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今日，長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）在2022年閃存峰會（FMS）上正式發(fā)布了基于晶棧?（Xtacking）3.0技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。相比長江存儲上一代產(chǎn)品，X3-9070擁有更高的存儲密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設計，性能提升的同時功耗更低，進一步釋放系統(tǒng)級產(chǎn)品潛能。
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長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070
自2018年問世以來，晶棧?（Xtacking）技術已成為長江存儲助推閃存行業(yè)發(fā)展的關鍵動力之一。存儲陣列和外圍電路的混合鍵合工藝為閃存產(chǎn)品帶來了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產(chǎn)品上市周期。隨著長江存儲晶棧?3.0的推出，新一代X3系列閃存產(chǎn)品將為大數(shù)據(jù)、5G、智能物聯(lián)（AloT）及其他領域的多樣化應用帶來新的機遇。
經(jīng)歷了晶棧?從1.0到3.0的迭代發(fā)展，長江存儲在三維異構集成領域已積累了豐富的經(jīng)驗，并基于晶棧?技術成功打造了多款長江存儲系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態(tài)硬盤，以及用于移動通信和其他嵌入式應用的eMMC、UFS等嵌入式存儲產(chǎn)品，獲得了行業(yè)合作伙伴的廣泛好評。
“長江存儲自研晶棧?3.0架構的問世是其在3D NAND賽道上的重要突破，” Forward Insights 創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong表示，“事實證明，存儲陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術對推動3D NAND 技術發(fā)展和創(chuàng)新至關重要。搭載先進的閃存技術晶棧?3.0平臺，X3-9070是一個關鍵的行業(yè)里程碑。這也預示著，存儲單元和外圍邏輯電路混合鍵合的技術，將有望成為未來的行業(yè)主流?！?/p>
作為一款創(chuàng)新產(chǎn)品，長江存儲X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高質量可靠性，并通過美國電子器件工程聯(lián)合委員會（JEDEC）定義的多項測試標準。
X3-9070具有如下技術特點：
- 性能：X3-9070實現(xiàn)高達2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范；相較于長江存儲上一代產(chǎn)品實現(xiàn)了50%的性能提升；
- 密度：得益于晶棧?3.0的架構創(chuàng)新，X3-9070成為了長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實現(xiàn)1Tb的存儲容量；
- 提升系統(tǒng)級產(chǎn)品體驗：得益于創(chuàng)新的6-plane設計，X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。
長江存儲執(zhí)行副總裁陳軼表示：“X3-9070閃存顆粒是長江存儲近年來在三維閃存領域的匠心之作，它擁有出色的性能表現(xiàn)和極高的存儲密度，能夠快速高效地應用于主流商用場景之中。面對蓬勃發(fā)展的5G、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、人工智能等新技術帶來的全新需求和挑戰(zhàn)，長江存儲將始終以晶棧?為基點，不斷開發(fā)更多高品質閃存產(chǎn)品，協(xié)同上下游存儲合作伙伴，用晶棧?為存儲產(chǎn)業(yè)賦能，踐行‘成為存儲技術的領先者，全球半導體產(chǎn)業(yè)的核心價值貢獻者’的使命和責任?！?/p>
長江存儲致力于成為全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈值得信賴的合作伙伴，持續(xù)拓展創(chuàng)新邊界，推動三維閃存技術向更高、更快、更強發(fā)展。
