國際巨頭簽訂長約，全球SiC爭奪戰(zhàn)持續(xù)

近日，日本昭和電工宣布與半導(dǎo)體制造商羅姆簽訂長期供應(yīng)合同，根據(jù)協(xié)議，昭和電工將為制造碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的羅姆供應(yīng)SiC外延片。新聞稿指出，此長期合同將進一步加強昭和電工和羅姆之間在提高SiC外延片質(zhì)量方面的技術(shù)合作。

△Source：昭和電工官網(wǎng)截圖

資料顯示，昭和電工的SiC外延片于2009年投放市場，昭和電工預(yù)計，通過簽訂長期合同，其SiC外延片業(yè)務(wù)將在SiC功率器件市場進一步增長。

2025年SiC功率市場規(guī)模達33.9億美元

SiC襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，主要應(yīng)用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。

憑借其高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，近年來，SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場快速發(fā)展并已迎來爆發(fā)期。

據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，全球SiC功率市場規(guī)模至2025年將達33.9億美元，年復(fù)合成長率達38%，其中前三大應(yīng)用占比將分別為新能源車61%、光伏及儲能13%、充電樁9%，新能源車產(chǎn)業(yè)中又以主驅(qū)逆變器、車載充電機（OBC）、直流變壓器（DC-DC）為應(yīng)用大宗。

當(dāng)前，SiC材料主要集中在美國科銳及貳陸、日本羅姆及歐洲意法半導(dǎo)體等廠商手中。

根據(jù)公開信息，國際主要SiC晶片生產(chǎn)企業(yè)已實現(xiàn)6英寸晶片規(guī)?；?yīng)，其中科銳、貳陸在SiC晶片制造產(chǎn)業(yè)中擁有尺寸的代際優(yōu)勢，已成功研制并投資建設(shè)8英寸晶片產(chǎn)線。此外，今年7月27日，意法半導(dǎo)體也宣布，制造出首批8英寸SiC晶圓片。

國際大廠SiC爭奪戰(zhàn)持續(xù)

隨著近年來全球?qū)σ許iC晶片為襯底的器件需求持續(xù)增長，各大國際廠商紛紛通過加強合作和產(chǎn)能擴張計劃開啟SiC爭奪戰(zhàn)。

客戶合作方面，昭和電工除了此次與羅姆簽訂長期供應(yīng)合同外，今年5月，該公司還與英飛凌科簽訂了供應(yīng)契約，供應(yīng)包括磊晶在內(nèi)的各種SiC材料。根據(jù)雙方公布的信息，英飛凌和昭和電工的合同期限為兩年，并可選擇延期。

此外，科銳于今年8月宣布與意法半導(dǎo)體（ST）擴大現(xiàn)有的多年長期SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)新的供應(yīng)協(xié)議，科銳在未來幾年將向意法半導(dǎo)體提供150毫米SiC裸片和外延片。

擴產(chǎn)方面，昭和電工8月23日宣布，將籌措約1100億日元資金，其中約700億日元將用于擴增SiC晶圓、研磨液(CMP Slurry)等半導(dǎo)體材料產(chǎn)能。

羅姆則計劃在今后5年內(nèi)投資600億日元，將使用于EV的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的5倍。

此外，科銳早在2019年就宣布了擴產(chǎn)計劃，計劃投資10億美元擴產(chǎn)30倍，以滿足未來市場需求。最新消息是，科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe已經(jīng)確認，作為10億美元擴大SiC產(chǎn)能計劃的一部分，科銳位于紐約州馬西鎮(zhèn)的SiC晶圓廠有望在2022年初投產(chǎn)，該廠于2019年開始建設(shè)，為“世界上最大”的SiC晶圓廠，將聚焦車規(guī)級產(chǎn)品。