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NIV3071 eFuse 在汽車應用中的優(yōu)勢

04/23 08:35
1961
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簡介

汽車電氣化推動了電子保險絲“eFuse”取代機械繼電器熔斷器,以實現(xiàn)更緊湊、更高效的解決方案。NIV3071 eFuse 可保護下游電路免受過流、過溫和接地短路事件的影響,并可通過開漏 FAULT 引腳提供故障指示器。該器件具有四個集成高側(cè)通道,可以通過 EN 引腳獨立控制,也可以并聯(lián)在一起以用于更大的負載。該器件具有可配置的電流限制功能和導通時間,可支持多種負載。

汽車應用中的 NIV3071

在汽車應用中使用 NIV3071 有幾個優(yōu)勢。該器件采用 6x5 mm 封裝,與機械繼電器和熔斷器等傳統(tǒng)解決方案相比,大大減少了所需的電路板面積。與這些傳統(tǒng)解決方案相比,eFuse 在發(fā)生故障時無需更換,因為其保護功能將同時保護器件和負載,從而在整個車輛中實現(xiàn)分布式區(qū)域控制架構(gòu)。該器件有兩個版本:鎖存型和自動重試型。如果發(fā)生故障,鎖存器件將鎖閉,直到通過切換 EN 引腳或功率循環(huán)發(fā)送命令為止。自動重試器件將等待 3 ms,如果進入熱關(guān)斷保護,則會等待足夠冷卻芯片的時間,然后再嘗試重新導通。

與傳統(tǒng)保險絲相比,NIV3071 的另一個優(yōu)勢是在發(fā)生故障時,其短路響應時間非???,僅為 6 s。與圖 1 所示的傳統(tǒng)保險絲相比,這分別降低了峰值電流和功耗,對任何相關(guān)線束的峰值電流和額定功率都有益。此外,快速響應時間可防止輸入電源電壓驟降,從而保護任何安全攸關(guān)的負載以及使用同一電源的其他負載,如圖 2 所示。

圖 1.左側(cè)插片式保險絲,中心 PTC,右側(cè) NIV3071 eFuse

圖 2.同一電源上有多個 eFuse

NIV3071 由四個集成通道組成,可以獨立驅(qū)動,也可以并聯(lián)在一起,以提供更多負載電流,如圖 3 所示。輸入可以由不同的電源或公共電源供電。憑借這種靈活性,NIV3071 可以通過同一器件輕松支持 48 V 和 12 V 負載。這在汽車應用中非常有利,因為通過一個器件即可保護 ECU(電子控制單元)中的 48 V 和 12 V 負載。

圖 3.NIV3071 的配置

該器件應與穩(wěn)壓電源搭配使用。由于該器件具有 UVLO 功能且無反向電流保護,因此不建議用在需要冷啟動和拋負載(負載突降)的其他汽車應用。

動態(tài)特性和注意事項

導通時序 NIV3071 具有受控導通功能,可以通過導通延遲時間 (Tdly(On)) 和導通時間 (tRAMP(On)) 進行描述,如圖 4 所示:

圖 4.NIV3071 的導通時序

導通延遲時間定義為 EN 引腳達到其最大值的 90% 到輸出端達到標稱電壓的 10% 之間的時間。導通時間定義為輸出端達到標稱電壓的 10% 至 90% 之間的時間。如果 EN 引腳上出現(xiàn)任何瞬時電壓尖峰,或者微控制器在加電時發(fā)送正確邏輯信號略有延遲,則導通延遲時間會用作去毛刺濾波器,以確保在預期導通時間安全啟動負載。

導通時間功能可以通過外部電容進行配置。要正確使用導通時間功能,必須考慮負載類型。雖然對于容性負載來說,增加導通時間有助于減少浪涌電流尖峰,但對于阻性負載,隨著輸出電壓上升,消耗的電流將持續(xù)增加。由于該直流電流和延長的輸出導通時間會導致在器件上產(chǎn)生電壓梯度,器件將消耗大量功率,并可能在器件完全導通之前進入熱關(guān)斷狀態(tài)以保護芯片。這取決于輸入電壓、輸出電壓導通時間、負載電流曲線和環(huán)境溫度。

浪涌電流控制

NIV3071 和安森美 (onsemi) 的其他 eFuse 具有浪涌電流控制功能,可限制導通容性負載時出現(xiàn)的峰值電流。該功能由一個外部引腳控制,該引腳可以保持開路,或者在 dvdt 引腳和地之間使用一個較小值的陶瓷電容。通過向該引腳添加電容,可以延長輸出導通時間,從而降低峰值電流,可以表示為:

以下關(guān)系式可用于控制給定 Cload 下的峰值電流:

圖 5.導通時間與 dv/dt 引腳電容的關(guān)系

使用上述公式和圖 5,用戶可以設(shè)置導通容性負載時的最大浪涌電流。下面的圖 6 和圖 7 提供了一個測試用例:

圖 6.浪涌電流控制測試用例

圖 7.測試用例的測量結(jié)果

大容性負載和肖特基二極管

對于較大的容性負載(和低電流直流負載),可以在輸出和輸入之間放置一個肖特基二極管,如圖 8 所示,以在器件關(guān)斷時保護 eFuse 的體二極管免受過大反向電流的影響。一旦輸入電壓降至 UVLO 以下,器件就會關(guān)斷,由于輸出電容在完全放電之前維持輸出電壓,這會在器件上產(chǎn)生反向電壓。與此同時,負電壓對肖特基二極管進行偏置,提供了在器件周圍放電的路徑,如圖 9 中的測量結(jié)果所示。

圖 8.使用肖特基二極管防止反向電流情況

圖 9.測量流經(jīng)器件和外部肖特基二極管的電流

關(guān)閉感性負載

在輸出端發(fā)生接地短路或過流故障事件期間,NIV3071 可快速關(guān)斷以同時保護器件和下游電路。如果電源路徑中存在很大的電感(例如電纜),則快速關(guān)斷將導致電壓尖峰超過器件的額定電壓。為了緩解這些電壓尖峰,可以使用多種選項??梢栽谳斎牒徒拥囟酥g放置一個 TVS 二極管,而肖特基二極管可以作為續(xù)流二極管與負載并聯(lián)放置。此外,RC 緩沖電路可與負載并聯(lián)使用。如果具體應用中的預期電感超過 5 uH,則強烈建議使用外部肖特基二極管或緩沖器。

總結(jié)

隨著汽車市場的電氣化趨勢不斷升級,且 48 V 系統(tǒng)越來越普及,NIV3071 在汽車應用中具有諸多優(yōu)勢

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安森美

安森美

歷史安森美半導體前身是摩托羅拉集團的半導體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標準模擬和標準邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導體和富士通半導體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導體公司。2016年八月,安森美半導體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導體完成收購飛兆半導體公司。產(chǎn)品安森美半導體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務;定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標準邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯汀(Austin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

歷史安森美半導體前身是摩托羅拉集團的半導體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標準模擬和標準邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導體和富士通半導體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導體公司。2016年八月,安森美半導體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導體完成收購飛兆半導體公司。產(chǎn)品安森美半導體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務;定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標準邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯汀(Austin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社收起

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