點(diǎn)企業(yè)”、“博士后工作站”、被評(píng)定為國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)等榮譽(yù)。 收起 展開(kāi)全部

產(chǎn)業(yè)鏈 半導(dǎo)體EDA 收起 展開(kāi)全部

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  • 計(jì)算光刻進(jìn)入3.0時(shí)代,東方晶源ILT引領(lǐng)技術(shù)變革
    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,計(jì)算光刻技術(shù)是推動(dòng)芯片制程不斷突破的關(guān)鍵因素之一。隨著集成電路的尺寸不斷縮小,計(jì)算光刻技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,成為提升光刻精度和芯片性能的重要手段。在國(guó)內(nèi)尖端光刻設(shè)備受限的背景下,其重要性更是不言而喻。 在這一技術(shù)革新的浪潮中,東方晶源以其前瞻性的布局和強(qiáng)大的研發(fā)能力,成為推動(dòng)計(jì)算光刻技術(shù)發(fā)展的先鋒,以及國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造行業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)飛躍的關(guān)鍵力量。 從基于規(guī)則、模型到基于ILT,計(jì)算光刻進(jìn)入
    計(jì)算光刻進(jìn)入3.0時(shí)代,東方晶源ILT引領(lǐng)技術(shù)變革
  • 東方晶源PanGen?平臺(tái)再添新成員 套刻標(biāo)記優(yōu)化工具PanOVL上線
    引言 當(dāng)半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)到22nm及以下節(jié)點(diǎn)時(shí),隨著多重圖形技術(shù)的引入,對(duì)不同工藝層之間套刻(Overlay)誤差的要求變得越來(lái)越高。套刻測(cè)量技術(shù)可分為基于像面圖像識(shí)別測(cè)量技術(shù)和基于衍射原理的DBO(Diffraction Based Overlay)測(cè)量技術(shù)。相比于基于圖像識(shí)別的方法,基于衍射的套刻誤差測(cè)量具有更好的測(cè)量結(jié)果重復(fù)性、更低的設(shè)備引起測(cè)量誤差TIS(Tool Introduced
    東方晶源PanGen?平臺(tái)再添新成員 套刻標(biāo)記優(yōu)化工具PanOVL上線
  • 攻克關(guān)鍵技術(shù) 東方晶源ILT技術(shù)劍指先進(jìn)制程
    計(jì)算光刻作為現(xiàn)代芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心技術(shù)之一,其發(fā)展經(jīng)歷了從規(guī)則導(dǎo)向到模型驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變。然而,隨著制程邁向7nm乃至5nm節(jié)點(diǎn),傳統(tǒng)方法因規(guī)則局限、優(yōu)化自由度不足等制約,難以滿足復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)的高要求。在此背景下,反向光刻技術(shù)(ILT)以其獨(dú)特的優(yōu)化思路應(yīng)運(yùn)而生。 ILT即從目標(biāo)芯片圖案出發(fā),逆向推導(dǎo)獲得最優(yōu)化掩模圖案,極大地提升優(yōu)化的靈活性和精準(zhǔn)度,更能滿足先進(jìn)制程對(duì)圖形精度的苛刻需求。因此,在探
    攻克關(guān)鍵技術(shù) 東方晶源ILT技術(shù)劍指先進(jìn)制程
  • 東方晶源PanGen DMC?完成驗(yàn)證 基于快速工藝反饋可提前發(fā)現(xiàn)版圖潛在壞點(diǎn)
    隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的演進(jìn),集成電路制造工藝本身變得越來(lái)越復(fù)雜,設(shè)計(jì)者愈發(fā)難以對(duì)工藝有全面、系統(tǒng)的認(rèn)識(shí),導(dǎo)致新產(chǎn)品在工藝端流片時(shí)需要反復(fù)迭代,經(jīng)歷長(zhǎng)時(shí)間的Yield Ramping,增加了投產(chǎn)的成本,也延長(zhǎng)了產(chǎn)品面市的時(shí)間。據(jù)麥肯錫統(tǒng)計(jì),目前半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)新產(chǎn)品從導(dǎo)入流片到量產(chǎn),大概需要12 ~ 18個(gè)月反復(fù)迭代,進(jìn)行良率提升。 如果設(shè)計(jì)者能提前獲得更多、更全面的工藝信息,則這個(gè)過(guò)程可以大大簡(jiǎn)化和加速,進(jìn)而
    東方晶源PanGen DMC?完成驗(yàn)證 基于快速工藝反饋可提前發(fā)現(xiàn)版圖潛在壞點(diǎn)
  • 強(qiáng)勢(shì)入局芯粒技術(shù)鏈 東方晶源PanSys產(chǎn)品重磅發(fā)布
    隨著芯片制程不斷逼近物理極限,摩爾定律的延續(xù)將更依賴(lài)于系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化和工藝革新?;谙冗M(jìn)封裝技術(shù)的芯粒(Chiplet)系統(tǒng)是除晶體管尺寸微縮之外,獲取高性能芯片的另一個(gè)重要途徑。然而,芯粒系統(tǒng)集成不是一個(gè)簡(jiǎn)單的堆疊過(guò)程,其設(shè)計(jì)面臨巨大的挑戰(zhàn)和困境。由于芯粒間的密集排布導(dǎo)致電磁、散熱、翹曲問(wèn)題突出且互相關(guān)聯(lián),為此必須通過(guò)大規(guī)模、精準(zhǔn)高效的多物理場(chǎng)耦合仿真來(lái)驅(qū)動(dòng)芯粒系統(tǒng)設(shè)計(jì),預(yù)測(cè)并調(diào)控工藝、成本和良率。
    強(qiáng)勢(shì)入局芯粒技術(shù)鏈 東方晶源PanSys產(chǎn)品重磅發(fā)布
  • 東方晶源深耕電子束量測(cè)檢測(cè)核心技術(shù) “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機(jī)”
    電子束量測(cè)檢測(cè)設(shè)備是芯片制造裝備中除光刻機(jī)之外技術(shù)難度最高的設(shè)備類(lèi)別之一,深度參與光刻環(huán)節(jié)、對(duì)制程節(jié)點(diǎn)敏感并且對(duì)最終產(chǎn)線良率起到至關(guān)重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學(xué)系統(tǒng)(Electron?Optical?System,簡(jiǎn)稱(chēng)EOS),決定設(shè)備的成像精度和質(zhì)量, 進(jìn)而決定設(shè)備的性能。 作為電子束量測(cè)檢測(cè)領(lǐng)域的先行者、領(lǐng)跑者,東方晶源始終堅(jiān)持自主研發(fā),不斷深化研發(fā)投入、加速技術(shù)創(chuàng)新步伐,致力于為客
    東方晶源深耕電子束量測(cè)檢測(cè)核心技術(shù) “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機(jī)”
  • 東方晶源YieldBook 3.0 “BUFF疊滿” DMS+YMS+MMS三大系統(tǒng)
    良率是芯片制造中的重要指標(biāo)。如果說(shuō)先進(jìn)制程代表晶圓廠技術(shù)的領(lǐng)先性,那么產(chǎn)品良率就代表著其產(chǎn)品的可靠性和經(jīng)濟(jì)性。在制造成本固定的情況下,良率越高單顆芯片成本越低。晶圓設(shè)計(jì)制造的每一步都影響著芯片的良率,因此芯片良率提升的關(guān)鍵在于對(duì)制造過(guò)程進(jìn)行完整有效地監(jiān)控檢測(cè),同時(shí)結(jié)合制造過(guò)程中的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題和潛在風(fēng)險(xiǎn),并反饋至集成電路制造端和設(shè)計(jì)端,改進(jìn)工藝和設(shè)計(jì)。 針對(duì)行業(yè)這一需求和痛點(diǎn),東方晶源
    東方晶源YieldBook 3.0 “BUFF疊滿” DMS+YMS+MMS三大系統(tǒng)
  • 三大產(chǎn)品線全力升級(jí) 東方晶源引領(lǐng)國(guó)內(nèi)電子束量測(cè)檢測(cè)發(fā)展
    電子束量檢測(cè)是半導(dǎo)體量檢測(cè)領(lǐng)域的主要技術(shù)類(lèi)型之一,在半導(dǎo)體制程不斷微縮,光學(xué)檢測(cè)對(duì)先進(jìn)工藝圖像識(shí)別的靈敏度逐漸減弱的情況下,發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。電子束量檢測(cè)設(shè)備對(duì)于檢測(cè)的精度、可適用性、穩(wěn)定性、吞吐量等要求很高,其研發(fā)和設(shè)計(jì)非常具有技術(shù)挑戰(zhàn)性。 作為布局該領(lǐng)域最早的國(guó)內(nèi)企業(yè)之一,東方晶源已先后成功推出電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備EBI,關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備CD-SEM(12英寸和6&8英寸),電子束
    三大產(chǎn)品線全力升級(jí) 東方晶源引領(lǐng)國(guó)內(nèi)電子束量測(cè)檢測(cè)發(fā)展
  • 東方晶源亮相SEMICON China 2024 以創(chuàng)新引領(lǐng)良率管理發(fā)展與變革
    2024年3月20日至2024年3月22日,半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)SEMICON China 2024在上海新國(guó)際博覽中心舉辦,為業(yè)界呈現(xiàn)一個(gè)全面覆蓋最新技術(shù)熱點(diǎn)的半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)。作為國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域良率管理領(lǐng)軍企業(yè),東方晶源攜產(chǎn)品矩陣亮相大會(huì),向業(yè)界全面展現(xiàn)公司在電子束檢測(cè)量測(cè)、芯片制造EDA工具等領(lǐng)域的新產(chǎn)品、新成果、新突破,彰顯出以持續(xù)創(chuàng)新引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新活力。 為期三天的展會(huì)上,東方晶
    東方晶源亮相SEMICON China 2024 以創(chuàng)新引領(lǐng)良率管理發(fā)展與變革
  • 專(zhuān)訪東方晶源俞宗強(qiáng):獨(dú)樹(shù)一幟的計(jì)算光刻方案
    根據(jù)市場(chǎng)側(cè)統(tǒng)計(jì),2022年計(jì)算光刻市場(chǎng)的規(guī)模約為10億美元左右。當(dāng)前,計(jì)算光刻軟件產(chǎn)品核心供應(yīng)商為ASML、Siemens EDA、Synopsys等國(guó)際廠商,而中國(guó)的計(jì)算光刻產(chǎn)業(yè)還處于初期階段。
    1.1萬(wàn)
    2023/10/30
    專(zhuān)訪東方晶源俞宗強(qiáng):獨(dú)樹(shù)一幟的計(jì)算光刻方案
  • ASML指控東方晶源侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán),將適時(shí)采取法律行動(dòng)
    當(dāng)?shù)貢r(shí)間2022年2月9日,ASML發(fā)布了2021年度報(bào)告。報(bào)告顯示其2021年度營(yíng)收186億歐元,毛利率52.7%,研發(fā)支出25億歐元,凈利潤(rùn)達(dá)59億歐元,各項(xiàng)業(yè)績(jī)指標(biāo)都大幅增長(zhǎng),員工總數(shù)也達(dá)到了3.2萬(wàn)多人。
    380
    2022/02/10

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