雪崩擊穿和齊納擊穿區(qū)別 雪崩擊穿和齊納擊穿的特點(diǎn)

雪崩擊穿和齊納擊穿是介電材料中常見的兩種電擊穿方式。其中，雪崩擊穿和齊納擊穿的區(qū)別和特點(diǎn)如下：

1.雪崩擊穿和齊納擊穿區(qū)別

首先，它們發(fā)生的位置不同。雪崩擊穿主要發(fā)生在高電場強(qiáng)度下，而齊納擊穿則發(fā)生在低電場強(qiáng)度下。其次，它們產(chǎn)生的機(jī)理不同。雪崩擊穿是電子與原子碰撞導(dǎo)致空穴和自由電子同時增加而產(chǎn)生設(shè)防的；齊納擊穿則是由于電子被電場加速達(dá)到碰撞離子的離子化能力而發(fā)生。

2.雪崩擊穿的特點(diǎn)

雪崩擊穿的特點(diǎn)是存在擊穿電壓的閾值。在低電壓下，介電材料可以承受相當(dāng)大的電場強(qiáng)度，而不發(fā)生擊穿現(xiàn)象。但一旦電壓達(dá)到擊穿電壓閾值，介電材料就會在極短時間內(nèi)被雪崩電子激發(fā)成導(dǎo)體狀態(tài)，并造成永久性破壞。

3.齊納擊穿的特點(diǎn)

相比之下，齊納擊穿則是沒有固定的擊穿電壓閾值。它的擊穿幾率和電場強(qiáng)度呈指數(shù)關(guān)系，即隨著電場強(qiáng)度的增加，擊穿幾率呈指數(shù)級別上升。因此，在齊納擊穿的情況下，為了避免設(shè)備受損，需要限制電場強(qiáng)度并且采用合適的絕緣措施。