華邦攜手英飛凌推出HYPERRAM 3.0為物聯(lián)網(wǎng)應用提供倍速頻寬解決方案

全球半導體存儲解決方案領(lǐng)導廠商華邦電子，攜手世界領(lǐng)先半導體、微電子和物聯(lián)網(wǎng)解決方案供應商英飛凌，于今日共同宣布將繼續(xù)深化合作，采用更高帶寬的HYPERRAM? 3.0擴展現(xiàn)有產(chǎn)品組合。

HYPERRAM 系列產(chǎn)品提供了比傳統(tǒng)pseudo-SRAM 更為先進的替代選擇，適用于電池和空間受限且需要片外RAM的物聯(lián)網(wǎng)應用。HYPERRAM 3.0 在 1.8V 工作電壓下的最高運行頻率為200MHz，與 HYPERRAM 2.0 和 OCTAL xSPI RAM 相同，但數(shù)據(jù)傳輸速率提高至 800MBps，是以往產(chǎn)品的兩倍。新一代 HYPERRAM 配備了具有 22個引腳的擴展IO HyperBus? 接口。

英飛凌高級營銷和應用總監(jiān) Ramesh Chettuvetty表示：“作為領(lǐng)先的內(nèi)存解決方案供應商，英飛凌為下一代物聯(lián)網(wǎng)應用提供了一系列小尺寸、高性能的解決方案。HYPERRAM? 3.0 是 HYPERRAM? 系列的第三代產(chǎn)品，使用全新的 16 位擴展 HyperBus? 接口，支持高達 800MBps 的數(shù)據(jù)傳輸速率。目前，256Mb HYPERRAM? 3.0 已開始送樣。我們很高興能與華邦合作，共同助力這種新型內(nèi)存技術(shù)得到更廣泛的采用。”

華邦表示：“HYPERRAM的三大關(guān)鍵功能是低引腳數(shù)、低功耗和易于控制，可顯著提升物聯(lián)網(wǎng)終端設備的性能。與低功耗DRAM、SDRAM和CRAM/PSRAM相比，HYPERRAM大幅簡化了PCB布局設計，延長了移動設備的電池壽命。此外HYPERRAM的處理器體積更小且具備更少的引腳數(shù)，同時數(shù)據(jù)傳輸速率也得到提高?！?

物聯(lián)網(wǎng)設備需要具備機器對機器通信的功能，但要實現(xiàn)如語音控制或TinyML推理等更多功能，還需搭配更高性能的內(nèi)存。HYPERRAM系列是可穿戴設備等低功耗物聯(lián)網(wǎng)應用的理想之選，同時也適用于汽車儀表盤、信息娛樂和遠程通信系統(tǒng)、工業(yè)機器視覺、HMI顯示器和通信模組等。新一代HYPERRAM 3.0產(chǎn)品可以在相同的命令/地址信號和相似的數(shù)據(jù)總線格式下運行，待機功率相同，且僅需小部分引腳修改，除此之外還具有更高的帶寬。此系列率先推出采用 KGD、WLCSP 封裝的 256Mb 產(chǎn)品，可根據(jù)最終產(chǎn)品類型在元件級、模組級或PCB上集成。

HYPERRAM 技術(shù)
HYPERRAM 是一種高速、低引腳數(shù)、低功耗的pseudo-SRAM，適用于需要擴展內(nèi)存以用于緩存或緩沖的高性能嵌入式系統(tǒng)。低引腳數(shù)架構(gòu)使HYPERRAM更適用于電源和電路板空間受限且需要片外RAM的應用。此項技術(shù)最早由英飛凌（當時的賽普拉斯）于 2015 年推出，現(xiàn)已獲得眾多領(lǐng)先MCU、MPU 和 FPGA 伙伴廠商和客戶的認可與支持，生態(tài)系統(tǒng)逐漸成熟。此外，已有多家公司推出了優(yōu)化的HyperBus?內(nèi)存控制IP。

第三代 HYPERRAM 為物聯(lián)網(wǎng)應用提供更簡潔的設計，同時雙倍提升數(shù)據(jù)傳輸速率