IC Insights：沒核心技術(shù)，中國半導(dǎo)體2025目標(biāo)太不現(xiàn)實

在其最新版年度分析報告中，IC Insights 再次描述了中國發(fā)展集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)的三個階段。第三階段自 2010 年起，從 2014 年中國政府加強對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持之后到現(xiàn)在，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)取得了不少成就，但這一輪發(fā)展也帶來了很多弊端。

根據(jù)中國國務(wù)院 2015 年 5 月頒布的“中國制造 2025”計劃，中國政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長期目標(biāo)就是能夠?qū)崿F(xiàn)相當(dāng)程度的集成電路自給自足?！爸袊圃?2025”中給中國集成電路自給率的指標(biāo)為 2020 年達到 40%，2025 年達到 70%。

事實上，無論是 40%，還是 70%，只要市占率達不到 100%，說什么實現(xiàn)集成電路的自給自足就是癡人說夢（譯者注：原文為 naive）。對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，無論是價值不高的芯片（例如混合模擬器件）、材料（例如制造芯片的專用化學(xué)品或氣體）或某種封裝型號供應(yīng)不上，都會導(dǎo)致整個電子系統(tǒng)無法生產(chǎn)銷售。

一個例子可以說明為何這種思路很幼稚。在 1980 年代早期，美國政府試圖推行一項政策，要求供應(yīng)軍用芯片的產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)能實現(xiàn)全部國產(chǎn)化，即從晶圓與封裝材料、半導(dǎo)體設(shè)備到芯片制造、封裝測試，每個環(huán)節(jié)都至少有一家美國公司。在 30 多年前，芯片制造產(chǎn)業(yè)遠(yuǎn)不如現(xiàn)在復(fù)雜，但彼時半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈也已經(jīng)延伸為幾千個環(huán)節(jié)，美國政府最終因為無法保證每一環(huán)節(jié)都至少有一家美國廠商而不得不廢止了該政策。對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來說，市占率達不到 100%，談自給率就沒有意義。

中國制造 2025 給中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)設(shè)定目標(biāo)的實現(xiàn)需要兩個基本要素：資金與技術(shù)。IC Insights 認(rèn)為，資金與技術(shù)同樣重要，任何一方面不夠強，都沒有機會實現(xiàn) 2025 年設(shè)定的目標(biāo)。

輿論一致認(rèn)為，資金不會成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn) 2025 年目標(biāo)的障礙。中國政府批準(zhǔn)了一項近 200 億美元的集成電路產(chǎn)業(yè)基金（譯者注：即國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，俗稱“大基金”，一期規(guī)模 1380 億人民幣），各省及地方政府在半導(dǎo)體方面投入的產(chǎn)業(yè)基金與私人投資基金約為 1000 億美元。投入到集成電路產(chǎn)業(yè)的數(shù)百億美元的資金足夠建 10 條以上高產(chǎn)能的 12 英寸芯片制造廠，不管中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長期發(fā)展?fàn)顩r如何，短期來看，這幾年半導(dǎo)體設(shè)備廠商都將受益于這波瘋狂的芯片制造產(chǎn)能投資。

IC Insights 相信，中國不具備填充新建產(chǎn)能所需的集成電路技術(shù)是其實現(xiàn) 2025 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目標(biāo)的一大障礙。從 2014 年開始，中國試圖通過收購國外半導(dǎo)體公司的方式來得到技術(shù)，中國也成功收購了芯成科技（ISSI）與豪威科技（OmniVision）。但現(xiàn)在絕大多數(shù)外國政府對中國在集成電路產(chǎn)業(yè)上的野心十分警惕，中國資本收購國外 IC 公司的難度已經(jīng)非常高。IC Insights 甚至認(rèn)為，中國通過收購國外 IC 公司來得到技術(shù)的時間窗口已經(jīng)關(guān)閉。

雖然已公布的投入到芯片制造上的資金很多，但這些新建晶圓產(chǎn)線中所用的技術(shù)工藝，每一條都比國外主要競爭對手至少差兩代以上（無論是以現(xiàn)在的時間點，還是以建成投產(chǎn)后時間點來比較，結(jié)果都一樣）。

例如：

• 武漢新芯（2016 年 7 月被清華紫光收購，并將武漢新芯納入到其子公司長江存儲）—32 層 3D NAND 技術(shù)
• 福建晉華集成電路—32 納米 DRAM 技術(shù)
• 上海華力（HLMC）—28 納米邏輯工藝技術(shù)

雖然中國宣布在建的晶圓廠讓中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資金看起來都不夠用了，但沒有一家在建產(chǎn)線在其所在領(lǐng)域掌握了與市場上領(lǐng)先者競爭的技術(shù)。

最近有不少報道說，這些新建晶圓制造產(chǎn)線的中國公司準(zhǔn)備大量招聘三星、海力士、英特爾中國工廠的 IC 工程師。這種現(xiàn)象被描述為中國公司“自行研發(fā) IC 技術(shù)”的一種方式，即利用這些美韓企業(yè)前雇員的 IC 工藝知識與經(jīng)驗來為中國公司做貢獻。

IC Insights 卻認(rèn)為，采用這種方法來“發(fā)展”IC 工藝技術(shù)十分危險。

在中芯國際首條產(chǎn)線量產(chǎn)的第二年，即 2003 年臺積電一紙訴狀將中芯國際告上了法庭。臺積電指控中芯國際雇傭了 100 多名前臺積電員工，并誘使這些員工向中芯國際泄露臺積電的商業(yè)機密。臺積電宣稱，中芯國際侵犯了臺積電五項 IC 工藝技術(shù)專利（后臺積電將指控范圍擴大到八項專利）。

張忠謀與蔣尚義（圖片來源于網(wǎng)絡(luò)）

2005 年，中芯國際與臺積電達成和解。中芯國際的代價是支付臺積電 1.75 億美元罰款，并將中芯國際 8%的股份授予臺積電。

存儲器事關(guān)一國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)興衰。一旦中國存儲器工廠實現(xiàn)量產(chǎn)，可以預(yù)見到在第一時間拿到中國廠商的 DRAM 與 3D NAND 以后，三星、海力士、美光、英特爾、東芝和西部數(shù)據(jù)（閃迪）的反向工程團隊會全力以赴進行反向分析，以尋找中國廠商侵犯其專利的證據(jù)。IC Insights 確信，由于上述幾大存儲器廠商在 DRAM 與 NAND 閃存制造生產(chǎn)方面的歷史已達數(shù)十年，存儲器技術(shù)專利申請眾多，存儲器產(chǎn)品線拓展很寬，沒有新廠商能夠在不侵犯現(xiàn)有專利的情況下發(fā)展處新型的 DRAM 與 NAND 技術(shù)。

2016 年，中國集成電路市場規(guī)模為 1120 億美元，其中由中國（包含國外公司在中國的工廠）自己生產(chǎn)制造的集成電路市值占其市場規(guī)模的比例為 11.6%，比 5 年前的 2011 年市占率僅提升不到兩個百分點。雖然從 2016 年到 2021 年，中國 IC 制造年復(fù)合增長率被預(yù)測為 18%，但 2016 年中國 IC 制造業(yè)規(guī)模只有 130 億美元，基數(shù)非常低。

根據(jù)中國新建 IC 產(chǎn)線以及國外 IC 制造廠商（例如英特爾、三星等）資本支出狀況，IC Insights 相信，中國集成電路市占率到 2025 年會有顯著的提升，但遠(yuǎn)不能達到中國制造 2025 規(guī)劃中設(shè)定的目標(biāo)。如圖所示，IC Insights 預(yù)計，2020 年中國集成電路全球市占率可達 17%，2025 年市占率可達 25%，這兩個數(shù)字均不到中國制造 2025 規(guī)劃中設(shè)定目標(biāo)的一半。

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