- HDBaseT技術(shù)簡介
HDBaseT技術(shù),由全球知名的家電巨頭如LG、Samsung、Sony(均來自亞洲),攜手以色列的半導(dǎo)體技術(shù)先鋒Valens Semiconductor,共同創(chuàng)立了HDBaseT聯(lián)盟。該聯(lián)盟于2009年成功獲得了Intel的HDCP(高清內(nèi)容保護(hù))認(rèn)證,標(biāo)志著其技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的權(quán)威性與安全性。隨后,在2010年6月底,HDBaseT 1.0的官方規(guī)范正式確立,為行業(yè)樹立了新的里程碑。
與HDMI和DisplayPort等標(biāo)準(zhǔn)不同,HDBaseT并未引入全新的接口設(shè)計(jì),而是巧妙地采用了RJ45接口,這一接口常被稱為水晶頭或以太網(wǎng)接口,極大地提升了用戶的熟悉度與便捷性。同時(shí),HDBaseT采用了普遍易得的網(wǎng)線作為傳輸介質(zhì),進(jìn)一步降低了部署成本,增強(qiáng)了其普及性。
HDBaseT標(biāo)準(zhǔn)不僅限于視頻信號(hào)的傳輸,它還集成了網(wǎng)絡(luò)連接功能,實(shí)現(xiàn)了音視頻信號(hào)與數(shù)據(jù)通信的同步傳輸。該技術(shù)還支持以太網(wǎng)供電(PoE),即可以通過網(wǎng)線同時(shí)為連接的設(shè)備提供電力,極大地簡化了布線工作,提升了系統(tǒng)的整體效能與靈活性。
- HDBaseT版本介紹
HDBaseT Versions | |||
Specifications | SPEC 1.0 | SPEC 2.0 | SPEC 3.0 |
Video & distance | 1080p,100m/328ft | 4K@30 4:4:4, 100m/328ft | 4K@60 4:4:4, 100m/328ft |
UHD 4K, 90mv295ft | 4K@30 4:4:4, 100m/328ft | ||
USB | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
Power | 100 Watts | 100 Watts | 100 Watts |
Ethernet | 100MbpS | 100MbpS | Gigabit |
Recommended cables | Category 5e and above | Category 6a and above | Category 6a and above |
表1? HDBaseT版本介紹
- 湖南靜芯HDBaseT產(chǎn)品推薦
靜芯推出超小體積、超高峰值電流,低鉗位電壓的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC,該產(chǎn)品專為HDBaesT接口的TX(發(fā)送)和RX(接收)線路設(shè)計(jì)。SENC26F3V4UC為單路保護(hù)器件,具備3.3V低觸發(fā)電壓和7V低鉗位電壓特性,滿足115V低壓浪涌(8/20us)的過壓保護(hù)需求(VRWM=3.3V MAX,VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us))。以其更小的容值和更高的峰值電流,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了高速信號(hào)線提供優(yōu)異的瞬態(tài)過壓保護(hù)效果,確保了信號(hào)的完整性和設(shè)備的安全性。
圖1? 基本電性圖
- SENC26F3V4UC參數(shù)對(duì)比RClamp2504N(包含測(cè)試圖形)
器件參數(shù)對(duì)比 | |||||||||||||||
Parameters | Symbol | ? | SENC26F3V4UC | ? | RCLamp2504N | ||||||||||
IPP | VC | Min | Typ | Max | Unit | IPP | VC | Min | Typ | Max | Unit | ||||
Peak pulse current (tp=8/20us)@25℃ | IPP | - | 46 | 14 | - | - | - | A | 28 | 14.2 | - | - | - | A | |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | - | - | - | - | - | 3.3 | V | - | - | - | - | 2.5 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=10A; tp=8/20us | - | - | - | - | 7 | V | - | - | - | - | 7 | V | |
Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | - | - | - | 4 | 6 | pF | - | - | - | 3.8 | 5 | pF | |
表2? 器件測(cè)試參數(shù)對(duì)比
圖2? 峰值電流10A 8/20測(cè)試曲線
(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)
圖3 極限測(cè)試 8/20浪涌測(cè)試曲線
(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)
SENC26F3V4UC的實(shí)測(cè)過流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的實(shí)測(cè)過流能力28A, SENC26F3V4UC的鉗位電壓14V@46.4A, RCLAMP2504N的鉗位電壓14.2V@28A,超過10A后的鉗位電壓,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會(huì)明顯好于RCLAMP2504N,考慮系統(tǒng)的穩(wěn)健性是通過測(cè)試極端參數(shù)條件下的可靠性,在RCLAMP2504N的極限電流28A的條件下,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會(huì)低于11V(RCLAMP2504N為14.2V),對(duì)系統(tǒng)的防護(hù)效果更好。
在1A附近的鉗位電壓的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):SENC26F3V4UC的鉗位電壓6.32V@1.28A, RCLAMP2504N的鉗位電壓4.8V@1.44A,兩者差別不大(規(guī)格書上 SENC26F3V4UC的余量留的比較足,標(biāo)的典型值7V,最大值10V;RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是這個(gè)值已經(jīng)和實(shí)測(cè)的典型值接近了。)
SENC26F3V4UC第5號(hào)管腳可以接3.3V的VCC(RCLAMP2504N的5號(hào)管腳規(guī)格書提示不能接VCC,有風(fēng)險(xiǎn)),對(duì)3.3V提供比較好的防護(hù),對(duì)靠近接口部分的電源提供靜電和浪涌防護(hù),實(shí)際布線電源走線可以先連接到器件5號(hào)腳,再給到應(yīng)用電路。
- HDBaseT電路框圖
圖? 典型應(yīng)用圖
防護(hù)方案中所使用ESD型號(hào)參數(shù)描述(詳盡參數(shù)請(qǐng)與我司代理聯(lián)系):
信號(hào)線 | 型號(hào) | 描述 | 電流
A |
鉗位電壓
V |
電容
pF |
封裝 |
HDBT+
HDBT- |
SENC26F3V4UC | 3.3V
單向 ESD30kV |
40 | 7 | 4 | DFN2626-10L |
D+/D- | SEUC10F5V4U | 5.0V
單向 ESD12kV |
4.5 | 9 | 0.3 | DFN2510-10L |
REMOTE/CLK
DAT/OUT |
SEUC236T5F4U | 5
單向 ESD12kV |
4.5 | 9 | 0.3 | SOT-23-6L |
TP+/TP- | SELC3D3V1BA
SELC3D5V1BA |
3.3/5V
雙向 ESD15kV |
20 | 20 | 0.8 | SOD323 |
VCC/GND
D+/D- |
SELC143T5V2UB | 5V
單向 ESD15kV |
5 | 9 | 0.6 | SOT-143 |
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