虛虛實實第三代半導(dǎo)體，一文看透幾家上市公司概念

對于第三代半導(dǎo)體概念上市公司，虛虛實實，就像董秘的標準話術(shù)，不斷勾引你的欲望卻又滴水不漏。對于二級市場投資者，僅僅知道公司跟第三代半導(dǎo)體沾邊是不夠的，更應(yīng)該了解公司涉及的是哪種半導(dǎo)體材料，處在產(chǎn)業(yè)鏈的哪個環(huán)節(jié)，采用什么樣的生產(chǎn)模式，應(yīng)用于哪些個行業(yè)……

引爆第三代半導(dǎo)體概念的小米充電頭，其產(chǎn)生的意義已經(jīng)遠遠大于充電頭本身。

小米不是第一家推出氮化鎵（GaN）功率芯片的快充頭公司，但卻是影響最大的一個，其意義體現(xiàn)在更廣泛的層面上，將以往高不可攀的第三代半導(dǎo)體，真真實實的擺在了普通消費者面前。

關(guān)于二級市場對于第三代半導(dǎo)體概念的反應(yīng)，可以用瘋狂兩個字形容。在過去的一周中，涉及到三代半導(dǎo)體概念的上市公司，基本上處于漲停和漲停路上兩種狀態(tài)。從投資機構(gòu)到普通股民，都在到處打聽所謂的“第三代半導(dǎo)體”是什么東西。

而上市公司對于第三代半導(dǎo)體的布局，也虛虛實實，參與程度不同，參與的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)不同，應(yīng)用領(lǐng)域也不盡相同。

半導(dǎo)體集成電路，向來是一個產(chǎn)業(yè)鏈長且繁雜的行業(yè)，作為第三代半導(dǎo)體，更不例外。僅涉及到的基礎(chǔ)半導(dǎo)體材料就有多種，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、氮化鋁（AlN）、金剛石等，而且產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)包括設(shè)備、襯底、外延片、晶圓制造、器件封裝、應(yīng)用等。

因此，僅僅知道上市公司跟第三代半導(dǎo)體沾邊是不夠的，更應(yīng)該了解公司涉及的是哪種半導(dǎo)體材料，處在產(chǎn)業(yè)鏈的哪個環(huán)節(jié)，采用什么樣的生產(chǎn)模式，應(yīng)用于哪個行業(yè)……

露笑科技(股票代碼：002617)
概念：碳化硅（SiC）

領(lǐng)域：半導(dǎo)體設(shè)備（碳化硅長晶爐），碳化硅晶體材料

階段：早期（設(shè)備）+概念（碳化硅晶體）

露笑科技是這次節(jié)奏踩得穩(wěn)準狠，2 月 13 日小米發(fā)布會之后，二級市場掀起一波第三代半導(dǎo)體的炒作熱潮，露笑科技就緊隨其后，在一個星期之內(nèi)發(fā)布了關(guān)于籌劃非公開發(fā)行股票的提示性公告，定增募集資金主要用于碳化硅（SiC）晶體材料和制備項目，初步擬定產(chǎn)品為 4-6 英寸半絕緣片以及 4H 晶體 N 型導(dǎo)電碳化硅襯底片。

碳化硅晶體屬于高科技行業(yè)，基本被國外企業(yè)壟斷，此次露笑科技進軍碳化硅材料，也不是隨便蹭熱點，是在公司原有藍寶石長晶爐的基礎(chǔ)上進行的設(shè)備升級，研發(fā)出了碳化硅長晶爐。

關(guān)于公司的碳化硅長晶爐，早在 2019 年 8 月 5 日公司就曾公告，子公司內(nèi)蒙古露笑藍寶石將為國宏中宇提供 80 套碳化硅長晶爐成套設(shè)備，合同總金額約 1.26 億元。

總結(jié)：露笑科技的第三代半導(dǎo)體是聚焦于科技含量更高的碳化硅（SiC）領(lǐng)域，并且公司有自研的碳化硅長晶爐，而且已經(jīng)向合作伙伴供貨了。至于碳化硅材料領(lǐng)域，公司尚未開展，只是在籌劃定增，項目主要產(chǎn)品是碳化硅襯底，也是屬于科技含量較高的領(lǐng)域。

海特高新(股票代碼：002023)
概念：氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）

領(lǐng)域：芯片和器件、Foundry 代工

階段：早期

海特高新是受此次氮化鎵（GaN）概念影響最大的標的之一，屬于二級市場發(fā)掘出來的新秀，一周內(nèi)大部分交易日都處于漲停狀態(tài)。

海特高新的第三代半導(dǎo)體概念聚焦在其下屬子公司海威華芯。

海威華芯是國內(nèi)率先提供 6 英寸砷化鎵集成電路（GaAs MMIC）的純晶圓代工（Foundry）服務(wù)的制造企業(yè)，已建成 6 英寸化合物半導(dǎo)體商用生產(chǎn)線，支持技術(shù)既包括第二代半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），也包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）。

可提供的代工產(chǎn)品方向包括功率放大器、混頻器、低噪音放大器、開關(guān)、光電探測器、激光器、電力電子等。技術(shù)方向主要有兩個，一個是碳化硅基氮化鎵，用于基站和科裝；另一個是硅基氮化鎵，用于硅基 MOSFET。

總結(jié)：海特高新旗下的海威華芯，是化合物半導(dǎo)體的代工廠，能夠提供二代、三代半導(dǎo)體材料的代工業(yè)務(wù)，砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）。需要特別提醒的是，在海威華芯的官方網(wǎng)站上，關(guān)于公司技術(shù)路線和工藝路線，只有二代半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）的介紹。

三安光電(股票代碼：600703)
概念：氮化鎵（GaN）

領(lǐng)域：材料、器件、IDM

階段：早期

三安光電的主營業(yè)務(wù)是 LED，因此，由藍寶石切入到第三代半導(dǎo)體也順理成章，但需要注意的是，三安光電的很多方向和領(lǐng)域都是跟光電有關(guān)，比如 LED 顯示、殺菌、激光等。

子公司三安集成具備襯底材料、外延生長、以及芯片制造的產(chǎn)業(yè)整合能力，擁有 30 萬片 / 年砷化鎵（GaAs）和 6 萬片 / 年氮化鎵(GaN) 外延片生產(chǎn)線。根據(jù)最新消息，三安集成的氮化鎵（GaN）外延片的產(chǎn)能約 2000 片每月，而且處于上升狀態(tài)。

在器件產(chǎn)品方面，已小批量生產(chǎn)砷化鎵、氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品，并陸續(xù)投用市場。涉及到具體產(chǎn)品，華為自研的 PA 芯片開始釋單給三安集成，并計劃于第一季度小量產(chǎn)出，第二季開始大量產(chǎn)出。

而且公司還有另外一個概念，即基于氮化鎵的 UVC LED 芯片，可用于消菌殺毒，自肺炎疫情以來，三安光電已接收到多家客戶和政府對于 UVC LED 產(chǎn)品的急增需求，公司 UVC 芯片已處滿產(chǎn)狀態(tài)。

關(guān)于三安光電，還需要關(guān)注最近一期的定增，主要投向半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目（一期），涵蓋氮化鎵業(yè)務(wù)板塊、砷化鎵業(yè)務(wù)板塊、特種封裝業(yè)務(wù)板塊。建成包括高端氮化鎵 LED 襯底、外延、芯片；高 端砷化鎵 LED 外延、芯片；大功率氮化鎵激光器；特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用四個產(chǎn)品方向的研發(fā)、生產(chǎn)基地。

總結(jié)：三安的產(chǎn)品主要涉及藍寶石基氮化鎵、硅基氮化鎵，應(yīng)用領(lǐng)域包括光電器件和功率器件。定增方案里寫的比較實在，少了很多花里胡哨，包括氮化鎵 LED 顯示芯片、UV 芯片、藍寶石襯底、大功率激光器芯片等等，感興趣的可以去看一下增發(fā)方案。

耐威科技(股票代碼：300456)
概念：氮化鎵（GaN）

領(lǐng)域：材料、器件、IDM

階段：早期（外延片）+概念（器件）

耐威科技在 2019 年 9 月曾發(fā)布公告，公司控股子公司青島聚能晶源投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項目（一期）已達到投產(chǎn)條件，于 2019 年 9 月 10 日正式投產(chǎn)，產(chǎn)線生產(chǎn) 6-8 英寸硅基氮化鎵（GaNon-Si）外延片，年產(chǎn) 1 萬片。

同時，耐威科技在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司，專注 GaN 功率與微波器件的開發(fā)設(shè)計，預(yù)計將于 2020 年實現(xiàn)量產(chǎn)出貨，均面向 5G 通訊、云計算、快充電源、無線充電等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈中下游客戶。

總結(jié)：耐威科技的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線全部放在青島，主要聚焦在硅基氮化鎵（GaNon-Si）外延片，未來還將基于氮化鎵外延片的與功率器件的協(xié)同，進行 GaN 功率與微波器件的開發(fā)。

海陸重工(股票代碼：002255)
概念：氮化鎵（GaN）

領(lǐng)域：器件

階段：概念

海陸重工關(guān)于第三代半導(dǎo)體的概念，是來自于其參股子公司江蘇能華微電子。

但是海陸重工在江蘇能華微電子中的持股比例是多少呢？根據(jù)最新的工商數(shù)據(jù)顯示，已經(jīng)不足 10%。

江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是一家專業(yè)設(shè)計、研發(fā)，生產(chǎn)、制造和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。

總結(jié)：第三代半導(dǎo)體對于海陸重工來說，概念大于其實質(zhì)。

揚杰科技(股票代碼：300373)
概念：碳化硅（SiC）

領(lǐng)域：功率器件

階段：早期

揚杰科技自 2015 年開始探索第三代半導(dǎo)體方向，2015 年 3 月，揚杰科技與西安電子科技大學(xué)簽約開展第三代半導(dǎo)體材料與器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用研究工作；2015 年 4 月，揚杰科技通過增資和股權(quán)轉(zhuǎn)讓方式取得國宇電子 38.87%股權(quán)，與中國電子科技集團公司第五十五研究所在碳化硅芯片和模塊產(chǎn)品方面建立緊密合作關(guān)系。2015 年 7 月，揚杰科技募資 1.5 億元用于碳化硅芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目。

目前，公司通過與電動汽車、充電樁及光伏逆變器等領(lǐng)域客戶的密切聯(lián)系，不斷優(yōu)化碳化硅功率器件的產(chǎn)品參數(shù)與工藝技術(shù)，目前可批量供應(yīng) 650V、1200V 碳化硅 JBS 器件，積極研發(fā)碳化硅 MOSFET 器件；同時，持續(xù)增強碳化硅領(lǐng)域的專利布局，加大碳化硅芯片工藝相關(guān)的自主知識產(chǎn)權(quán)儲備。

總結(jié)：揚杰科技主要聚焦在碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域，JBS、MOSFET 和 IGBT 等，應(yīng)用行業(yè)包括電動汽車、充電樁及光伏逆變器等。