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8月2日，普冉半導體（上海）股份有限公司（簡稱“普冉股份”）在上交所科創(chuàng)板正式啟動發(fā)行。可以預見的是，普冉股份今后的發(fā)展之路在資本加持下將越走越寬。
相較于許多企業(yè)而言，普冉股份的成立時間其實并不算長，2016年1月至今，成立僅5年半。讓筆者關注的是，普冉股份為何能夠在這么短的時間內就完成了從初創(chuàng)公司到上市公司的蛻變？
研發(fā)實力澆筑的發(fā)展基石
資料顯示，普冉股份主營業(yè)務包括非易失性存儲器芯片的設計與銷售，產品以NOR Flash和 EEPROM兩類非易失性存儲器芯片為主，可廣泛應用于手機、計算機、網絡通信、家電、工業(yè)控制、汽車電子、可穿戴設備和物聯(lián)網等領域。
據招股書披露，普冉股份在2018年度、2019年度以及2020年的研發(fā)投入分別為1345.79萬元、3114.11萬元和4597.15萬元，研發(fā)投入金額占報告期公司累計營業(yè)收入的比例為7.20%，占比較高。
顯而易見，研發(fā)在普冉股份的成長過程中占據了至關重要的地位。
透過普冉股份的產品升級過程來看，該公司一方面是基于ETOX工藝并結合已有的低功耗技術體系，已啟動大容量NOR Flash 研發(fā)設計，保持了低功耗的產品特性和優(yōu)化的芯片面積，預計于2021年內實現(xiàn)多顆產品量產并在 2022 年完成整條產品線的量產。
不僅如此，普冉股份還是目前市場上少數(shù)能夠利用SONOS工藝平臺完成NOR Flash存儲器芯片的研發(fā)設計的企業(yè)之一。
據了解，普冉股份將電荷俘獲技術的SONOS工藝應用在NOR Flash的研發(fā)設計中，并與晶圓廠聯(lián)合開發(fā)和優(yōu)化55nm NOR Flash工藝制程的NOR Flash芯片，使得該公司的 NOR Flash芯片具備了寬電壓、超低功耗、快速擦除和高性價比等特點以及領先的成本優(yōu)勢。
另一方面，普冉股份還聯(lián)合晶圓廠優(yōu)化130nm工藝制程下的制造工藝，針對存儲單元的結構、擦寫電壓進行了改造和優(yōu)化，有效的縮小了EEPROM芯片面積，在保障可靠性的前提下有效的降低了芯片的單位成本。
得益于該公司 0.13um/1.01um2-shrink 2Kbit EEPROM 在芯片面積、可靠性和單位成本等方面的優(yōu)勢，充分契合手機攝像頭模組對 EEPROM 產品的性能需求，主要應用于手機攝像頭領域的 16Kbit-128Kbit EERPOM 成為了公司 EEPROM 業(yè)務收入的重要支柱，2019 年度和 2020 年度占當期 EEPROM 收入的比例分別為87.84%和 87.70%，表現(xiàn)出較高的市場競爭力。
