磁阻效應(yīng)是指當(dāng)電流通過具有磁性的物質(zhì)時(shí),因?yàn)榇艌鰧d流子的運(yùn)動軌跡產(chǎn)生影響,從而使電阻發(fā)生變化的現(xiàn)象。在半導(dǎo)體材料中,磁阻效應(yīng)可以分為兩類。
1.長基線磁阻效應(yīng)
長基線磁阻效應(yīng)(Longitudinal Magnetoresistance,LMR)是指材料的電阻隨著磁場的增大而增大或減小而減小的現(xiàn)象。這種效應(yīng)主要由于電子在磁場作用下的受阻和散射所致,其大小和方向均與磁場的強(qiáng)度和方向有關(guān)。
2.巨磁阻效應(yīng)
巨磁阻效應(yīng)(Giant Magnetoresistance,GMR)是指材料的電阻隨著磁場的改變而快速變化的現(xiàn)象。這種效應(yīng)主要發(fā)生在由兩個(gè)或多個(gè)帶狀磁性層和一個(gè)非磁性層交替形成的復(fù)合膜上,其中非磁性層的厚度比磁性層小得多。
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