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BICMOS（Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor）工藝是將雙極型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)合在一起，形成混合式集成電路制造工藝。BICMOS工藝既有N-MOSFET、P-MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，又能夠利用高速度、高電流增益因子以及功放電路中所需要的高電流驅(qū)動(dòng)特性等BJT元件的特點(diǎn)。BICMOS芯片可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路、模擬電路和混合信號(hào)電路的功能。
1.Bipolar工藝與BICMOS工藝的區(qū)別
Bipolar工藝制造的芯片只包含了雙極型晶體管，而B(niǎo)ICMOS工藝則同時(shí)包含了雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管。Bipolar工藝制造出來(lái)的芯片具有高電流增益、高可靠性和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，但是也存在低集成度、低器件密度等缺點(diǎn)；而B(niǎo)ICMOS工藝則在保留了雙極型晶體管的這些優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，還能夠使芯片實(shí)現(xiàn)更高的集成度和器件密度，具有更好的可靠性和更低的功耗。
2.BiCMOS工藝與Bipolar工藝的關(guān)系
BiCMOS工藝可以看作是Bipolar工藝和CMOS工藝的綜合體。CMOS技術(shù)是一種基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造工藝，由于其低功耗、抗干擾強(qiáng)、可靠性高等特點(diǎn)，目前已成為主流的數(shù)字電路制造技術(shù)。Bipolar工藝的采用，則具有高速開(kāi)關(guān)、線性增益、高頻寬和強(qiáng)噪聲指標(biāo)等特點(diǎn)。因此，在某些需要同時(shí)具備高速度和大電流放大的混合模擬應(yīng)用中，BiCMOS技術(shù)是一個(gè)很好的選擇。
3.總結(jié)
總而言之，BICMOS工藝是將Bipolar工藝和CMOS工藝兩者之長(zhǎng)匯合的制造工藝。其制造出來(lái)的芯片集成度高、功耗低、尤其在高速和混合信號(hào)應(yīng)用上表現(xiàn)優(yōu)異，因此在現(xiàn)代電子技術(shù)中得到了廣泛的應(yīng)用。
