瞄準(zhǔn)碳化硅領(lǐng)域，深圳哈勃投資天域半導(dǎo)體

近日，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天域半導(dǎo)體”）工商信息發(fā)生變更，其中，注冊(cè)資本從9027.0589萬元增至9770.4638萬元，同時(shí)新增深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱“深圳哈勃”）為股東。

資料顯示，天域半導(dǎo)體成立于2009年1月7日，是我國(guó)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。目前公司已引進(jìn)3臺(tái)世界一流的SiC-CVD及配套檢測(cè)設(shè)備，生長(zhǎng)技術(shù)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

該公司擁有數(shù)十項(xiàng)半導(dǎo)體相關(guān)專利，如 " 一種改變 SiC 晶片翹曲度的拋光裝置 " 等。

天域半導(dǎo)體官方消息顯示，公司是國(guó)內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅 ( SiC ) 外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，是中國(guó)第一家碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈的企業(yè)獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證 ( IATF 16949 ) 。

2010年，天域半導(dǎo)體與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作，共同創(chuàng)建碳化硅研究所。天域半導(dǎo)體可提供4英寸、6英寸碳化硅外延晶圓，是制作各種單極、雙極型碳化硅功率器件的關(guān)鍵材料。

哈勃投資成立于 2019 年 4 月 23 日。法定代表人為白熠，經(jīng)營(yíng)范圍包含：創(chuàng)業(yè)投資業(yè)務(wù)，由華為投資控股有限公司 100% 控股。

哈勃投資成立之初注冊(cè)資本是 7 億元人民幣，隨著哈勃投資的項(xiàng)目越來越多，華為不斷向哈勃增資。目前哈勃注冊(cè)資本已經(jīng)增加至 30 億元人民幣。

面對(duì)美國(guó)的壓力，華為正在海外招募大批人才。華為尋求聘請(qǐng)慕尼黑的芯片工程師、伊斯坦布爾的軟件開發(fā)人員和加拿大的人工智能研究人員。此外，中國(guó)大陸和海外有數(shù)百位博士生為其效力。

隨著美國(guó)制裁不斷加重，半導(dǎo)體 " 卡脖子 " 的情況愈發(fā)嚴(yán)重，2019 年，華為的全資子公司哈勃投資，不斷在半導(dǎo)體芯片、原材料、設(shè)備等行業(yè) " 落子 "，引發(fā)外界對(duì)華為全面入局半導(dǎo)體行業(yè)的猜想。