捷捷微電——打破進(jìn)口壁壘的功率半導(dǎo)體先驅(qū)，能否引領(lǐng)行業(yè)復(fù)蘇？

長(zhǎng)期以來，我國(guó)功率半導(dǎo)體分立器件行業(yè)整體技術(shù)水平較國(guó)際先進(jìn)技術(shù)水平有較大差距， 因此，我國(guó)功率半導(dǎo)體分立器件下游行業(yè)的知名企業(yè)長(zhǎng)期購買和使用國(guó)際大型半導(dǎo)體公司的分立器件產(chǎn)品，以確保其產(chǎn)品性能先進(jìn)、質(zhì)量穩(wěn)定。晶閘管是我國(guó)技術(shù)成熟的功率半導(dǎo)體分立器件，行業(yè)內(nèi)少數(shù)優(yōu)秀企業(yè)已經(jīng)具有較為先進(jìn)的晶閘管芯片的研發(fā)制造能力。

今日我們?yōu)榇蠹曳治龅谋闶菄?guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體的核心企業(yè)——捷捷微電。捷捷微電經(jīng)過十幾年的技術(shù)累積，現(xiàn)已形成成熟的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系和研發(fā)機(jī)制，晶閘管系列產(chǎn)品的技術(shù)水平和性能指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到了國(guó)際大型半導(dǎo)體公司同類產(chǎn)品的水平。公司生產(chǎn)的中高端產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)替代進(jìn)口及對(duì)外出口上升的趨勢(shì)，打破了中國(guó)電子元器件領(lǐng)域晶閘管、防護(hù)類器件受國(guó)外技術(shù)制約的局面。

一、公司介紹

1.1、發(fā)展歷程

江蘇捷捷微電子股份有限公司創(chuàng)建于1995年，于2017年3月在創(chuàng)業(yè)板上市，公司是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售的江蘇省高新技術(shù)企業(yè)。公司晶閘管系列產(chǎn)品、二極管及防護(hù)系列產(chǎn)品采用垂直整合（IDM）一體化的經(jīng)營(yíng)模式，即集功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、制造、器件設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體。公司 MOSFET采用垂直整合（IDM）一體化的經(jīng)營(yíng)模式和部分產(chǎn)品委外流片相結(jié)合的業(yè)務(wù)模式。目前，部分8英寸芯片為委外流片，部分器件封測(cè)代工。

1.2、實(shí)控人概況

公司實(shí)控人黃善兵先生，1956年生，高級(jí)經(jīng)濟(jì)師，系公司創(chuàng)始人之一，其職業(yè)生涯專注于功率半導(dǎo)體分立器件行業(yè)。黃善兵先生于1974年10月至1995年2月在啟東市晶體管廠工作，先后擔(dān)任工人、科長(zhǎng)、副廠長(zhǎng)。1995年3月，黃善兵先生創(chuàng)立捷捷微電的前身啟東市捷捷微電子有限公司，自設(shè)立之日起歷任公司法定代表人、董事長(zhǎng)和總經(jīng)理，主要負(fù)責(zé)公司的經(jīng)營(yíng)、管理和市場(chǎng)營(yíng)銷?，F(xiàn)任公司董事長(zhǎng)、法定代表人，公司控股股東捷捷投資董事長(zhǎng)，捷捷南通科技法定代表人、董事長(zhǎng)、捷捷半導(dǎo)體董事長(zhǎng)等職。

1.3、主營(yíng)產(chǎn)品

公司主營(yíng)產(chǎn)品為各類電力電子器件和芯片，分別為：晶閘管器件和芯片、防護(hù)類器件和芯片（包括：TVS、放電管、ESD、集成放電管、貼片Y電容、壓敏電阻等）、二極管器件和芯片（包括：整流二極管、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管等）、厚膜組件、晶體管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、 IGBT器件及組件、碳化硅器件等。

圖|公司主要產(chǎn)品

來源：公司官網(wǎng)

從產(chǎn)品構(gòu)造劃分，公司主要產(chǎn)品是功率半導(dǎo)體芯片和封裝器件。功率半導(dǎo)體芯片是決定功率半導(dǎo)體分立器件性能的核心，在經(jīng)過后道工序封裝后，成為功率半導(dǎo)體分立器件成品。

1.3.1、晶閘管系列

晶閘管（又稱：可控硅）耐壓高、電流大，主要用于電力變換與控制，可以用微小的信號(hào)功率對(duì)大功率的電流進(jìn)行控制和變換，具有體積小、重量輕、耐壓高、容量大、效率高、控制靈敏、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。

晶閘管的功用不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電流，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等作用。晶閘管的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面廣泛采用的電子元器件。

1.3.2、防護(hù)器件系列

半導(dǎo)體防護(hù)器件種類較多，主要有半導(dǎo)體放電管（TSS）、瞬態(tài)抑制二極管（TVS）、靜電防護(hù)元、器件（ESD）、集成防護(hù)器件、Y電容、壓敏電阻等，可應(yīng)用于儀器儀表、工業(yè)控制、汽車電子、手持終端設(shè)備、戶外安防、電腦主機(jī)等各類需要防浪涌沖擊、防靜電的電子產(chǎn)品內(nèi)部，保護(hù)內(nèi)部昂貴的電子電路。由于使用場(chǎng)合廣泛，市場(chǎng)需求量較大，半導(dǎo)體防護(hù)器件市場(chǎng)規(guī)模較為穩(wěn)定。

1.3.3、二極管系列

二極管是最常用的電子器件之一，二極管的單向?qū)щ娞匦钥梢园?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/481525.html">正弦波的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)槊}動(dòng)的直流電。用途廣泛，幾乎所有的電路中都有使用到。

公司二極管芯片采用SIPOS+GPP 鈍化工藝，具有高可靠性，三種金屬組合供客戶選擇，主要產(chǎn)品有高耐壓整流二極管、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、整流二極管模塊組件等，用于民用電器電源整流、工業(yè)設(shè)備電源整流、漏電斷路器、電表、通訊電源、變頻器等應(yīng)用領(lǐng)域。

1.3.4、MOSFET系列

MOSFET，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，一種全控制型半導(dǎo)體功率分立器件，通過柵極電壓的變化來控制輸出電流的大小，并實(shí)現(xiàn)開通和關(guān)斷，輸入阻抗大、導(dǎo)通電阻小、功耗低、漏電小、工作頻率高，工藝基本成熟，是市場(chǎng)規(guī)模最大的功率分立器件。應(yīng)用極其廣泛，主要包括電源類和驅(qū)動(dòng)控制類兩大類應(yīng)用。

公司MOSFET系列產(chǎn)品主要包括中低壓溝槽 MOSFET產(chǎn)品、中低壓分離柵MOSFET產(chǎn)品、中高壓平面VDMOS產(chǎn)品以及超結(jié)MOS等產(chǎn)品，廣泛用 于消費(fèi)電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域。

1.3.5、IGBT系列

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極結(jié)型晶體管)和MOS(金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體 管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)， BJT飽和壓降低及載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低，被稱為是電力電子裝置的“CPU”，高效節(jié)能減排的主力軍。

1.3.6、厚模組件

厚模組件系列產(chǎn)品采用，模塊集成封裝，把可控硅、二極管、MOSFET、IGBT、FRD等芯 片組合成不同的電路拓?fù)?/a>結(jié)構(gòu)；在模塊基礎(chǔ)上集成控制線路，衍生出了固態(tài)繼電器、智能模塊及IPM等功能模塊，主要應(yīng)用于調(diào)溫系統(tǒng)、調(diào)光系統(tǒng)、調(diào)速等系統(tǒng)；具體應(yīng)用于軟啟動(dòng)、 變頻器、無功補(bǔ)償領(lǐng)域。

1.3.7、碳化硅器件

碳化硅肖特基二極管是碳化硅器件之一，具有超快的開關(guān)速度，超低的開關(guān)損耗，正向壓降(Vf)為溫度特性，易于并聯(lián)，可承受更高耐壓和更大的浪涌電流，用于電動(dòng)汽車、消費(fèi)類電子、新能源、軌道交通等領(lǐng)域，主要產(chǎn)品為塑封碳化硅肖特基二極管器件。

1.3.8、其他

功率型開關(guān)晶體管及達(dá)林頓晶體管，應(yīng)用于點(diǎn)火器、磁電機(jī)等領(lǐng)域，具有良好的可靠性和質(zhì)量。

圖|公司主要產(chǎn)品類別圖示

來源：公司公告

1.4、下游應(yīng)用

公司現(xiàn)有國(guó)內(nèi)外知名客戶如海爾集團(tuán)、中興通訊、正浩創(chuàng)新、三花等在前期使用小批量試用公司產(chǎn)品后，不斷增加對(duì)公司產(chǎn)品的采購數(shù)量，現(xiàn)已成為公司重要客戶。公司下游客戶多并分散，應(yīng)用領(lǐng)域?qū)挿?，行業(yè)占比情況為工業(yè) 36%；消費(fèi)領(lǐng)域 41%；汽車19%；通信 3%。

圖|公司應(yīng)用占比

來源：公司公告、與非研究院整理

未來公司將重點(diǎn)拓展三大市場(chǎng)：汽車電子、電源類及工業(yè)類。在汽車電子領(lǐng)域：主要為各類馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，汽車照明，汽車無線充，汽車鋰電池管理等；電源類領(lǐng)域，主要為太陽能光伏，儲(chǔ)能，充電樁，及重點(diǎn)大客戶功率器件需求等；工業(yè)類領(lǐng)域，主要為高功率馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，鋰電池管理，逆變器，壓縮機(jī)等。

車規(guī)級(jí)MOSFET產(chǎn)品

目前可供選擇的車規(guī)級(jí)MOSFET產(chǎn)品有137款左右，該領(lǐng)域的產(chǎn)品在持續(xù)研發(fā)更新中。公司已量產(chǎn)百余款車規(guī)級(jí)MOSFETS，憑借捷捷微電自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的JSFET芯片、全銅框架和跳線封裝工藝，性能突出，符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，在長(zhǎng)期可靠性、封裝尺寸、功率及性能方面均獲得業(yè)內(nèi)認(rèn)可，已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)tier-1汽車零部件供應(yīng)商的轉(zhuǎn)向、燃油、潤(rùn)滑、冷卻等系統(tǒng)。汽車類下游的主要客戶有羅思韋爾、霍尼韋爾、東風(fēng)科技、埃泰克、科世達(dá)等。

1.5、公司產(chǎn)能布局

公司“高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”自 2022 年 9 月下旬起進(jìn)入試生產(chǎn)階段，試生產(chǎn)的產(chǎn)品良率符合預(yù)期，基本保持在 95%以上，每月出片量約為 8 萬片左右，該項(xiàng)目仍處在產(chǎn) 能爬坡期。

“車規(guī)級(jí)”封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目 2023 年末已完成 82,509.83 萬元投資額，廠房已封頂，其他基礎(chǔ)及配套正在建設(shè)中，建設(shè)完成后可達(dá)到年產(chǎn) 1900kk 車規(guī)級(jí)大功率器件 DFN 系列產(chǎn)品、120kk 車規(guī)級(jí)大功率器件 TOLL 系列產(chǎn)品、90kk 車規(guī)級(jí)大功率器件 LFPACK 系列產(chǎn)品以及 60kkWCSP 電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可形成 20 億的銷售規(guī)模。

2024 年公司還將繼續(xù)推進(jìn)“功率半導(dǎo)體‘車規(guī)級(jí)’封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、南通“高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”（二期）的進(jìn)展，有望進(jìn)一步推動(dòng)高端功率半導(dǎo)體發(fā)展，滿足下游市場(chǎng)需求，擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，完善公司核心“功率半導(dǎo)體器件 IDM”供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略布局。

二、財(cái)務(wù)分析

2.1、營(yíng)收和扣非凈利潤(rùn)情況

圖|營(yíng)收及增速

來源：與非研究院整理

2011-2023年公司營(yíng)收保持持續(xù)增長(zhǎng)，由1.70億元增長(zhǎng)至21.06億元，復(fù)合增速24.86%。2024H1公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入12.63億元，較上年同期增長(zhǎng) 40.12%。

圖|扣非歸母凈利及增速

來源：與非研究院整理

2011-2021年，公司扣非凈利潤(rùn)由0.60億元增長(zhǎng)至最高值4.59億元，復(fù)合增速24.55%，2022-2023年分別下降至3億元、2.04億元，增速分別為-34.54%、-31.98%。

2022年至2023年，公司所處的功率半導(dǎo)體分立器件行業(yè)景氣度有所下滑，市場(chǎng)需求持續(xù)下降，加上國(guó)內(nèi)外宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境的各種不確定性，導(dǎo)致公司項(xiàng)目建設(shè)的速度也有所放緩。2024H1扣非凈利潤(rùn)1.68萬元，較上年同期增加118%，扣非凈利增速實(shí)現(xiàn)大幅逆轉(zhuǎn)。

2024H1，公司晶閘管（芯片+器件）營(yíng)業(yè)收入2.80 億，同比增加39.01%，占公司 2024年半年度主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的22.46%；防護(hù)器件（芯片+器件）營(yíng)業(yè)收入4.03億，同比增加 26.73%，占公司2024年半年度主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的32.33%；公司 MOSFET（芯片+器件）營(yíng)業(yè)收入5.64億，同比增加50.14%，占公司2024年半年度主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的 45.21%。

2024H1產(chǎn)品價(jià)格和需求方面，晶閘管產(chǎn)品的目前價(jià)格趨于穩(wěn)定，訂單飽滿；防護(hù)器件目前價(jià)格較平穩(wěn)，市場(chǎng)需求有一定的增長(zhǎng)；MOSFET目前依然在低位內(nèi)卷，但是由于原材料的價(jià)格波動(dòng)，估計(jì)未來進(jìn)一步下跌的動(dòng)力不大。

2.2、分產(chǎn)品情況

圖|國(guó)內(nèi)外收入占比

來源：與非研究院整理

2011-2024H1公司主要營(yíng)收在國(guó)內(nèi)，海外占比8-10%左右。全球營(yíng)銷中心的海外團(tuán)隊(duì)在新加坡，隨著海外市場(chǎng)的逐漸擴(kuò)大，公司會(huì)繼續(xù)加大在海外市場(chǎng)的業(yè)務(wù)布局。

圖|分產(chǎn)品收入

來源：與非研究院整理

分產(chǎn)品來看，主要貢獻(xiàn)收入的為功率半導(dǎo)體分立器件的收入，2011-2021年?duì)I收由1.0億元增至14.3億元，營(yíng)收占比由55.56%提升至80.60%，2022-2023年?duì)I收變化不大，分別為13.9億元、14.6億元，2024H1為8.4億元，營(yíng)收占比分別為76.24%、69.32%、66.54%，呈現(xiàn)下降態(tài)勢(shì)。

功率半導(dǎo)體芯片為第二大營(yíng)收，2011-2023年?duì)I收金額由0.8億元增長(zhǎng)至6.1億元，2024H1為4.0億元。2011-2021營(yíng)收占比由44.22%降低至17.26%，2022-2024H1分別為21.72%、29.00%、31.60%，近3年占比逐步提升。

功率器件及其他業(yè)務(wù)收入低于0.2億元占比較小。

圖|收入結(jié)構(gòu)占比

來源：與非研究院整理

2.3、毛利率及凈利率情況

圖|銷售毛利率及凈利率

來源：與非研究院整理

2011-2023年，公司毛利率呈現(xiàn)震蕩下行趨勢(shì)，由54%降低至34%，2024H1回升至37%；2011-2023扣非凈利率也是呈現(xiàn)下行趨勢(shì)，由35%降低至10%，2024H1回升至13%。

圖|分產(chǎn)品毛利率及凈利率

來源：與非研究院整理

分產(chǎn)品看，2011-2023主要營(yíng)收功率半導(dǎo)體分立器件毛利率緩慢下降，由49%降低至39%，2024H1回升至41%；2011-2023功率半導(dǎo)體芯片毛利率下降較多，由60%降低至21%，2024H1有所回升至28%。

2.4、研發(fā)投入情況

圖|研發(fā)投入及占營(yíng)收比例

來源：與非研究院整理

2013-2023年，公司研發(fā)投入逐年增長(zhǎng)，由0.09億元增長(zhǎng)至2.57億元，研發(fā)支出占營(yíng)收比例也逐步提升，分別為4.72%、4.37%、5.17%、5.40%、4.86%、4.85%、5.52%、7.36%、7.42%、11.68%、12.21%。2024H1研發(fā)投入1.34億元，較上年同期增加9.40%。

圖|研發(fā)人員數(shù)量及占比

來源：與非研究院整理

2017-2023年，研發(fā)人員數(shù)量分別為81人、100人、120人、208人、268人、385人、400人，研發(fā)人員數(shù)量占比分別為11.05%、11.52%、12.64%、16.26%、20.80%、19.03%、17.30%。

公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)穩(wěn)定，核心的技術(shù)團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期從事電力電子技術(shù)等研究與開發(fā)工作，在產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新與協(xié)同、生產(chǎn)工藝優(yōu)化與升級(jí)、產(chǎn)品開發(fā)與成果轉(zhuǎn)化等具有豐富的經(jīng)驗(yàn)。公司將繼續(xù)深入推進(jìn)研發(fā)體系改革，繼續(xù)加強(qiáng)同中科院微電子研究所、西安電子科技大學(xué)、東南大學(xué)（無錫分校）、華東師范大學(xué)、湖南大學(xué)、南通大學(xué)等深層次“產(chǎn)學(xué)研” 合作。

公司現(xiàn)共獲得授權(quán)專利160項(xiàng)，其中發(fā)明專利26項(xiàng)，實(shí)用型新專利133項(xiàng)；外觀專利1項(xiàng)。已受理發(fā)明專利 107項(xiàng)，受理實(shí)用新型專利16項(xiàng)目。

三、總結(jié)

半導(dǎo)體行業(yè)正在處于明顯的復(fù)蘇階段，晶閘管和防護(hù)產(chǎn)品價(jià)格已經(jīng)趨于穩(wěn)定。從公司2024H1的財(cái)務(wù)表現(xiàn)來看，公司也是扭轉(zhuǎn)了2022-2023連續(xù)2年凈利下滑的不利局面，凈利潤(rùn)增長(zhǎng)表現(xiàn)亮眼。目前在手訂單飽滿，公司的業(yè)績(jī)正常情況是下半年好于上半年的。

捷捷微電憑借在功率半導(dǎo)體芯片和器件上多年積累，在工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域取得重要地位，隨著募集項(xiàng)目的2024年的推進(jìn)，未來將持續(xù)發(fā)力汽車電子、新能源等相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用。根據(jù)公司計(jì)劃產(chǎn)值估算，將會(huì)再造一個(gè)捷捷微電。