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近日，上交所正式受理了拓荊科技股份有限公司（以下簡稱：拓荊科技）科創(chuàng)板上市申請。
拓荊科技主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機、刻蝕機共同構(gòu)成芯片制造三大主設(shè)備。
拓荊科技是國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商，以前后兩任董事長為核心的五名國家級海外高層次專家組建起一支國際化的技術(shù)團隊，形成了包括等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個產(chǎn)品系列，已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。
拓荊科技產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線，累計發(fā)貨超150套機臺。公司憑借長期技術(shù)研發(fā)和工藝積累，打破國際廠商對國內(nèi)市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。報告期內(nèi)，公司在研產(chǎn)品已發(fā)往某國際領(lǐng)先晶圓廠參與其先進制程工藝研發(fā)。
營收大幅增長，凈利潤持續(xù)虧損
2018年至2021年第一季度，拓荊科技實現(xiàn)營業(yè)收入分別為7,064.40 萬元、 25,125.15 萬元、43,562.77 萬元和 5,774.10 萬元；同期凈利潤分別為-10,322.29萬元、-1,936.64萬元、-1,169.99萬元及-1,058.92萬元，扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為-14,993.05萬元、-6,246.63萬元、-5,711.62萬元和-2,400.90萬元。
拓荊科技表示，報告期內(nèi)尚未實現(xiàn)盈利，主要由于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)含量高，研發(fā)投入大，產(chǎn)品驗證周期長，公司持續(xù)進行了大量的研發(fā)投入。
報告期內(nèi)，拓荊科技研發(fā)費用分別為10,797.31萬元、7,431.87萬元、12,278.18萬元和2,714.86萬元，占各期營業(yè)收入的比例為152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。
拓荊科技指出，2018年度研發(fā)投入占營業(yè)收入比例超過100%系營業(yè)收入較小所致。
截至本招股說明書簽署日，拓荊科技已獲授權(quán)專利 167 項，其中 國內(nèi) 150 項，包含發(fā)明專利 69 項、實用新型專利 80 項、外觀設(shè)計 1 項；其他國 家或地區(qū) 17 項，包含中國臺灣地區(qū)的發(fā)明專利 14 項和美國的發(fā)明專利 3 項；國內(nèi)外和其他地區(qū)發(fā)明專利合計 86 項。
募資10億元，加碼高端半導(dǎo)體設(shè)備
拓荊科技本次募投項目主要是高端半導(dǎo)體設(shè)備擴產(chǎn)項目、先進半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進項目、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目和補充流動資金。
高端半導(dǎo)體設(shè)備擴產(chǎn)項目將在公司現(xiàn)有的半導(dǎo)體薄膜設(shè)備研發(fā)和生產(chǎn)基地基礎(chǔ)上進行二期潔凈廠房建設(shè)、配套設(shè)施及生產(chǎn)自動化管理系統(tǒng)建設(shè)。二期潔凈廠房建設(shè)主要為千級潔凈廠房，設(shè)計規(guī)模為2,600平方米左右。
先進半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進項目研發(fā)內(nèi)容主要包括面向28nm-10nm制程PECVD設(shè)備的多種工藝型號開發(fā)、面向10nm以下制程PECVD設(shè)備的平臺架構(gòu)研發(fā)及UVCure系統(tǒng)設(shè)備研發(fā)。基于公司已研發(fā)的面向28nm-10nm制程的PECVD設(shè)備平臺架構(gòu)，開展主要包括LokⅡ、ADCⅠ、HTACHM、高應(yīng)力SiN及α-Si等不同薄膜材料的新工藝型號開發(fā)，形成先進工藝技術(shù)能力和量產(chǎn)能力；基于公司PECVD設(shè)備技術(shù)積累，開展應(yīng)用于10nm以下技術(shù)節(jié)點的PECVD設(shè)備平臺架構(gòu)研發(fā)，先行完成SiO2、SiN等薄膜材料的工藝型號開發(fā)；基于公司對薄膜沉積設(shè)備及多種薄膜材料工藝研發(fā)積累，開展沉積后輔助以紫外線處理的UVCure系統(tǒng)設(shè)備研發(fā)。通過在集成電路生產(chǎn)廠商進行生產(chǎn)線驗證，實現(xiàn)產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化，進一步提升產(chǎn)品技術(shù)水平和拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，推動公司業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)增長。
ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目擬在上海臨港新片區(qū)購置整體廠房，進行裝修改造，購置研發(fā)設(shè)備及生產(chǎn)設(shè)備，建設(shè)新的研發(fā)及生產(chǎn)環(huán)境，項目實施主體為公司全資子公司拓荊上海。項目建成后，將作為發(fā)行人ALD產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地。項目擬通過開展系列技術(shù)研發(fā)，基于公司現(xiàn)有ALD設(shè)備技術(shù)基礎(chǔ)，開發(fā)面向28nm-10nm制程的ALD設(shè)備平臺架構(gòu)，發(fā)展多種工藝機型，同步開發(fā)不同腔室數(shù)量的機臺型號，滿足邏輯芯片、存儲芯片制造不同的工藝需求，并進行規(guī)模化量產(chǎn)。
關(guān)于未來的發(fā)展戰(zhàn)略，拓荊科技表示，公司自設(shè)立以來，以“建立世界領(lǐng)先的薄膜設(shè)備公司”為使命，專注于半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售領(lǐng)域，通過多年科研攻關(guān)和市場驗證，在PECVD、ALD和SACVD設(shè)備領(lǐng)域推出了多款量產(chǎn)設(shè)備，為下游集成電路制造及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的客戶提供了優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。公司未來將繼續(xù)致力于高端半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)，擴大現(xiàn)有設(shè)備市場占有率，提高公司設(shè)備的技術(shù)先進性，豐富公司設(shè)備種類，拓展技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域，開發(fā)中國臺灣市場。
