基本問題光刻的基礎(chǔ)概念
光刻的基本工藝流程:光刻工藝主要包括涂膠(spin coating)、軟烘(soft bake)、對準(zhǔn)(alignment)、曝光(exposure)、顯影(developing)和硬烘(hard bake)。在這些步驟中,光刻膠被涂覆在晶圓表面,通過曝光和顯影形成特定的圖案。
關(guān)鍵尺寸(CD):關(guān)鍵尺寸是指在半導(dǎo)體制造中,器件或線條的最小可控制尺寸。CD直接影響到芯片的性能和產(chǎn)量。
光譜范圍:光刻中使用的光源的波長范圍。常見的光譜范圍包括紫外光(如G線、i線)和深紫外光(如KrF和ArF)。
分辨率:光刻工藝中能夠分辨的最小特征尺寸。分辨率受光源波長和數(shù)值孔徑(NA)的影響。根據(jù)瑞利準(zhǔn)則,分辨率公式為R= kl * λ/NA,λ代表光源波長,NA代表物鏡的數(shù)值孔徑,kl代表光刻工藝因子。
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