RFID基本選型設計及電路框架

RFID 作為一項專業(yè)度較高的技術(shù)，在一些公司，可能還會專門招聘專業(yè)的 RFID 工程師。本篇闡述的涉及到的只是基本選型設計、電路框架，關(guān)于 RFID 天線調(diào)試、低功耗檢卡調(diào)試等，后續(xù)再其他篇章會繼續(xù)更新！

NFC(Near Field Communication)芯片選型：

主要考量點：

芯片支持的協(xié)議、是否支持低功耗檢卡、是否能過金融認證、芯片價格

芯片支持協(xié)議：

ISO14443A/B、ISO15693、 ISO18092 和 ISO21481 等

ISO14443A 卡：Mifare 系列、 Ultralight 系列、 Plus 系列、 CPU 卡系列等。

ISO14443B 卡：身份證、 SR176、 SRI512 等。

ISO15693：NXP 的 ICODE 系列、 TI 的 Tag_it HF-I、 ST LRI 等。

ISO18092：包括讀卡模式、卡模式、點對點通信模式。

ISO21481：在 ISO18092 基礎(chǔ)上兼容 ISO15693 協(xié)議。

LPCD 功能：芯片低功耗檢測卡片功能。沒有卡片靠近時，芯片處于低功耗狀態(tài)， 僅需 10uA 電流，就能完成卡片偵測， 當卡片靠近時，芯片偵測到卡片，喚醒單片機讀卡。

金融認證：PBOC2.0/3.0 標準、 EMV 標準

電路架構(gòu)：

NFC 芯片外部電路通常由以下幾個部分組成：供電電路、通信接口電路、天線電路、振蕩電路；

供電電路：主要包括模擬電源 AVDD、數(shù)字電源 DVDD、發(fā)射器電源 TVDD、引腳電源 PVDD、測試引腳電源 PVDD2；

a. 如果需要提高發(fā)射功率可提高 TVDD 的電壓，例如 5V 供電的 TVDD 形成的發(fā)射功率會比 3V 的要強；

b. 芯片的供電電流通常在幾十到幾百 mA，主要的能量消耗在發(fā)射器的電路上。例如 FM175xx 的天線發(fā)射電流在 100mA，RC663 則可以達 250mA，因此選擇供電芯片、電感器件時，需要注意留足余量；

c. 讀卡芯片天線 13.56MHz 的正弦波信號會干擾電源，為減少傳導干擾，可以在電源端加π型濾波器，但為減少電路設計冗余度，一般情況下不添加。

通信接口：

通常都支持 SPI/I2C/UART，一般通過外部引腳配置選擇，為方便升級，可做兼容設計；

天線設計：

天線電路主要由 4 部分組成：EMC 濾波、匹配電路、天線、接收電路。以 FM17550 為例，如下：

濾波電路：

由 L1、C1 組成的低通濾波器用于濾除 13.56MHz 的衍生諧波，該濾波器截止頻率應設計在 14MHz 以上。L1 電感不可靠近擺放，以免互相干擾(互感效應)。濾波電路元件匹配公式：f=1/(2π√LC)

匹配電路：

用于調(diào)節(jié)發(fā)射負載和諧振頻率。射頻電路功率受芯片內(nèi)阻和外阻抗影響，當芯片內(nèi)阻和外阻抗一致時，發(fā)射功率效率最高。C2 是負載電容，天線感量越大，C2 取值越小。C3 是諧振電容，取值和天線電感量直接相關(guān)，使得諧振頻率在 13.56MHz。

接收電路：

C4 濾除直流信號，R2 和 R3 組成分壓電路，使得 RX 接收端正弦波信號幅度在 1.5-3V 之間。

天線：

由 R1 電阻(通常是 1ohm 或 0ohm)和印制 PCB 組成。

天線越大，讀卡距離越遠，當天線面積達到 5cm x 5cm 以后，再增大天線，讀卡距離沒有明顯提升。

天線線寬建議選擇 0.5mm - 1mm。天線大于 5cm x 5cm 不能多于 3 圈，小于 3cm x 3cm 不能小于 4 圈

為減小 EMC 輻射干擾，需要將 PCB 走線轉(zhuǎn)角處畫成圓弧。

天線區(qū)域內(nèi)和天線邊緣禁止將信號、電源、地線畫成圈或者半圓，天線圈內(nèi)不可有大面積金屬物體、金屬鍍膜，避免引起磁場渦流效應造成能力嚴重損耗。

天線 PCB 繞線方式是相對的，不是同向。

天線電路設計元件的精度應控制在 2%以內(nèi)，否則容易導致天線諧振頻點偏差，導致讀卡性能嚴重下降，產(chǎn)品一致性難以保證

天線大小和讀卡距離關(guān)系