下半年存儲(chǔ)器漲勢(shì)迎拐點(diǎn)，但2017全年價(jià)格漲幅仍十分可觀

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) IC Insights 表示，2017 年 DRAM 和 NAND 型閃存銷(xiāo)售額都將創(chuàng)出歷史新高，而 DRAM 和 NAND 閃存創(chuàng)新高的原因都是由于價(jià)格瘋漲。該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2017 年 DRAM 出貨量同比下降，而 NAND 閃存也僅增長(zhǎng) 2%，閃存出貨量增長(zhǎng)對(duì)存儲(chǔ)器銷(xiāo)售額創(chuàng)新高雖然是正面作用，但并非主要原因。

存儲(chǔ)器價(jià)格上漲始于 2016 年第二季度，到 2017 年上半年為止，每季度價(jià)格都持續(xù)向上走。如圖所示，從 2016 年第三季度，到 2017 年第二季度，DRAM 價(jià)格季度平均增長(zhǎng)率為 16.8%，NAND 閃存價(jià)格季度平均增長(zhǎng)率為 11.6%。

從 2016 年第三季度 DRAM 平均售價(jià)瘋漲開(kāi)始，DRAM 制造商又開(kāi)始步入加碼投資周期，不過(guò)這一輪 DRAM 廠商投資大部分都花在了升級(jí)技術(shù)方面，并沒(méi)有盲目擴(kuò)充產(chǎn)能。

IC Insights 判斷，2017 年閃存廠商絕大部分資本支出都投入在 3D NAND 工藝技術(shù)上。為提升其位于韓國(guó)平澤市巨型新工廠的產(chǎn)能，2017 年三星在 NAND 閃存上的資本支出將同比大幅上升。

從歷史數(shù)據(jù)來(lái)看，價(jià)格上漲周期帶來(lái)的投資擴(kuò)產(chǎn)沖動(dòng)，通常會(huì)造成產(chǎn)能過(guò)剩，產(chǎn)能過(guò)剩程度越高，將來(lái)價(jià)格下跌也會(huì)越猛烈。三星、SK 海力士、美光、英特爾、東芝 / 閃迪、武漢新芯 / 長(zhǎng)江存儲(chǔ)，以及可能出現(xiàn)的中國(guó)資本支持的新玩家，都提出了雄心勃勃的 3D NAND 生產(chǎn)計(jì)劃，未來(lái)幾年 3D NAND 閃存產(chǎn)能出現(xiàn)過(guò)剩的概率非常高。

IC Insights 收集的數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均售價(jià)增長(zhǎng)率峰值出現(xiàn)在 2016 年第四季度，但直到 2017 年第二季度，漲勢(shì)都很強(qiáng)勁。該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2017 年第三季度 DRAM 價(jià)格還能維持些許漲勢(shì)，但第四季度將出現(xiàn)微跌，標(biāo)志這輪漲價(jià)周期即將終結(jié)。

雖然 2017 年下半年 DRAM 漲勢(shì)趨緩，但 IC Insights 預(yù)計(jì)全年漲幅仍將達(dá) 63%，這是自該機(jī)構(gòu)從 1993 年開(kāi)始追蹤 DRAM 市場(chǎng)數(shù)據(jù)以來(lái)的最高漲幅，此前記錄是 1997 年的 57%。

NAND 閃存 2017 年價(jià)格漲幅也將創(chuàng)紀(jì)錄地達(dá)到 33%。不過(guò)，在 2000 年，NOR 型閃存還主導(dǎo)市場(chǎng)時(shí)，其平均售價(jià)一年漲幅達(dá)到了 52%。