Power Integrations推出InnoSwitch5離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC

零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)加上先進(jìn)的SR FET控制技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)95%的效率、縮小電源尺寸并減少元件數(shù)目

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日宣布推出InnoSwitch?5-Pro系列高效率、可數(shù)字控制的反激式開(kāi)關(guān)IC。這款單芯片開(kāi)關(guān)IC采用創(chuàng)新的次級(jí)側(cè)控制方式，無(wú)需額外使用高成本的專(zhuān)用高壓開(kāi)關(guān)即可實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)，效率超過(guò)95%。這款新IC內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級(jí)開(kāi)關(guān)、初級(jí)側(cè)控制器、FluxLink?隔離反饋功能和具有I2C接口的次級(jí)控制器，可優(yōu)化緊湊型、高效率單口或多口USB PD適配器的設(shè)計(jì)和制造。其應(yīng)用領(lǐng)域包括筆記本電腦、高端手機(jī)和其他便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品，包括要求支持新的USB PD EPR（擴(kuò)展功率范圍）協(xié)議的設(shè)計(jì)。

Power Integrations高級(jí)產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Adnaan Lokhandwala表示：“ZVS與GaN（氮化鎵）相結(jié)合，能為電源注入神奇魔力。開(kāi)關(guān)損耗幾乎為零，并且我們可以利用GaN的低導(dǎo)通損耗來(lái)實(shí)現(xiàn)超緊密的適配器布局，其元件數(shù)量遠(yuǎn)少于非對(duì)稱(chēng)半橋(AHB)電路或有源鉗位方案。例如，我們?cè)故具^(guò)一款設(shè)計(jì)出為140W/28V的USB PD適配器，它僅使用了106個(gè)元件，體積只有4.2立方英寸（約68.8立方厘米）。InnoSwitch5-Pro IC采用的反激式拓?fù)湎鄬?duì)于AHB從電路上更加容易實(shí)現(xiàn)，并且在通用輸入電壓下無(wú)論是否使用PFC級(jí)均可正常工作?！?/p>

InnoSwitch5-Pro反激式開(kāi)關(guān)IC的次級(jí)側(cè)具有無(wú)損耗輸入電壓檢測(cè)功能，可進(jìn)行自適應(yīng)的DCM/CCM和ZVS控制，從而在整個(gè)輸入電壓和負(fù)載范圍內(nèi)提高效率并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該IC還具有產(chǎn)品下線(xiàn)后輸出公差的補(bǔ)償功能，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)于2%的高精度輸出恒流(CC)控制，以支持UFCS協(xié)議。整體系統(tǒng)效率極高，可超過(guò)95%，使設(shè)計(jì)人員能夠省去熱管理所需的散熱片、導(dǎo)熱片和灌封材料，從而進(jìn)一步減小尺寸，降低元件成本和制造復(fù)雜性。

InnoSwitch5-Pro系列反激式開(kāi)關(guān)IC的主要市場(chǎng)包括有高功率密度要求且需滿(mǎn)足USB PD 3.1擴(kuò)展功率范圍(EPR)、UFCS和其它多種充電協(xié)議的適配器、筆記本電腦適配器以及非原裝單口和多口輸出的充電器和適配器。

供貨及相關(guān)資源

InnoSwitch5-Pro器件基于10,000片的訂貨量單價(jià)為每片2.40美元。