【深度】華為入股天域半導(dǎo)體，殺入第三代半導(dǎo)體賽道

華為進入了第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，華為旗下的投資機構(gòu)深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)入股了東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司，后者是我國第一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅 外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè)。

 
華為哈勃入股天域半導(dǎo)體

7月1日，據(jù)啟信寶消息顯示，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“天域半導(dǎo)體”）發(fā)生了工商變更，新增股東華為哈勃。

同時，天域半導(dǎo)體的注冊資本由9027.0527萬元變更為9770.4638萬元。

天域半導(dǎo)體成立于2009年，坐落在中國第三代半導(dǎo)體南方重鎮(zhèn)東莞，是中國首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體SiC外延晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)；

同時，也是中國第一家碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈的企業(yè)獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證(IATF 16949) 。

2010年，天域半導(dǎo)體與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作，共同創(chuàng)建了碳化硅研究所。

擁有數(shù)十項半導(dǎo)體相關(guān)專利，例如一種改變 SiC 芯片翹曲度的拋光裝置等。

目前，天域在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD，月產(chǎn)能5000件。

可提供n-型和p-型 摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFETs、BJTs、MOSFETs，GTOs 和 IGBTs等產(chǎn)品。

天域半導(dǎo)體所研究的碳化硅材料具備突出的性能優(yōu)勢，可有效提高功率器件的功率密度和效率，降低系統(tǒng)成本，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著全方位的帶動。

華為進入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域

華為進入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域是非常重要的信號，目前基于硅材料的功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)接近其物理極限。

因此，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代半導(dǎo)體材料開始受到重視。

值得一提的是，今年以來，華為明顯加快了布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的步伐，截至目前，華為已經(jīng)投資了10多家半導(dǎo)體企業(yè)，過去3年時間內(nèi)，華為已累計投資入股了41家芯片半導(dǎo)體公司。

今年4月成立的深圳哈勃科技投資公司，其目標(biāo)是幫助華為快速打造一條半導(dǎo)體自救生態(tài)鏈，目前這條生態(tài)鏈正有合攏之勢，同時短短兩個月已投資三家科技獨角獸。

深圳哈勃母公司「哈勃科技投資」投資腳步更快，投資版圖中共有 37 家公司，其中涉及半導(dǎo)體相關(guān)的就有 34 家，涉及 IC 設(shè)計、EDA、測試、封裝、材料和設(shè)備等各領(lǐng)域。

從哈勃的投資動作中可以看出，華為正在逐步構(gòu)建芯片領(lǐng)域的自主可控產(chǎn)業(yè)鏈，從而實現(xiàn)自救。

近兩年來，華為哈勃的投資步伐越來越頻繁，而這與華為陷入困境離不開關(guān)系。

除了天域半導(dǎo)體之外，深圳哈勃此前還投資了強一半導(dǎo)體、云英谷等。

而在碳化硅領(lǐng)域的布局上，此前華為旗下的哈勃科技投資也已入股了山東天岳、瀚天天成等碳化硅技術(shù)廠商。

華為海思依舊是堅持的根本

華為旗下的海思半導(dǎo)體部門曾是全球十大半導(dǎo)體公司之一，雖然不具備芯片制造的能力，但是其強大的設(shè)計研發(fā)水準(zhǔn)也為華為提供巨大的幫助。

華為很多項業(yè)務(wù)都需要用上芯片，而這些芯片幾乎都是海思自主研發(fā)的?？墒侨A為海思遭遇變故，芯片無法生產(chǎn)。

而華為對天域半導(dǎo)體的投資，恐怕也是在為將來做準(zhǔn)備。

一方面海思繼續(xù)研發(fā)；另一方面投資第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)，未雨綢繆。

這一些列的投資動作，足以看出華為將建立起具備自主可控的芯片供應(yīng)鏈，為實現(xiàn)自給自足，為避免對國外廠商依賴。

近期有關(guān)華為第一座晶圓廠落子湖北武漢的消息也傳得沸沸揚揚，據(jù)媒體報道，該晶圓廠初期僅用于生產(chǎn)光通信芯片和模塊，計劃2022年開始分階段投產(chǎn)，項目總投資18億元。

在華為此前披露的《華為投資控股有限公司2019年度第一期中期票據(jù)募集說明書》里，就提出了擬建武漢海思工廠項目，總投資為18億元。

其后，武漢市自然資源和規(guī)劃局網(wǎng)站發(fā)布的《華為技術(shù)有限公司華為武漢研發(fā)生產(chǎn)項目（二期）A地塊規(guī)劃設(shè)計方案調(diào)整批前公示》里，顯示這個項目為海思光工廠。

華為的版圖帝國里，海思是極為重要的一極，華為能走多遠(yuǎn)，就取決于海思能做出什么樣的突破。

從華為投資的公司可以看出，華為已在布局光芯片半導(dǎo)體、碳化硅等第三代半導(dǎo)體、芯片涉及的開發(fā)工具、關(guān)鍵零部件供應(yīng)商、核心原材料等。

華為投資的這些企業(yè)均是位于華為供應(yīng)鏈相關(guān)的企業(yè)，且均屬于高新技術(shù)涉及制造類企業(yè)。從此可以看出華為的戰(zhàn)略布局，已為海思進入芯片制造領(lǐng)域做準(zhǔn)備。

華為通過哈勃投資把控供應(yīng)鏈，也再次印證華為進入芯片制造領(lǐng)域的決心。

綜上信息來看，華為正逐步補齊自己的短板，加大在芯片領(lǐng)域投資和布局，加快芯片設(shè)計和芯片制造相關(guān)技術(shù)研發(fā)，其中，海思承擔(dān)了華為未來芯片領(lǐng)域的突破重?fù)?dān)。

華為哈勃投資重心發(fā)生演變

華為未雨綢繆，提前布局戰(zhàn)略需求領(lǐng)域，為海思進入芯片制造領(lǐng)域鋪路。

2019年，哈勃投資了恩瑞浦微電子，該企業(yè)主要涉及模擬芯片領(lǐng)域，研究的是華為在基站建設(shè)中所需要的芯片。

2019年底到2020年上半年，哈勃先后投資了鯤游光電、好達電子等企業(yè)，將投資重點轉(zhuǎn)向材料、光電芯片領(lǐng)域。

2021年，哈勃先后投資了九同方微電子、無錫飛譜電子、立芯軟件，開始在EDA領(lǐng)域布局。目前，哈勃的投資主要集中在設(shè)備領(lǐng)域。

從投資的企業(yè)來看，哈勃投資的都還只是處于發(fā)展前期的企業(yè)，與龍頭企業(yè)還有一定的差距。然而，這些企業(yè)的技術(shù)均為自主研發(fā)，在各自的細(xì)分領(lǐng)域均有一定的成果。

結(jié)尾

華為正化被動為主動，針對芯片產(chǎn)業(yè)的卡脖子問題，為建立自主可控的芯片供應(yīng)鏈體系而積極謀篇布局。

當(dāng)生態(tài)建立起來，當(dāng)國產(chǎn)器件逐漸接入終端產(chǎn)品供應(yīng)鏈，當(dāng)我們的市場越來越大，也給了國內(nèi)企業(yè)提供試錯、改進的機會。

但既然是新賽道，畢竟也有許多未知的可能以及難點，這道路漫長，還需各方努力。

部分資料參考：

商業(yè)經(jīng)濟觀察：《華為押注第三代半導(dǎo)體，投資芯片材料企業(yè)，布局越來越明朗了》

新浪財經(jīng)：《動作頻頻！華為攜手“A股小伙伴”發(fā)力芯片產(chǎn)業(yè)自主可控》