SK 海力士不再落隊，已開發(fā)出第三代 1Z 納米 DDR4 動態(tài)隨機存儲器

與非網(wǎng) 10 月 22 日訊，在美光、三星先后搞定 1Znm 工藝的 16Gb DDR4 DRAM 內(nèi)存芯片后，SK 海力士也終于跟上隊伍了。

昨日，SK 海力士宣布開發(fā)適用第三代 1Z 納米 DDR4 動態(tài)隨機存儲器（DRAM）。SK 海力士稱，這款芯片實現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的 16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量也是現(xiàn)存的 DRAM 內(nèi)最大。

與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。

該款 1Z 納米 DRAM 還穩(wěn)定支持最高 3200Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，這是 DDR4 規(guī)格內(nèi)最高速度。功耗也顯著提高，與基于第二代 8Gb 產(chǎn)品的相同容量模組相比，將功耗降低了約 40％。

特別是，第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來沒使用過的新材料，將 DRAM 操作的關(guān)鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進了新的設(shè)計技術(shù)，提高了動作穩(wěn)定性。

據(jù)悉，SK 海力士第三代 10 納米級 DDR4 DRAM 計劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開始正式供應(yīng)。

接下來，SK 海力士計劃將第三代 10 納米級微細(xì)工程技術(shù)擴展到多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括下一代移動 DRAM LPDDR5 和最高端 DRAM HBM3 等。

最后，SK hynix 計劃將 1Znm 工藝擴展到各種應(yīng)用，如下一代 LPDDR5 移動 DRAM、以及更快的 HBM3 顯存上。