英特爾干著急：IBM攜三星推7納米芯片

小編語：工藝發(fā)展進(jìn)入20nm以后，玩家越來越少，因為研究新一代工藝的開銷越來越大，難度也越來越高，日前英特爾剛剛爆出10nm工藝延期，現(xiàn)在對手又爆出好消息，三星和IBM共同研發(fā)的7nm工藝獲得重大進(jìn)展，多年來英特爾在工藝上領(lǐng)先的優(yōu)勢真的會在10nm左右終結(jié)嗎？

三星電子(Samsung Electronics Co.)與IBM Corp.攜手合作，朝7 奈米先進(jìn)制程跨進(jìn)了一大步！華爾街日報、ZDNet等多家外電報導(dǎo)，IBM研究實驗室(IBM Research)9日宣布，IBM與伙伴格羅方德半導(dǎo)體 ( GlobalFoundries Inc.)、三星和紐約州立大學(xué)奈米理工學(xué)院終于突破重大瓶頸、共同打造出全球首顆7奈米晶片原型，進(jìn)度超越英特爾(Intel Corp.)等競爭對手。

IBM半導(dǎo)體科技研究部副總裁Mukesh Khare表示，這款測試晶片首度在7奈米電晶體內(nèi)加入一種叫做「矽鍺」(silicon germanium，簡稱SiGe)的材料，并采用了極紫外光(EUV)微影技術(shù)。荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML Holding NV)本身研發(fā)的EUV設(shè)備一臺要價1.5億美元，相較之下他種微影系統(tǒng)一臺售價只有5,000萬美元。

Ars Technica 9日指出，7奈米制程晶片至少還要等兩年才能具有商業(yè)用途，但I(xiàn)BM與其伙伴的突破仍具有重大意義。首先，這款晶片采用的制程技術(shù)低于10奈米、還是第一款使用矽鍺的10奈米以下FinFET邏輯晶片，另外也是全球第一個導(dǎo)入EUV技術(shù)、能有商業(yè)用途的晶片設(shè)計。

英特爾對14奈米制程技術(shù)的校正進(jìn)度已延遲約六個月，目前則在開發(fā)10奈米技術(shù)、有望于2016年問世。英特爾資深主管Mark Bohr最近曾表示，該公司的7奈米制程應(yīng)該不需要改用EUV設(shè)備，但他并未透露更多細(xì)節(jié)。

ASML才剛于4月22日發(fā)布新聞稿宣布，美國某大客戶已經(jīng)下單，至少會訂購15臺EUV微影設(shè)備，以便支援日益增多的研發(fā)作業(yè)和未來世代制程技術(shù)的試產(chǎn)方案。ASML執(zhí)行長Peter Wennink當(dāng)時說，EUV微影設(shè)備已接近大量普及的階段。

彭博社報導(dǎo)，英特爾是ASML在美國的最大客戶。ING Bank NV分析師Robin van den Broek當(dāng)時在接受專訪時指出，這明顯是英特爾想要在7奈米制程技術(shù)中導(dǎo)入EUV設(shè)備，而假如以正常的報價計算，這筆訂單的金額將高達(dá)15億歐元；也就是說，英特爾已將一筆為數(shù)不小的資金投入了7奈米制程科技。den Broek還說，ASML另外兩家大客戶分別是三星與臺積電 (2330)，他認(rèn)為這兩家業(yè)者也會跟進(jìn)導(dǎo)入EUV。

臺積電共同執(zhí)行長劉德音曾在4月16日表示，臺積電已開始研發(fā)7奈米制程技術(shù)，預(yù)計2017年就進(jìn)入最后試產(chǎn)階段的風(fēng)險生產(chǎn) (Risk Production)。