Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

Nexperia再次在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應(yīng)用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET

PoE交換機通常有多達(dá)48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護(hù)。單個PCB上有多達(dá)96個MOSFET，小型化器件封裝尺寸的解決方案極具吸引力。為此，Nexperia發(fā)布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封裝的100 V PoE ASFET，與以前采用LFPAK33封裝的版本相比，占用的空間減少了60%。這些器件的一個關(guān)鍵功能是通過限制浪涌電流來保護(hù)PoE端口，同時安全地管理故障情況。為了應(yīng)對這種情況，Nexperia將這些器件的安全工作區(qū)(SOA)增強了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。 這些ASFET還適用于電池管理、Wi-Fi熱點、5G微微蜂窩和閉路電視應(yīng)用，并且可以替代智能恒溫器中的機械式繼電器等。

由MOSFET開關(guān)引起的EMC相關(guān)問題通常只出現(xiàn)在產(chǎn)品開發(fā)周期的后期，解決這些問題可能會產(chǎn)生額外的研發(fā)成本并延遲市場發(fā)布。典型的解決方案包括使用更昂貴且RDS(on)較低的MOSFET（以減慢開關(guān)速度并吸收過多的電壓振鈴）或安裝外部電容緩沖器電路，但這種方法的缺點是會增加元件數(shù)量。Nexperia優(yōu)化了其40 V NextPowerS3 MOSFET，以提供與使用外部緩沖器電路可實現(xiàn)的相似的EMC性能，同時還提供更高的效率。這些MOSFET采用LFPAK56封裝，適用于各種應(yīng)用的開關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機控制器。

Nexperia MOSFET營銷和產(chǎn)品部總監(jiān)Chris Boyce說道：“通過在APEC 2024上推出我們的分立式FET解決方案的最新產(chǎn)品系列，Nexperia展示了我們?nèi)绾卫梦覀儗I(yè)的研發(fā)知識來提供優(yōu)化的解決方案。新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改進(jìn)的EMC性能都表明了我們堅定支持工程師克服各種應(yīng)用挑戰(zhàn)的決心。這些創(chuàng)新凸顯了Nexperia致力于提供高效、緊湊和可靠的解決方案，幫助我們的客戶在當(dāng)今不斷發(fā)展的市場中取得成功。”