意法半導(dǎo)體和三星將采用FD-SOI工藝已經(jīng)不是什么爆炸性的新聞,加工廠提供巨大的晶圓容量非常重要,如:三星就是這場(chǎng)游戲的一部分。然而,GF將要支持20nm FD-SOI工藝卻讓我們感到吃驚。為什么是20n而不是28nm呢?我相信這是市場(chǎng)的決策:一年前,GF已經(jīng)決定支持FD-SOI技術(shù),簽署支持20nm FD-SOI工藝替代28nm工藝,這樣可以填補(bǔ)市場(chǎng)的空白。
LETI,是法國(guó)的一個(gè)研究中心,專注于引導(dǎo)領(lǐng)先技術(shù)應(yīng)用于實(shí)際產(chǎn)品中。意法半導(dǎo)體表示,一項(xiàng)技術(shù)從實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證到實(shí)際工業(yè)產(chǎn)品需要很長(zhǎng)的一段時(shí)間,如:FD-SOI:從1988年到2012年。FD-SOI技術(shù)已經(jīng)被三星和GF簽署,這是LETI的成功。LETI CEO Marie Semaria發(fā)出三個(gè)關(guān)鍵信息:
1.FD-SOI技術(shù)已經(jīng)被三星(28nm)和ST(28nm,14nm)授權(quán),GF將支持新興的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,尤其是存儲(chǔ)器,RF IC和MEMS;
2.廣泛支持FD-SOI應(yīng)用,包含新興的和中型歐洲芯片制造商,LETI推出了“硅脈沖”加強(qiáng)FD-SOI生態(tài)系統(tǒng):EDA,IP和MPW;
3.“Cool Cube”已經(jīng)被LETII落實(shí),用于支持單片3D或CMOS集成電路;
LETI CEO Marie Semaria認(rèn)為,F(xiàn)D-SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中大有優(yōu)勢(shì),與GF合作,高功率效率(物聯(lián)網(wǎng)偏愛低功率)和充分的集成能力在28nm甚至22nm的表現(xiàn)良好。Marie表示,摩爾定律在28nm工藝會(huì)爆發(fā),我非常同意她的觀點(diǎn),作為一項(xiàng)新技術(shù),它將抬高每個(gè)晶體管的成本(如:14nm相對(duì)于22nm產(chǎn)品),工業(yè)領(lǐng)域需要探索所更有創(chuàng)新力的方法來(lái)保持半導(dǎo)體像過(guò)去50年一樣具有吸引力。3D技術(shù)是可能的創(chuàng)新之一。實(shí)際上,只有一種方法是不完全正確的,不同的3D技術(shù)正在研發(fā),如TSV或者LTET基于“Cool Cube”進(jìn)程的連續(xù)集成技術(shù)。
無(wú)可爭(zhēng)議,1號(hào)加工廠通過(guò)Modem領(lǐng)導(dǎo)著智能手機(jī)部分,并且應(yīng)用程序IC已經(jīng)拒絕了FD-
SOI,但是高通決定與LETI建立合作關(guān)系,目的是為了CoolCube投產(chǎn)。
什么是CoolCube?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是,當(dāng)大多數(shù)內(nèi)存去處理第二個(gè)芯片的時(shí)候(如:Modem和存貯器),使用第一個(gè)芯片(如,應(yīng)用處理器)去完成初始化。一旦第二個(gè)芯片被處理好了,兩個(gè)芯片將通過(guò)寬帶線互相連接(不是TSV),并且封裝在一起。這樣做的好處就是,相對(duì)于兩個(gè)IC單獨(dú)封裝,這樣占用空間更小,功耗更低。實(shí)際上,內(nèi)部芯片之間的連接電容電感更小,使得總體電容更小,因此功耗會(huì)低。CoolCube看起來(lái)很有吸引力,這一新興技術(shù)走向產(chǎn)品級(jí),高通是客戶也是驅(qū)動(dòng)力。
作為CoolCube,硅脈沖給人的印象不深刻,但卻很重要。目的是建立完善的FD-SOI生態(tài)
系統(tǒng),包括EDA工具,IP提供和多項(xiàng)晶圓功能。硅脈沖用于支持啟動(dòng)和整合芯片制造商去完成他們的第一個(gè)FD-SOI項(xiàng)目,但是建立實(shí)際的生態(tài)系統(tǒng)后,所有采用FD-SOI的芯片制造商都會(huì)從中獲益。
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