半導(dǎo)體｜美國(guó)美光提速EUV DRAM開(kāi)發(fā)速度，次世代EUV DRAM競(jìng)爭(zhēng)加劇

CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊，美國(guó)美光科技開(kāi)始提速 EUV DRAM。加入到三星電子、SK 海力士等全球第一、第二 EUV 廠商選擇的 EUV 陣營(yíng)后，后續(xù) EUV 競(jìng)爭(zhēng)或?qū)⒏鼮榧ち摇?/p>

根據(jù)韓媒 etnews 報(bào)道，美光科技通過(guò)多個(gè)網(wǎng)站開(kāi)始招聘 EUV 設(shè)備開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)工程師。美光的公告顯示：招聘負(fù)責(zé)美光 EUV 設(shè)備 Scaner 技術(shù)開(kāi)發(fā)，管理 EUV 系統(tǒng)和與 ASML 的溝通的人才。工作地點(diǎn)為美光總部美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州(Idaho)的博伊西(Boise)。

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美光是繼三星電子和 SK 海力士之后，以 20%的全球市占率排第三的 DRAM 廠商。本月初時(shí)美光中國(guó)臺(tái)灣 DRAM 工廠還因停電一小時(shí)導(dǎo)致工廠停產(chǎn)。截止到 3 季度時(shí)較好業(yè)績(jī)備受業(yè)界矚目。且在 Nand Flash 領(lǐng)域，也率先發(fā)布了全球首款 176 層產(chǎn)品。

公司與其他 DRAM 廠商一樣，投產(chǎn) 10 納米級(jí) 3 代（1z）產(chǎn)品作為新品。計(jì)劃明年上半年量產(chǎn) 4 代（1a）DRAM。

但與三星電子、SK 海力士不同，并無(wú)計(jì)劃在 1a DRAM 產(chǎn)品上使用 EUV 技術(shù)。

最近 EUV 制程備受被稱之為 IT 設(shè)備大腦的集成芯片領(lǐng)域的青睞，短期內(nèi)有望滲透至 DRAM 其他層。但相比 ArF 制程，技術(shù)難度仍高、且設(shè)備運(yùn)營(yíng)費(fèi)用也相對(duì)更高。

而根據(jù)美光公開(kāi)的資訊顯示，考慮到費(fèi)用和成本、技術(shù)限制等原因，次次時(shí)代 DRAM ‘1-β’產(chǎn)品前并無(wú)計(jì)劃采用 EUV 制程。

美光副總裁 Scott DeBoer 表示過(guò)：會(huì)分析多方面因素后，從 1-δ （10 納米 7 代）產(chǎn)品開(kāi)始導(dǎo)入 EUV 制程。

本次的招聘公告顯示出公司將通過(guò)招聘精通于 EUV 技術(shù)的專家累計(jì)技術(shù)，以確保在最佳時(shí)機(jī)導(dǎo)入 EUV 制程的戰(zhàn)略。?未來(lái)美光正式跨入 EUV DRAM 量產(chǎn)市場(chǎng)后，Memory 市場(chǎng)中 3 家競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈。

在 DRAM 市場(chǎng)占比 40%，排名第一的三星已經(jīng)通過(guò) 1z 產(chǎn)品上導(dǎo)入 EUV 技術(shù)宣示技術(shù)領(lǐng)先差距，且計(jì)劃在明年上市的 1a 產(chǎn)品 EUV 制程比重也是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。

而 SK 海力士也正忙于明年導(dǎo)入 1a DRAM 的 EUV 制程。SK 海力士計(jì)劃明年在京畿道黎川新 DRAM 工廠 M16 中搬入新 EUV 系統(tǒng)，為 EUV 技術(shù)量產(chǎn)而努力。