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湖南靜芯推出針對(duì)HDBaseT接口的靜電和浪涌防護(hù)器件SENC26F3V4UC,可替代RClamp2

08/13 16:21
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  1. HDBaseT技術(shù)簡介

HDBaseT技術(shù),由全球知名的家電巨頭如LG、Samsung、Sony(均來自亞洲),攜手以色列的半導(dǎo)體技術(shù)先鋒Valens Semiconductor,共同創(chuàng)立了HDBaseT聯(lián)盟。該聯(lián)盟于2009年成功獲得了Intel的HDCP(高清內(nèi)容保護(hù))認(rèn)證,標(biāo)志著其技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的權(quán)威性與安全性。隨后,在2010年6月底,HDBaseT 1.0的官方規(guī)范正式確立,為行業(yè)樹立了新的里程碑。

與HDMI和DisplayPort等標(biāo)準(zhǔn)不同,HDBaseT并未引入全新的接口設(shè)計(jì),而是巧妙地采用了RJ45接口,這一接口常被稱為水晶頭以太網(wǎng)接口,極大地提升了用戶的熟悉度與便捷性。同時(shí),HDBaseT采用了普遍易得的網(wǎng)線作為傳輸介質(zhì),進(jìn)一步降低了部署成本,增強(qiáng)了其普及性。

HDBaseT標(biāo)準(zhǔn)不僅限于視頻信號(hào)的傳輸,它還集成了網(wǎng)絡(luò)連接功能,實(shí)現(xiàn)了音視頻信號(hào)與數(shù)據(jù)通信同步傳輸。該技術(shù)還支持以太網(wǎng)供電(PoE),即可以通過網(wǎng)線同時(shí)為連接的設(shè)備提供電力,極大地簡化了布線工作,提升了系統(tǒng)的整體效能與靈活性。

  1. HDBaseT版本介紹
HDBaseT Versions
Specifications SPEC 1.0 SPEC 2.0 SPEC 3.0
Video & distance 1080p,100m/328ft 4K@30 4:4:4, 100m/328ft 4K@60 4:4:4, 100m/328ft
UHD 4K, 90mv295ft 4K@30 4:4:4, 100m/328ft
USB 2.0 2.0 2.0
Power 100 Watts 100 Watts 100 Watts
Ethernet 100MbpS 100MbpS Gigabit
Recommended cables Category 5e and above Category 6a and above Category 6a and above

表1? HDBaseT版本介紹

  1. 湖南靜芯HDBaseT產(chǎn)品推薦

靜芯推出超小體積、超高峰值電流,低鉗位電壓的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC,該產(chǎn)品專為HDBaesT接口的TX(發(fā)送)和RX(接收)線路設(shè)計(jì)。SENC26F3V4UC為單路保護(hù)器件,具備3.3V低觸發(fā)電壓和7V低鉗位電壓特性,滿足115V低壓浪涌(8/20us)的過壓保護(hù)需求(VRWM=3.3V MAX,VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us))。以其更小的容值和更高的峰值電流,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了高速信號(hào)線提供優(yōu)異的瞬態(tài)過壓保護(hù)效果,確保了信號(hào)的完整性和設(shè)備的安全性。

圖1? 基本電性圖

  1. SENC26F3V4UC參數(shù)對(duì)比RClamp2504N(包含測(cè)試圖形)
器件參數(shù)對(duì)比
Parameters Symbol ? SENC26F3V4UC ? RCLamp2504N
IPP VC Min Typ Max Unit IPP VC Min Typ Max Unit
Peak pulse current (tp=8/20us)@25 IPP - 46 14 - - - A 28 14.2 - - - A
Reverse Stand-off Voltage VRWM - - - - - 3.3 V - - - - 2.5 V
Clamping Voltage VC IPP=10A; tp=8/20us - - - - 7 V - - - - 7 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz - - - 4 6 pF - - - 3.8 5 pF

表2? 器件測(cè)試參數(shù)對(duì)比

圖2? 峰值電流10A 8/20測(cè)試曲線

(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)

圖3 極限測(cè)試 8/20浪涌測(cè)試曲線

(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)

SENC26F3V4UC的實(shí)測(cè)過流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的實(shí)測(cè)過流能力28A, SENC26F3V4UC的鉗位電壓14V@46.4A, RCLAMP2504N的鉗位電壓14.2V@28A,超過10A后的鉗位電壓,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會(huì)明顯好于RCLAMP2504N,考慮系統(tǒng)的穩(wěn)健性是通過測(cè)試極端參數(shù)條件下的可靠性,在RCLAMP2504N的極限電流28A的條件下,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會(huì)低于11V(RCLAMP2504N為14.2V),對(duì)系統(tǒng)的防護(hù)效果更好。

在1A附近的鉗位電壓的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):SENC26F3V4UC的鉗位電壓6.32V@1.28A, RCLAMP2504N的鉗位電壓4.8V@1.44A,兩者差別不大(規(guī)格書上 SENC26F3V4UC的余量留的比較足,標(biāo)的典型值7V,最大值10V;RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是這個(gè)值已經(jīng)和實(shí)測(cè)的典型值接近了。)

SENC26F3V4UC第5號(hào)管腳可以接3.3V的VCC(RCLAMP2504N的5號(hào)管腳規(guī)格書提示不能接VCC,有風(fēng)險(xiǎn)),對(duì)3.3V提供比較好的防護(hù),對(duì)靠近接口部分的電源提供靜電和浪涌防護(hù),實(shí)際布線電源走線可以先連接到器件5號(hào)腳,再給到應(yīng)用電路。

  1. HDBaseT電路框圖

圖? 典型應(yīng)用圖

防護(hù)方案中所使用ESD型號(hào)參數(shù)描述(詳盡參數(shù)請(qǐng)與我司代理聯(lián)系):

信號(hào)線 型號(hào) 描述 電流

A

鉗位電壓

V

電容

pF

封裝
HDBT+

HDBT-

SENC26F3V4UC 3.3V

單向

ESD30kV

40 7 4 DFN2626-10L
D+/D- SEUC10F5V4U 5.0V

單向

ESD12kV

4.5 9 0.3 DFN2510-10L
REMOTE/CLK

DAT/OUT

SEUC236T5F4U 5

單向

ESD12kV

4.5 9 0.3 SOT-23-6L
TP+/TP- SELC3D3V1BA

SELC3D5V1BA

3.3/5V

雙向

ESD15kV

20 20 0.8 SOD323
VCC/GND

D+/D-

SELC143T5V2UB 5V

單向

ESD15kV

5 9 0.6 SOT-143

?

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