ITO薄膜是由氧化銦(In2O3)和錫氧化物(SnO2)組成的透明導電薄膜,具有低電阻、高透明度、抗氧解和抗腐蝕等特性。由于這些特性,ITO薄膜被廣泛應用于各種顯示器、太陽能電池、導電玻璃、觸控屏幕、智能窗戶和 LCD 電視等領域。
1.ITO薄膜的材料特性
ITO薄膜主要由In2O3和SnO2兩種金屬氧化物混合制成。它既具有金屬的導電性質,又具有非金屬的光學透明性質。此外,ITO薄膜還具有以下特性:
- 低電阻率
- 高透光率
- 抗氧解性好
- 抗腐蝕性強
2.ITO薄膜的應用
由于ITO薄膜具有上述材料特性,因此在以下領域得到廣泛應用:
3.ITO薄膜的制備方法
ITO薄膜的制備主要有物理氣相沉積和化學氣相沉積兩種方法。
- 物理氣相沉積:這種方法需要將高純氧化銦和錫單質加熱到1000℃以上,使其蒸發(fā)形成蒸汽。然后將另一塊基底玻璃放在蒸汽上面,在低壓環(huán)境下形成ITO薄膜。
- 化學氣相沉積:這種方法是通過將有機金屬化合物,如異丙醇銦和叔丁醇錫等,加入到惰性氣體中,形成蒸汽氣溶液。然后將基底材料浸泡在蒸汽氣溶液中,在較低溫度下形成ITO薄膜。
閱讀全文