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ADALM2000實驗:發(fā)射極跟隨器(BJT)

2021/09/01
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目標(biāo)

本次實驗的目的是研究簡單的NPN發(fā)射極跟隨器,有時也被稱為共集電極配置。

材料

  • ADALM2000主動學(xué)習(xí)模塊
  • 無焊面包板
  • 一個小信號NPN晶體管(Q1采用2N3904)

說明

面包板連接如圖2所示。任意波形發(fā)生器W1的輸出連接至Q1的基極端子。示波器輸入1+(單端)也連接至W1輸出。集電極端子連接至正極(Vp)電源。發(fā)射極端子連接至2.2 kΩ負(fù)載電阻和示波器輸入2+(單端)。負(fù)載電阻的另一端連接至負(fù)極(Vn)電源。要測量輸入-輸出誤差,可以將2+連接至Q1的基極,2–連接至發(fā)射極,以顯示示波器通道2的差值。

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圖1.發(fā)射極跟隨器

硬件設(shè)置

波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波峰峰值幅度為4 V,偏移為0。示波器通道2的單端輸入(2+)用于測量發(fā)射極的電壓。示波器配置為連接通道1+以顯示AWG發(fā)生器輸出。在測量輸入-輸出誤差時,應(yīng)連接示波器的通道2,以顯示2+和2–之間的差值。

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圖2.發(fā)射極跟隨器面包板電路

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程序步驟

配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。產(chǎn)生的波形如圖3所示。

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圖3.發(fā)射極跟隨器波形

發(fā)射極跟隨器的增量增益(VOUT/VIN)理想值為1,但總是略小于1。增益一般通過以下公式計算:

從公式可以看出,要獲得接近1的增益,我們可以增大RL或減小re。也可以看出,re是IE的函數(shù),IE增大,re會減小。此外,從電路可以看出,IE與RL相關(guān),如果RL增大,IE會減小。在簡單的電阻負(fù)載發(fā)射極跟隨器中,這兩種效應(yīng)相互抵消。所以,要優(yōu)化跟隨器的增益,我們需要找到能在不影響另一方的情況下降低re或增大RL的方法。如果從另一個角度來看跟隨器,因為晶體管VBE本身的DC偏移,在預(yù)期的擺幅內(nèi)輸入和輸出之間的差值應(yīng)是恒定的。受簡單的電阻負(fù)載RL影響,發(fā)射集電流IE會隨著輸出上下擺動而升高和降低。因為VBE是IE的指數(shù)函數(shù),當(dāng)IE的變化系數(shù)為2時,VBE的變化幅度約為18 mV(室溫下)。以+2 V至–2 V的擺幅為例,最小IE = 2 V/2.2 kΩ或0.91 mA,最大IE = 6 V/2.2 kΩ或2.7 mA。VBE的變化幅度為28 mV。根據(jù)這些實驗結(jié)果,我們能從一個方面改善發(fā)射極跟隨器。為了讓放大器晶體管發(fā)射極電流固定不變,現(xiàn)在使用“ADALM2000實驗:BJT電流鏡”中的電流鏡來替代發(fā)射極負(fù)載電阻。電流鏡能在寬電壓范圍內(nèi)獲取較為恒定的電流。晶體管中這種較為恒定的電流會導(dǎo)致VBE相當(dāng)恒定。從另一個角度來看,電流源中極高的輸出電阻可以有效提高RL,但re保持為電流設(shè)定的低值。

改善的發(fā)射極跟隨器

附加材料

  • 一個3.2 kΩ電阻(將1 kΩ和2.2 kΩ電阻串聯(lián))
  • 一個小信號NPN晶體管(Q1采用2N3904)
  • 兩個小信號NPN晶體管(Q2和Q3均采用SSM2212),以實現(xiàn)最佳VBE匹配

說明
面包板連接如圖4和圖5所示。

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圖4.已改善的發(fā)射極跟隨器

硬件設(shè)置

波形發(fā)生器配置為100 Hz三角波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0。示波器通道2的單端輸入(2+)用于測量Q1的發(fā)射極的電壓。示波器配置為連接通道1+以顯示AWG發(fā)生器輸出。在測量輸入-輸出誤差時,應(yīng)連接示波器的通道2,以顯示2+和2–之間的差值。

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圖5.改善的發(fā)射極跟隨器面包板電路

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程序步驟

配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。產(chǎn)生的波形如圖6所示。

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圖6.改善的發(fā)射極跟隨器波形

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圖7.電阻和電流源負(fù)載的輸入-輸出誤差的Excel圖示例

低偏移跟隨器

我們此前討論的跟隨器電路具有內(nèi)置偏移–VBE。接下來使用的電路利用PNP發(fā)射極跟隨器的VBE向上偏移來抵消NPN發(fā)射極跟隨器的VBE向下偏移。

材料

  • 一個6.8 kΩ電阻
  • 一個10 kΩ電阻
  • 一個小信號PNP晶體管(Q1采用2N3906)
  • 三個小信號NPN晶體管(Q2、Q3和Q4采用2N3904或SSM2212)

說明

面包板連接如圖8和圖9所示。函數(shù)發(fā)生器的輸出連接至PNP晶體管Q1的基極端子。Q1的集電極端子連接至二極管NPN Q3,這是電流鏡的輸入。發(fā)射極端子連接至電阻R1和NPN晶體管Q2的基極端子。示波器輸入2+連接至Q2的發(fā)射極和Q4的集電極。Q3和Q4的發(fā)射集連接至負(fù)極(Vn)電源。為了實現(xiàn)最佳晶體管匹配,Q3和Q4使用SSM2212 NPN匹配對。

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圖8.低偏移跟隨器

硬件設(shè)置

波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0。示波器輸入通道2設(shè)置為500 mV/div。

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圖9.低偏移跟隨器面包板電路

程序步驟

配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。產(chǎn)生的波形如圖10所示。

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圖10.低偏移跟隨器波形

在簡單的發(fā)射極跟隨器驅(qū)動容性負(fù)載時,會產(chǎn)生一個問題。由于發(fā)射極電流僅受β乘以基極電流的限制,該倍數(shù)由驅(qū)動基極的信號源提供,因此輸出的上升時間相對較快。下降時間可能慢的多,會受發(fā)射集電阻或電流源限制。

平衡壓擺率跟隨器

材料

  • 兩個2.2 kΩ電阻
  • 一個10 kΩ電阻
  • 一個0.01 μF電容
  • 三個小信號PNP晶體管(Q2、Q3和Q4采用2N3906或SSM2220)
  • 三個小信號NPN晶體管(Q1、Q5和Q6采用2N3904或SSM2212)

說明
圖11所示的電路在負(fù)載電流變化時,使用反饋來調(diào)節(jié)發(fā)射極跟隨器中的電流。拉動負(fù)極輸出的電流可以達(dá)到N(NPN鏡的增益)乘以PNP Q3的電流。為了實現(xiàn)最佳晶體管匹配,Q3和Q4使用SSM2220 PNP匹配對,Q5和Q6使用SSM2212 NPN匹配對(NPN電流鏡增益為1)。添加第二個SSM2212,與Q5并聯(lián)(以提高電流鏡的增益)。

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圖11.平衡壓擺率跟隨器

硬件設(shè)置

波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為4 V,偏移為0。示波器輸入通道2設(shè)置為1 V/div。

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圖12.平衡壓擺率跟隨器面包板電路

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程序步驟

配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。產(chǎn)生的波形如圖13所示。

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圖13.平衡壓擺率跟隨器波形

改善發(fā)射極跟隨器的另一種方法是通過負(fù)反饋來降低有效re。可以通過增加第二個晶體管,通過增大開環(huán)增益來增大負(fù)反饋因子,以此降低re。單個晶體管被一個反饋對取代,后者向第一個晶體管的發(fā)射集提供100%電壓反饋。這個反饋對通常被稱為互補反饋對。R2的值決定著能否實現(xiàn)出色的線性度,這是因為它決定了晶體管Q1的IC,也決定了其集電極的負(fù)載。

互補反饋對發(fā)射極跟隨器

材料

  • 一個2.2 kΩ電阻
  • 一個10 kΩ電阻
  • 一個小信號NPN晶體管(Q1采用2N3904)
  • 一個小信號PNP晶體管(Q2采用2N3906)

說明
面包板連接如圖14和圖15所示。

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圖14.互補反饋對發(fā)射極跟隨器。

硬件設(shè)置
波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為2 V,偏移為0。示波器輸入通道2設(shè)置為1 V/div。

程序步驟
配置示波器以捕獲所測量的兩個信號的多個周期。產(chǎn)生的波形如圖16所示。

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圖16.互補反饋對發(fā)射極跟隨器波形

問題:
您可以給出發(fā)射極跟隨器電路的三個特性嗎?

您可以在學(xué)子專區(qū)博客上找到問題答案。

圖15.互補反饋對發(fā)射極跟隨器面包板電路

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作者:ADI公司  Doug Mercer,顧問研究員; Antoniu Miclaus,系統(tǒng)應(yīng)用工程師

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