本文檔的目的是為設(shè)計工程師提供一個全面的“工具包”,以便更好地了解VIPower低壓側(cè)開關(guān)的行為,從而使設(shè)計更容易。
今天的VIPower低壓側(cè)開關(guān)代表了使用意法半導(dǎo)體M0-5 VIPower?技術(shù)開發(fā)的第三代智能電源驅(qū)動器(所謂的OMNIFET III)。
在最新一代的驅(qū)動程序中,前幾代的所有經(jīng)驗和專有技術(shù)都得到了應(yīng)用,以提高魯棒性、增加功能性和提高封裝密度。
與許多其他邏輯IC相比,現(xiàn)代低端驅(qū)動器(LSD)的復(fù)雜性仍然相對較低。然而,對于這種設(shè)備來說,在寬溫度范圍內(nèi)將數(shù)字邏輯功能與由不穩(wěn)定的汽車電池系統(tǒng)提供的模擬電源結(jié)構(gòu)相結(jié)合是非常具有挑戰(zhàn)性的。
今天的OMNIFET III器件符合上述所有標(biāo)準(zhǔn),提供了最佳的價格/性能比。
該產(chǎn)品系列有兩種引腳選項(三針和五針選項)。三引腳選項使該產(chǎn)品成為標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET的完美替代品。五針選項還提供了一個專用電源引腳和一個狀態(tài)引腳來執(zhí)行診斷。