近日,包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看,目前在碳化硅領(lǐng)域,國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕,國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力,產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟,下文將進(jìn)一步說明最新情況。
SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布
Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)
近日,據(jù)外媒消息,Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲,最早將于2025年開始。
據(jù)悉,該工廠由Wolfspee主導(dǎo)建設(shè),位于薩爾州恩斯多夫,預(yù)計(jì)耗資約27.5億歐元(約合人民幣215億),目前已獲得德國聯(lián)邦政府3.6億歐元(約合人民幣28億)及薩爾州政府1.55億歐元(約合人民幣12億)的補(bǔ)貼。Wolfspeed還在申請《歐洲芯片法案》的資金援助。
官網(wǎng)消息顯示,2023年2月采埃孚宣布與Wolfspeed建立伙伴關(guān)系,一方面雙方將在德國紐倫堡成立SiC半導(dǎo)體研發(fā)中心,另一方面Wolfspeed將在德國薩爾州建設(shè)世界上最大、最先進(jìn)的200毫米SiC晶圓工廠,采埃孚將給Wolfspeed提供數(shù)億美元的財(cái)務(wù)投資,以換取該工廠的少數(shù)股份。
業(yè)內(nèi)人士透露,Wolfspeed 希望在奠基儀式前獲得更多資金,如果無法從該法案中獲得援助,該項(xiàng)目極有可能會(huì)延遲。該工廠原計(jì)劃于2024 年夏季開始建設(shè),但據(jù)Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe透露,如今可能要到2025年才會(huì)啟動(dòng)建設(shè)。
近日,Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉,該工廠將制造 200mm 碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能,滿足對于能源轉(zhuǎn)型和 AI 人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。
韓國釜山將新建2座8英寸SiC/GaN工廠
4月6日,據(jù)韓媒報(bào)道,韓國釜山市正計(jì)劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,最快將于明年下半年開始。據(jù)悉,釜山市政府計(jì)劃投資400億韓元(約合人民幣2.2億),在東南地區(qū)—放射線醫(yī)科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建一座采用SiC、GaN等新一代材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,該項(xiàng)目已獲得國家及市級基金資助。
其次,他們將在機(jī)張郡成立一座新的功率半導(dǎo)體技術(shù)研究所,該研究所將接管位于功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心(PSCC)的6英寸功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,并安裝運(yùn)營新的8英寸生產(chǎn)設(shè)施,支持入駐企業(yè)開展1700V級高壓器件技術(shù)研發(fā)等技術(shù)工作,同時(shí)開展盈利業(yè)務(wù),計(jì)劃于明年下半年開始建立。
與此同時(shí),位于功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心(PSCC)的20多家半導(dǎo)體公司還計(jì)劃投資1.1萬億韓元(約合人民幣60億),以打造下一代功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。
科友和俄羅斯N公司達(dá)成合作,開展“完美八英寸碳化硅籽晶”項(xiàng)目
4月3日,科友半導(dǎo)體宣布,他們于3月27日與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。據(jù)稱,俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制方面有著豐富的研究經(jīng)驗(yàn),在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。
科友半導(dǎo)體表示,通過與俄羅斯N公司的合作,他們將研發(fā)獲得“無微管,低位錯(cuò)”完美籽晶,應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進(jìn)行晶體生長,會(huì)進(jìn)一步大幅降低8英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度,從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率,并推動(dòng)碳化硅長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。
此前,科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%,晶體厚度15mm以上。2022年底,科友半導(dǎo)體在通過自主設(shè)計(jì)制造的電阻長晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的SiC單晶,晶體表面光滑無缺陷。此外,在今年3月,科友半導(dǎo)體成功拿下了超2億元的出口歐洲SiC長訂單,首批產(chǎn)品將在4月交付;并且順利通過“國際汽車特別工作組質(zhì)量管理體系”(IATF16949)認(rèn)證,進(jìn)軍新能源汽車芯片襯底市場。
SiC產(chǎn)業(yè)從6英寸向8英寸邁進(jìn)國內(nèi)外企業(yè)加速布局
目前,SiC/GaN熱度高漲,其中SiC產(chǎn)業(yè)6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型趨勢加速,國際方面8英寸晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕,國產(chǎn)廠商方面則有更多更多廠家具備量產(chǎn)能力,產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟。
國際方面,海外大廠Wolfspeed、英飛凌、博世、onsemi等公司8英寸晶圓量產(chǎn)時(shí)間集中于2024年下半年至2026年期間。Wolfspeed目前8英寸器件已公布,預(yù)計(jì)2024年第二季產(chǎn)能利用率達(dá)20%以上;onsemi在2024年韓國廠正式運(yùn)行,該公司預(yù)計(jì)今年產(chǎn)能為去年的1.7倍;2026年產(chǎn)能規(guī)劃約為80萬片;ST預(yù)計(jì)今年碳化硅營收在20億以上;英飛凌則表示今年居林廠開始量產(chǎn)8英寸碳化硅和氮化鎵器件,預(yù)計(jì)到2027年產(chǎn)能約為80萬片,為2023年初的10倍...
國內(nèi)廠商在量產(chǎn)時(shí)間上與國際大廠仍然存在一定時(shí)間差,但是目前天岳先進(jìn)、天科合達(dá)兩家大廠已經(jīng)成功打入全球?qū)щ娦?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%A1%85%E8%A1%AC%E5%BA%95/">碳化硅襯底材料市場前十榜單。天域半導(dǎo)體則在碳化硅外延片處于領(lǐng)先地位。
近日,根據(jù)中國國際招標(biāo)網(wǎng)信息顯示,天科合達(dá)北京基地正在招標(biāo)8英寸襯底量產(chǎn)線設(shè)備,包含加工產(chǎn)線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測試設(shè)備等產(chǎn)品。表明天科合達(dá)將進(jìn)一步布局8英寸量產(chǎn)產(chǎn)能。據(jù)悉,在今年3月20日舉行的SEMICON China 2024展會(huì)上,天科合達(dá)就已經(jīng)展出了公司的8英寸導(dǎo)電襯底(500um),8英寸導(dǎo)電襯底(350um)和8英寸的外延片產(chǎn)品。天科合達(dá)表示公司將打造襯底+外延的一體化解決方案,提供豐富的產(chǎn)品組合,為客戶提供更全面的保障和服務(wù)。
天岳先進(jìn)用液相法制備的無宏觀缺陷的8英寸襯底是業(yè)內(nèi)首創(chuàng),天岳先進(jìn)采用最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破60mm,對提升產(chǎn)能有積極意義。在SEMICON展會(huì)中,天岳先進(jìn)也展出了6/8英寸襯底產(chǎn)品。據(jù)該公司消息,其已在8英寸碳化硅襯底上已經(jīng)具備量產(chǎn)能力,根據(jù)下游客戶需求情況合理規(guī)劃產(chǎn)品產(chǎn)銷安排。
天域半導(dǎo)體在SEMICON中重點(diǎn)展示了6/8英寸SiC外延片、SiC MOS管等產(chǎn)品。官方表示,公司于2021年開始了8英寸的技術(shù)儲(chǔ)備,于2023年7月進(jìn)行了8英寸外延片的產(chǎn)品的小批量送樣;超過千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明8英寸SiC外延水平與6英寸外延水平相當(dāng)。今年2月3日消息,據(jù)廣東政務(wù)服務(wù)網(wǎng)等透露,天域半導(dǎo)體“總部及生產(chǎn)制造中心建設(shè)項(xiàng)目”位于東莞市生態(tài)產(chǎn)業(yè)園,將分期建設(shè),其中2號廠房為項(xiàng)目一期內(nèi)容,1、3號廠房為項(xiàng)目二期內(nèi)容。項(xiàng)目一期投資金額約為19.14億元,將購置71臺(tái)外延爐,搭建年產(chǎn)能約17 萬片的6 /8 英寸SiC外延片生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)6 英寸產(chǎn)能占比約90%,8 英寸產(chǎn)能占比約10%。
此外,還有許多國產(chǎn)企業(yè)如湖南三安、南砂晶圓、晶盛機(jī)電、合盛硅業(yè)等在8英寸SiC襯底、設(shè)備等領(lǐng)域取得進(jìn)展突破。此外,爍科晶體、同光股份、乾晶半導(dǎo)體、超芯星、粵海金、東尼電子、天成半導(dǎo)體等廠商也已經(jīng)涉足8英寸SiC襯底,未來,有望誕生更多8英寸襯底材料、設(shè)備等方面的先進(jìn)技術(shù),推動(dòng)國產(chǎn)化進(jìn)程。
TrendForce集邦咨詢此前表示,從6英寸升級到8英寸,襯底的加工成本有所增加,但可以提升芯片產(chǎn)量,8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸SiC晶圓的1.8倍,向8英寸轉(zhuǎn)型,是降低SiC器件成本的可行之法。同時(shí)8英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀,減少邊緣翹曲度,降低缺陷密度,從而提升良率,采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。各大廠商積極布局8英寸,技術(shù)方面持續(xù)突破,有助于推動(dòng)良率提升,對于未來8英寸大規(guī)模普及意義重大。