莫大康：若7nm EUV禁運(yùn)，中國半導(dǎo)體怎么辦？

近日見到一文“7nm 大戰(zhàn)在即買不到 EUV 光刻機(jī)的大陸廠商怎么辦？”。

受“瓦圣納條約“的限止，今天中國即便有錢想買 EUV 光刻機(jī)也不可能，此話是事實(shí)，不是危言聳聽。但是也不必?fù)?dān)心，因?yàn)橹挥泄に囍瞥踢_(dá)到 7 納米及以下時(shí)才會(huì)使用 EUV 光刻機(jī)。

對(duì)于這樣的現(xiàn)狀，首先心態(tài)要放正確。西方繼續(xù)壓制中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步，這個(gè)政策在相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)還會(huì)持續(xù)下去。然而時(shí)代在改變，雙方都有一定的依賴性，因此是一場(chǎng)力量的搏奕。如果自身缺乏足夠強(qiáng)大的力量，那就會(huì)喪失爭(zhēng)辯的余地。

01. 芯片設(shè)計(jì)業(yè)走在前列

現(xiàn)階段中國的 IC 設(shè)計(jì)業(yè)肯定走在前列，如海思的 Kirin 970，它將是華為第一款采用 10 納米制程技術(shù)的手機(jī)芯片，而且將繼續(xù)由晶園代工龍頭臺(tái)積電來進(jìn)行代工，預(yù)計(jì)將可能在 2017 年底前問世。所以從中國的芯片設(shè)計(jì)業(yè)角度，一定需要去思考 7 納米及以下的進(jìn)程。

另外從 IC 研發(fā)角度，對(duì)于 7 納米及以下的工藝制程，由于周期很長(zhǎng)，現(xiàn)在啟步也很有必要，但是研發(fā)與量產(chǎn)是兩個(gè)不同的階段，差異很大，也并非一定要用 EUV 光刻，用電子束光刻也同樣可以。電子束光刻的問題不是精度不夠，而是速度太慢，每小時(shí)才 10 片硅片左右。

但是現(xiàn)階段中國芯片制造業(yè)的龍頭企業(yè)中芯國際,它的量產(chǎn)制程能力是 28 納米，幾乎差了三代。因此假設(shè)有一天臺(tái)積電不讓海思代工，而海思也找不到其它的候補(bǔ)者，如三星，英特爾，或者格羅方德等，那么情況是嚴(yán)峻的，但也沒有什么可怕，事情真逼到這一刻，或許會(huì)促進(jìn)中芯國際等更加倍的努力。

02. 研發(fā)與制造不一樣 

僅從 IC 研發(fā)角度，中國半導(dǎo)體業(yè)從理性上至少要提前量產(chǎn)水平的兩代或者以上，決定于有經(jīng)費(fèi)的支持，及具備有相應(yīng)的人材條件等。

然而對(duì)于建造芯片制造生產(chǎn)線，它由市場(chǎng)，技術(shù)及人材與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手等條件來決定，需要作市場(chǎng)可行性的論證。

顯然還有一個(gè)最關(guān)鍵的因素，建一條 7 納米芯片生產(chǎn)線，月產(chǎn)能 40，000 片大約需要近 80 億美元，如果考量它的投資回報(bào)率 ROI，此等決定要非常的謹(jǐn)慎。

因此，未來中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展，從研發(fā)角度，10 納米，7 納米等都可以，提早布局也應(yīng)該，然而對(duì)于興建芯片生產(chǎn)線，至少在近時(shí)期內(nèi)，可能 14 納米工藝制程是一個(gè)務(wù)實(shí)的目標(biāo)。

03. 要爭(zhēng)氣，要迅速的自強(qiáng)，否則永遠(yuǎn)抬不起頭 

因此現(xiàn)階段中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展要作好兩手的準(zhǔn)備：

一個(gè)方面是繼續(xù)改革開放，引進(jìn)先進(jìn)制程技術(shù)與加強(qiáng)研發(fā)，力求共同發(fā)展與共享成果；

另一方面是要作好”萬一”發(fā)生時(shí)的各種應(yīng)對(duì)”預(yù)案”。

任何時(shí)候要樹立足夠的信心，回顧上世紀(jì) 70-80 年代，西方實(shí)行嚴(yán)格的禁運(yùn)策略，更多的半導(dǎo)體設(shè)備都不允許進(jìn)入中國，可那時(shí)的中國半導(dǎo)體業(yè)不僅沒有趴下，反而取得不少的成績(jī)。

現(xiàn)在的時(shí)代己經(jīng)改變，”你中有我，我中有你”與”合則雙贏，斗則雙輸”，這個(gè)道理其實(shí)是雙方都心知肚明，關(guān)鍵是中國半導(dǎo)體業(yè)要爭(zhēng)氣，要迅速的自強(qiáng)，否則永遠(yuǎn)會(huì)抬不起頭。

西方的策略也不再是鐵板一塊，如近期展訊的手機(jī)芯片在英特爾代工，采用先進(jìn)的 14 納米工藝平臺(tái)，下一階段在它的 Zane Ball 的工藝圖譜上還包括 10 納米、及 7 納米制程。

總之，按照中國芯片制造業(yè)的現(xiàn)狀，離 7 納米制程量產(chǎn)可能尚有些遠(yuǎn)。而且 EUV 光刻的配套設(shè)備與材料也十分復(fù)雜，包括光源,光刻膠，掩膜(mask)，中間掩膜(reticle)，及缺陷檢查儀等。因此可以說化 1 億美元馬上去購買 1 臺(tái) EUV 光刻機(jī),可能并非完全有必要，而且它的耗電量也十分驚人。

事情總是“有所為,有所不為”，在許多情況下“什么事不為”往往是很難下決心。現(xiàn)階段對(duì)于中國的芯片制造業(yè)最緊迫的任務(wù)是擴(kuò)大 28 納米的全球市占率，以及加速 14 納米與以下制程的研發(fā)進(jìn)程。

如果真到那個(gè)時(shí)刻，中國的 IC 設(shè)計(jì)芯片找不到地方可以代工，恐怕”壞事會(huì)變成好事”，會(huì)更加促進(jìn)如中芯國際等公司的急起直追。

雖然“資本與技術(shù)兩個(gè)輪子”推動(dòng)著中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步，但是現(xiàn)階段明顯是技術(shù)輪子要小很多，而資本的輪子大，也表示孕育著更大的風(fēng)險(xiǎn)。

所以“有所為，有所不為”的策略選擇，尤其是要迅速的加大技術(shù)輪子的力度，加強(qiáng)研發(fā)的進(jìn)程，對(duì)于中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展是格外的迫不及待。

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