28nm以下FinFET工藝想一家獨(dú)大？FD-SOI不答應(yīng)

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摩爾定律發(fā)展到今天，工藝開(kāi)始從幕后來(lái)到臺(tái)前，究竟哪種工藝技術(shù)將是主流也成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)，如果說(shuō)在28nm節(jié)點(diǎn)我們還看到包括HKMG HPL、HKMG HP、SiON LP、SOI、SHP等眾多工藝的角力，那么到了28nm以下，業(yè)界出現(xiàn)了一種一邊倒的態(tài)勢(shì)，即工藝廠商紛紛擁抱FinFET工藝，一時(shí)間，“下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)將出現(xiàn)大一統(tǒng)的局面”似乎已成定勢(shì)。

但事實(shí)并非如此，“英特爾一再推遲FinFET工藝的時(shí)間點(diǎn)，每年因延遲造成的損失達(dá)30億美元；綜合比較，F(xiàn)D-SOI工藝在28nm和16nm/14nm節(jié)點(diǎn)上更具優(yōu)勢(shì)?！苯眨谟尚驹荣澲?014上海FD-SOI論壇上，美國(guó)商業(yè)戰(zhàn)略（IBS）公司首席執(zhí)行官Handel Jones如是說(shuō)。

9月22日，2014上海FD-SOI論壇如期舉行

其實(shí)，上述觀點(diǎn)Handel在去年首屆上海FD-SOI論壇上就已經(jīng)提出，我們可以看到科學(xué)嚴(yán)密的數(shù)據(jù)對(duì)比證明他的觀點(diǎn)。而不同的是，Handel今年用一組明確的數(shù)據(jù)表示，中國(guó)半導(dǎo)體公司和市場(chǎng)以及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用將給FD-SOI工藝的爆發(fā)提供土壤。

按地域劃分的半導(dǎo)體市場(chǎng)容量趨勢(shì)，中國(guó)市場(chǎng)的消耗量最大，一直到2020年，這種態(tài)勢(shì)有增無(wú)減

中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)供應(yīng)情況趨勢(shì)，目前只有10%的芯片來(lái)自本土廠商，而國(guó)家制定的目標(biāo)是，到2020年，本土芯片供應(yīng)達(dá)到總消耗量的40%，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)將有大發(fā)展

智能手機(jī)的市場(chǎng)容量趨勢(shì)，中國(guó)又是No.1

平板電腦的情況也一樣

晶圓市場(chǎng)按工藝尺寸劃分的市場(chǎng)容量趨勢(shì)

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28nm晶圓產(chǎn)能趨勢(shì)，28nm將成為生命周期最長(zhǎng)的一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)

FD-SOI工藝的市場(chǎng)潛力

28nm FD-SOI工藝的晶圓成本優(yōu)勢(shì)

按每1億門(mén)的成本計(jì)算，各工藝技術(shù)的對(duì)比

隨工藝節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，F(xiàn)inFET工藝的成本不降反增

物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)發(fā)展給半導(dǎo)體硬件提供的增長(zhǎng)空間

針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的工藝制程的綜合比較,IBS認(rèn)為FD-SOI工藝更具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

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但是提及FD-SOI工藝這么好，為什么沒(méi)有成為主流？Handel也坦陳，沒(méi)有大玩家的加入，換句話說(shuō)，生態(tài)系統(tǒng)的不夠完善，是FD-SOI面臨的最大難題。而與非網(wǎng)記者了解到，今年論壇的一大變化就在于除了FD-SOI工藝的發(fā)起者意法半導(dǎo)體和積極倡導(dǎo)者芯原公司，可以看到包括晶圓代工、EDA工具以及芯片設(shè)計(jì)等更多上下游的廠商參與進(jìn)來(lái)，并帶來(lái)了一些實(shí)質(zhì)性突破和進(jìn)展。包括：

• 意法半導(dǎo)體的PDK已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，客戶可以立即進(jìn)入設(shè)計(jì)，預(yù)計(jì)未來(lái)12個(gè)月到18個(gè)月將有基于FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)的芯片量產(chǎn)
• 三星已從意法半導(dǎo)體獲得了FD-SOI工藝的授權(quán)，正式加入了FD-SOI工藝的生態(tài)圈，同時(shí)三星和意法半導(dǎo)體為通用28nm工藝提供大量庫(kù)和IP支持
• Global Foundries已開(kāi)始提供MPW形式的FD-SOI代工服務(wù)
• Synopsys公司的IC Compiler II平臺(tái)為基于FD-SOI工藝的芯片設(shè)計(jì)提供工具支持
• 芯原公司正采用28nm FD-SOI工藝進(jìn)行ARM Cortex A7處理器的設(shè)計(jì)，數(shù)據(jù)表明，用FD-SOI工藝實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品在尺寸、動(dòng)態(tài)功耗、漏電流和總功耗上都優(yōu)于其他同類產(chǎn)品，高頻器件表現(xiàn)格外明顯

這些信息顯示，F(xiàn)D-SOI工藝成為主流并非水中月、鏡中花。

FinFET和FD-SOI工藝各自的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域

SOI工藝形成的生態(tài)系統(tǒng)給FD-SOI工藝的發(fā)展提供了基礎(chǔ)

基于OpenPOWER生態(tài)系統(tǒng)加速中國(guó)SOI生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展

SOI全球生態(tài)系統(tǒng)，可以看到中國(guó)品牌在快速增長(zhǎng)

FD-SOI工藝的目標(biāo)市場(chǎng)

SOI工藝在中國(guó)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力

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