近26億元！6個(gè)車規(guī)IGBT項(xiàng)目簽約/投產(chǎn)/開(kāi)工

據(jù)“行家說(shuō)動(dòng)力總成”不完全統(tǒng)計(jì)，合計(jì)6個(gè)汽車IGBT項(xiàng)目簽約、投產(chǎn)、開(kāi)工，總投資額近26億元。

揚(yáng)杰科技：新能源車用IGBT/SiC項(xiàng)目簽約2月4日，據(jù)“邗江發(fā)布”消息，2024年維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式在迎賓館舉行。當(dāng)天共簽約7個(gè)項(xiàng)目，總投資約58億元，其中涉及一個(gè)IGBT/SiC項(xiàng)目——揚(yáng)杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目。

據(jù)了解，該項(xiàng)目總投資5億元，主要從事車規(guī)級(jí)IGBT模塊、DICMOSFET模塊的研發(fā)制造，全部建成投產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年開(kāi)票銷售5億元，年納稅1500萬(wàn)元。

希爾電子：新項(xiàng)目大樓下半年將投用

3月5日，據(jù)“樂(lè)山發(fā)布”消息，樂(lè)山希爾電子股份有限公司的新項(xiàng)目大樓預(yù)計(jì)將在今年下半年逐步投用，屆時(shí)將新增4個(gè)品類的生產(chǎn)線，全部投用后可實(shí)現(xiàn)年銷售額10億元。

據(jù)了解，希爾電子成立于2000年5月，專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造及銷售，主要產(chǎn)品為IGBT、FRD及整流器件三大系列，應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)電源、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域。

目前，希爾電子自主研發(fā)的IGBT、FRD等產(chǎn)品多項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)行業(yè)首創(chuàng)，其碳化硅功率器件已逐步量產(chǎn)，氮化鎵功率器件已經(jīng)進(jìn)入樣品試制階段。

新佳電子：IGBT/SiC項(xiàng)目入選省重點(diǎn)項(xiàng)目

2月22日，據(jù)“威海新聞網(wǎng)”消息，山東省發(fā)展改革委、省自然資源廳、省生態(tài)環(huán)境廳聯(lián)合印發(fā)《首批省級(jí)數(shù)字產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目名單》，威海市共計(jì)8個(gè)項(xiàng)目入選，涉及集成電路、能源電子、新型電子材料等多領(lǐng)域。其中包括一個(gè)IGBT/SiC項(xiàng)目——新佳電子高功率密度IGBT及SiC功率半導(dǎo)體模塊封裝產(chǎn)業(yè)化升級(jí)項(xiàng)目。

據(jù)了解，該項(xiàng)目總投資3800萬(wàn)元，項(xiàng)目產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體器件，包括IGBT模塊，SiC功率模塊。項(xiàng)目產(chǎn)品的封測(cè)技術(shù)為新佳公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)，部分已申請(qǐng)發(fā)明專利。項(xiàng)目完成后可新增功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)能力100萬(wàn)只/年，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可新增銷售收入11000萬(wàn)元，利稅1656萬(wàn)元。

北一半導(dǎo)體：晶圓工廠項(xiàng)目簽約

1月31日，據(jù)“牡丹江發(fā)布”消息，牡丹江（穆棱）北一半導(dǎo)體科技有限公司旗下的晶圓工廠和分立器件生產(chǎn)加工兩個(gè)項(xiàng)目簽約落戶牡丹江穆棱經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，牡丹江首家晶圓廠即將誕生。

據(jù)了解，北一半導(dǎo)體晶圓工廠項(xiàng)目總投資20億元，項(xiàng)目新上國(guó)外先進(jìn)6英寸晶圓生產(chǎn)線1條，產(chǎn)品應(yīng)用于變頻器、UPS、工業(yè)控制、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域。全部達(dá)產(chǎn)后，年產(chǎn)6英寸晶圓100萬(wàn)片，年產(chǎn)值達(dá)10億元以上。

東海半導(dǎo)體：車規(guī)級(jí)IGBT生產(chǎn)項(xiàng)目

2023年12月1日，無(wú)錫市科泓環(huán)境工程技術(shù)有限責(zé)任公司公示“東海半導(dǎo)體年產(chǎn) 2000 萬(wàn)只車規(guī)級(jí) IGBT 與特種二極管生產(chǎn)項(xiàng)目”環(huán)評(píng)表。

據(jù)公告，該項(xiàng)目位于無(wú)錫市新吳區(qū)碩放街道中通東路 88 號(hào)，總投資1000萬(wàn)元，其中環(huán)保投資5萬(wàn)元，主要從事半導(dǎo)體分立器件制造。項(xiàng)目建成后，全廠生產(chǎn)規(guī)模為：年產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件 20000 萬(wàn)只、集成電路 7300 萬(wàn)只、功率VDMOS 器件 3000 萬(wàn)只、多排貼片式功率器件 19000 萬(wàn)只、車規(guī)級(jí) IGBT 與特種二極管2000 萬(wàn)只。

慶虹電子：電子半導(dǎo)體模組改擴(kuò)建項(xiàng)目

23年11月23日，廣州開(kāi)發(fā)區(qū)公布關(guān)于“廣東慶虹電子有限公司年產(chǎn)50萬(wàn)件電子半導(dǎo)體模組改擴(kuò)建項(xiàng)目”環(huán)境影響報(bào)告表的批復(fù)。

據(jù)了解，該項(xiàng)目新增晶片安裝機(jī)、晶片抽真空回流焊、焊線機(jī)、錫膏印刷機(jī)、超聲波清洗機(jī)等生產(chǎn)設(shè)備（具體詳見(jiàn)《報(bào)告表》），以DBC 基板、有機(jī)硅膠（AB 膠）、銅底板、IGBT（晶體管）、二極管、ST-120T 清洗劑等為主要原輔材料，年增產(chǎn)40萬(wàn)件電子半導(dǎo)體模組，改擴(kuò)建完成后全廠年產(chǎn)50萬(wàn)件電子半導(dǎo)體模組。