美光第三代 10nm 制程已量產(chǎn)，首批器件功耗降低 40%

與非網(wǎng) 8 月 19 日訊，美光宣布 1z nm 制程存儲(chǔ)芯片量開始產(chǎn)，器件功耗降低 40%。

前兩天，美光公司宣布該公司以開始量產(chǎn)基于第三代 10nm 制程（又稱 1z nm）制程的存儲(chǔ)芯片，首批到來的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。隨著時(shí)間的推移，該公司還將進(jìn)一步擴(kuò)大其產(chǎn)品組合。與第二代 10nm 工藝相比， 新工藝使得美光能夠提升 DRAM 芯片密度，在增強(qiáng)性能的同時(shí)、降低產(chǎn)品的功耗。

在內(nèi)存工藝進(jìn)入 20nm 之后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片公司對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了 1X、1Y、1Z，大體來說 1Xnm 工藝相當(dāng)于 16-19nm 級(jí)別、1Ynm 相當(dāng)于 14-16nm，1Znm 工藝相當(dāng)于 12-14nm 級(jí)別。

根據(jù)美光之前公布的路線圖，實(shí)際上 1Znm 之后還會(huì)有 1αnm、1βnm、1γnm，這樣一來 10nm 級(jí)別就有六種制造工藝了，現(xiàn)在正好演進(jìn)到到了第三代。
美光表示，與上一代 1Ynm 制程相比，1Znm 16Gb DDR4 內(nèi)存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不過美光并沒有給出具體的數(shù)據(jù)，性能提升多少、成本降低多少尚無確切數(shù)據(jù)，唯一比較確切的就是說 1Znm 16Gb DDR4 內(nèi)存相比前幾代 8Gb DDR4 降低了大約 40%的功耗，但這個(gè)比較也太過寬泛。
此外，美光還宣布批量出貨基于 UFS 多芯片封裝 uMCP 的、業(yè)界容量最高的 16Gb LPDDR4X 內(nèi)存，滿足了業(yè)界對(duì)低功耗及更小封裝的的要求。

 
值得一提的是，第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗，較同頻的兩個(gè) 8Gb DDR4 DRAM 還要低 40% 。 

至于 16 Gb LPDDR4X IC，美光稱其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工藝較第二代 1Y nm 的比特密度更高，該公司可產(chǎn)出性價(jià)比更高的存儲(chǔ)芯片。 

鑒于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分檔，我們只能預(yù)計(jì)其符合 JEDEC 的官方指定范圍內(nèi)。 

預(yù)計(jì)首批 16 Gb DDR4 DRAM 產(chǎn)品將用于臺(tái)式機(jī)、筆記本、工作站上的高容量（32GB 或更高）內(nèi)存模組。 

移動(dòng)存儲(chǔ)器方面，美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的傳輸速率可達(dá) 4266 MT/s 。 

除了為高端智能機(jī)提供高達(dá) 16 GB（8x16Gb）的 LPDDR4X DRAM 封裝，美光還將提供基于 UFS 的多芯片封裝（uMCP4），將 NAND 用于存儲(chǔ)和 DRAM 。 

該公司針對(duì)主流手機(jī)的 uMCP4 系列產(chǎn)品，將包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等產(chǎn)品。 

最后，美光沒有透露其生產(chǎn) 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工廠。不出意外的話，應(yīng)該會(huì)在日本廣島工廠內(nèi)生產(chǎn)。 

與此同時(shí)，分析師猜測(cè)該公司會(huì)在臺(tái)中附近的 Micron Memory Taiwan（前 Rexchip Semiconductor）晶圓廠啟用 1Z nm 制程生產(chǎn)線。 

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