第三代半導(dǎo)體發(fā)展利好，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目多點(diǎn)開花

第三代半導(dǎo)體因?yàn)榫邆涓哳l、高效、高功率、耐高溫高壓等特點(diǎn)，契合節(jié)能減排、智能制造等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，目前已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)新的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。

從全球市場(chǎng)范圍來看，目前全球第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)基本被國(guó)外企業(yè)壟斷，如Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日鐵住金、Norstel、羅姆、三菱電機(jī)、Infineon、意法半導(dǎo)體等。

國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈初步形成

近年來，國(guó)家先后印發(fā)了《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019版）》《能源技術(shù)創(chuàng)新“十三五”規(guī)劃》等鼓勵(lì)性和支持性政策，將SiC、GaN和AlN等第三代半導(dǎo)體材料納入重點(diǎn)新材料目錄，推動(dòng)支持SiC等第三代半導(dǎo)體材料的制造及應(yīng)用技術(shù)的突破。

此外，《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》也將“碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展”寫入了“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”部分。

在國(guó)家政策扶持以及新興產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)下，目前，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成。

有數(shù)據(jù)顯示，截至2020年底，全國(guó)已有近30家第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)，如襯底領(lǐng)域的山東天岳、天科合達(dá)、同光晶體、中科鋼研、納維科技、山西爍科晶體等，外延片方面的瀚天天成、天域半導(dǎo)體等；模塊/器件/IDM領(lǐng)域則擁有中電科旗下2所/13所/55所、中車時(shí)代、世紀(jì)金光、泰科天潤(rùn)、芯光潤(rùn)澤、基本半導(dǎo)體、英諾賽科、中科漢韻、海特高新等。

此外，國(guó)內(nèi)不少傳統(tǒng)半導(dǎo)體企業(yè)亦在加速第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局，如華潤(rùn)微、聞泰科技、比亞迪、賽微電子、露笑科技、新潔能等均開始涉足。

第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目進(jìn)展

2021年以來，國(guó)內(nèi)已頻繁簽約上馬多個(gè)相關(guān)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，與此同時(shí)，一大批重大項(xiàng)目也迎來了新的進(jìn)展。

東源高純石英和碳化硅單晶硅一體化硅產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約

6月10日，廣東省河源市東源縣與華潤(rùn)水泥控股有限公司舉行廣東東源高純石英和碳化硅單晶硅一體化硅產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目框架協(xié)議簽約儀式。

東源發(fā)布指出，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資180億元人民幣，一期計(jì)劃投資100億元，二期計(jì)劃投資30億元，三期計(jì)劃投資50億元。全部建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值200億元，預(yù)計(jì)年上繳稅收30億元。項(xiàng)目建成后，將大力推動(dòng)?xùn)|源硅產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，進(jìn)一步壯大千億級(jí)硅基新材料產(chǎn)業(yè)集群。

晶睿電子電子級(jí)晶圓片、外延片制造項(xiàng)目試生產(chǎn)

6月9日，浙江晶睿電子科技有限公司開機(jī)，開始試生產(chǎn)電子級(jí)晶圓片、外延片制造。

晶睿電子公司的電子級(jí)晶圓片、外延片制造項(xiàng)目總投資55億元，其中一期投資5億元，主要進(jìn)行高端電子級(jí)半導(dǎo)體材料（8-12英寸晶圓片）切磨、拋光、外延等材料的研發(fā)、制造，以及第三代化合物半導(dǎo)體外延片的生產(chǎn)，一期投產(chǎn)后年產(chǎn)值9億元。

湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目一期部分廠房完工

據(jù)長(zhǎng)沙高新區(qū)網(wǎng)站6月初報(bào)道，位于長(zhǎng)沙高新區(qū)的湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目一期部分廠房已完工，預(yù)計(jì)6月底首批設(shè)備點(diǎn)亮。該項(xiàng)目總投資160億元，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地。

具體而言，項(xiàng)目將建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

英諾賽科8英寸硅基氮化鎵芯片生產(chǎn)線量產(chǎn)

6月5日，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司“8英寸硅基氮化鎵芯片生產(chǎn)線一期第一階段產(chǎn)能擴(kuò)展建設(shè)項(xiàng)目”簽約儀式，量產(chǎn)啟動(dòng)儀式以及研發(fā)樓奠基儀式。

汾湖發(fā)布指出，英諾賽科一期項(xiàng)目正式開啟大規(guī)模量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2021年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能可達(dá)6000片/月。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。

電科北方集成電路材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目開工

5月31日，總投資50億元的電科北方（山東）半導(dǎo)體科技有限公司集成電路材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目開工。

2019年8月21日，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十二研究所和晨鴻公司在淄博簽訂合作協(xié)議，在淄博打造國(guó)內(nèi)首個(gè)集成電路材料產(chǎn)業(yè)基地，基地建設(shè)瞄準(zhǔn)了行業(yè)最前沿的第三代半導(dǎo)體新材料技術(shù)。

其中，首個(gè)落戶山東晨鴻電氣有限公司集成電路材料產(chǎn)業(yè)基地的，便是第三代半導(dǎo)體的代表性材料——高品級(jí)氮化鋁粉末及復(fù)雜形狀氮化鋁陶瓷精密器件項(xiàng)目。

露笑科技碳化硅項(xiàng)目開始設(shè)備安裝調(diào)試

5月31日，露笑科技在互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司在第三代半導(dǎo)體碳化硅這個(gè)顛覆性材料的技術(shù)方面取得突破，目前設(shè)備已經(jīng)開始安裝調(diào)試。該項(xiàng)目總投資100億元，主要建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）的設(shè)備制造、長(zhǎng)晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。

項(xiàng)目分三期建設(shè)，其中第一期預(yù)計(jì)投資21億元，建成達(dá)產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)24萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產(chǎn)能力；第二期預(yù)計(jì)投資39億元，建成達(dá)產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)10萬片6英寸外延片和年產(chǎn)10萬片8英寸襯底片生產(chǎn)能力；第三期預(yù)計(jì)投資40億元，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)10萬片8英寸外延片和年產(chǎn)15萬片8英寸襯底片生產(chǎn)能力。

值得一提的是，為了更好的聚焦碳化硅業(yè)務(wù)，減少公司在非主營(yíng)業(yè)務(wù)上的資金投入，露笑科技于今年3月發(fā)布公告稱，擬轉(zhuǎn)讓全資子公司浙江露通機(jī)電有限公司的100%股權(quán)。

中科漢韻SiC功率器件項(xiàng)目通線

5月24日，江蘇中科漢韻半導(dǎo)體有限公司舉行SiC功率器件項(xiàng)目通線儀式。

據(jù)悉，中科漢韻是中國(guó)科學(xué)院微電子研究所和徐州中科芯韻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金共同投資的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)（IDM），專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅MOSFET芯片，致力于高質(zhì)量碳化硅功率器件國(guó)產(chǎn)化。

中科漢韻是中科院微電子所碳化硅科技成果產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化的成功典范。項(xiàng)目一期建筑面積2.1萬平方米，建設(shè)年產(chǎn)5000片碳化硅功率器件生產(chǎn)線。該項(xiàng)目的正式通線，標(biāo)志著我國(guó)企業(yè)突破了碳化硅芯片設(shè)計(jì)和工藝制造國(guó)產(chǎn)化中的一系列重大“卡脖子”技術(shù)。

東尼電子擬投建碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目

4月12日，東尼電子發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案公告，擬募集資金5億元投資建設(shè)碳化硅半導(dǎo)體材料等項(xiàng)目。

其中碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目總投資額4.69億元，由東尼電子直接負(fù)責(zé)實(shí)施，項(xiàng)目建設(shè)期36個(gè)月，項(xiàng)目建設(shè)完成后，將年產(chǎn)12萬片碳化硅半導(dǎo)體材料，完全達(dá)產(chǎn)當(dāng)年可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入7.78億元，凈利潤(rùn)9589.63萬元。

目前，該項(xiàng)目已經(jīng)湖州市吳興區(qū)發(fā)展改革和經(jīng)濟(jì)信息化局備案，并取得《浙江省工業(yè)企業(yè)“零土地”技術(shù)改造項(xiàng)目備案通知書》。

賽微電子擬投建硅基氮化鎵產(chǎn)線

4月1日，賽微電子與青州市人民政府簽署了《合作協(xié)議》，擬在青州市建設(shè)6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目。

根據(jù)協(xié)議，該項(xiàng)目總投資10億元，項(xiàng)目一期計(jì)劃2021年底前做好投產(chǎn)前準(zhǔn)備，2022年上半年投入生產(chǎn)，建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5,000片/月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12,000片/月的生產(chǎn)能力，將為全球GaN產(chǎn)品客戶的旺盛需求提供成熟的技術(shù)支持和產(chǎn)能保障。

華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項(xiàng)目預(yù)計(jì)年底投產(chǎn)

據(jù)南譙區(qū)人民政府3月發(fā)布的消息，華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)于今年年底正式投產(chǎn)，主營(yíng)業(yè)務(wù)為研發(fā)、生產(chǎn)、銷售功率半導(dǎo)體芯片。根據(jù)規(guī)劃，該項(xiàng)目項(xiàng)目一期用地100畝，6萬平米的生產(chǎn)廠房預(yù)計(jì)今年5月封頂，年底將正式投產(chǎn)，一期達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年銷售額可達(dá)10億元。

據(jù)悉，該項(xiàng)目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元，于2020年10月正式開工奠基，主要承擔(dān)第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)SiC MOSFET生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成后將形成年產(chǎn)1萬片第三代化合物半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)能力。

斯達(dá)半導(dǎo)體投建SiC芯片/功率半導(dǎo)體模塊等項(xiàng)目

3月2日，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布公告稱，公司擬定增不超35億元，投建SiC芯片和功率半導(dǎo)體模塊等項(xiàng)目。

其中，高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資金額20億元。擬通過新建廠房及倉庫等配套設(shè)施，購置光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備，實(shí)現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。

功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目總投資金額為7億元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)能力。

亮晶新材碳化硅單晶圓芯片項(xiàng)目簽約新疆

2月20日，江蘇連云港亮晶新材料科技有限公司碳化硅單晶圓芯片項(xiàng)目簽約落地新疆昌吉。

據(jù)江蘇連云港亮晶新材料科技有限公司總經(jīng)理鄒立民介紹，公司計(jì)劃在準(zhǔn)東經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)建設(shè)年產(chǎn)8萬片第三代半導(dǎo)體芯片和碳化硅單晶圓芯片項(xiàng)目。

蘇州納維總部大樓奠基

1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“蘇州納維科技”）舉行總部大樓奠基儀式。

據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，該項(xiàng)目位于蘇州納米城，總用地面積14000平方米，總建筑面積約34000平方米，將建設(shè)氮化鎵（GaN）單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。