ESOL 研發(fā)新能 EUV 光刻，韓國(guó)有望擺脫對(duì)日依賴？

與非網(wǎng) 9 月 17 日訊，今年 8 月 8 日，日本解禁一批對(duì)韓出口半導(dǎo)體材料，其中包括對(duì) 7nm 先進(jìn)制程至關(guān)重要的 EUV 光刻膠。韓國(guó)的半導(dǎo)體遭受到了重?fù)簦驗(yàn)轫n國(guó)半導(dǎo)體材料有 80%左右是從日本進(jìn)口的，而像三星、SK 海力士據(jù)說庫存只有堅(jiān)持 2、3 個(gè)月。

韓國(guó)的生態(tài)系統(tǒng)不足以支持 EUV 光刻工藝。主要從日本引進(jìn)的 EUV 光刻膠于 7 月被日本政府宣布監(jiān)管，使韓國(guó)企業(yè)受到了直接打擊。盡管三星電子和 SK 海力士生產(chǎn)自己的 EUV 光罩，但他們目前對(duì)外國(guó)公司提供的必要設(shè)備和材料依賴度很高。例如，EUV 光刻系統(tǒng)僅由荷蘭的 ASML 提供。

 
在這樣的背景下，ESOL 公司首席執(zhí)行官 KimByung-guk 表示，該公司打算挑戰(zhàn) EUV 光刻市場(chǎng)中的外國(guó)公司。ESOL 是 Euv SOLution 的縮寫，是一家名為 FST 的半導(dǎo)體薄膜公司的子公司。就像公司名稱一樣，ESOL 開發(fā)了 EUV 光刻工藝所需的各種解決方案和系統(tǒng)。

 
ESOL 最近一直致力于一種獨(dú)特系統(tǒng)的研發(fā)。該系統(tǒng)可以低成本加快 EUV 光刻膠的顯影速度。EUV 光刻膠是在 EUV 光刻工藝發(fā)生之前需要施加到晶片的材料，目前，韓國(guó)公司都不能實(shí)施這一過程。

 
中小型半導(dǎo)體材料制造商尤其沒有足夠的資金來引入 EUV 光刻系統(tǒng)，該系統(tǒng)要耗資超過 1.27 億美元（1500 億韓元）來測(cè)試他們的材料。他們也很難與需要先使用先進(jìn)技術(shù)的大公司合作。

目前正在開發(fā)的“EMiLE”系統(tǒng)不會(huì)像當(dāng)前的 EUV 光刻系統(tǒng)那樣在 EUV 掩模上印刷的電路上減少并執(zhí)行光刻工藝。相反，它通過 EUV 光應(yīng)用“干涉現(xiàn)象”并評(píng)估光刻膠的性能。

該系統(tǒng)移除了反射 EUV 輻射的 11 個(gè)反射鏡和附著在 EUV 光刻系統(tǒng)上的光掩模，并在晶圓和 EUV 光源之間放置金屬部件。

 
金屬部件有兩個(gè)方孔，這些孔有規(guī)律地向左和向右間隔開。這些方孔具有均勻且精細(xì)排列的 32nm 金屬線。這被稱為“光柵”，會(huì)引起光衍射。

 
當(dāng) EUV 光源穿過兩個(gè)孔并進(jìn)入光柵時(shí)，光在許多方向上衍射和彎曲。穿過這些孔的光開始相互干擾。在干涉期間，存在光強(qiáng)度變強(qiáng)的部分，并且還存在強(qiáng)度變?nèi)醯牟糠?。光?qiáng)度變強(qiáng)的部分接觸 EUV 光刻膠并形成由 16nm 垂直線組成的圖案。

 
該系統(tǒng)應(yīng)用光刻工藝的特征，其利用光印刷 pattern 并檢查光刻膠 pattern 形成的性能。

 
ESOL 還完成了關(guān)于系統(tǒng)的必要模式的申請(qǐng)。ESOL 副總裁 Lee Dong-geun 相信公司現(xiàn)在可以測(cè)試 EUV 光刻膠而無需購買昂貴的 EUV 光刻系統(tǒng)。

 
“EMiLE 系統(tǒng)的成本約為目前 EUV 光刻系統(tǒng)成本的 10％。”副總裁李說。“韓國(guó)公司現(xiàn)在可以大大增加測(cè)試 EUV 光刻膠性能的機(jī)會(huì)，并在短時(shí)間內(nèi)加速 EUV 光刻膠的開發(fā)。”

 
ESOL 幾乎完成了開發(fā)使用“波帶片透鏡（zone plate lens）”的 EUV 掩模檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以相對(duì)低的成本檢查 EUV 掩模是否有缺陷。

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