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ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

01/23 14:05
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非常適用于汽車LED前照燈等高速開關(guān)應(yīng)用

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備等的電源電路保護(hù)電路,推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)“YQ系列”。

二極管的種類有很多,其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD,其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD,因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品,其trr比平面結(jié)構(gòu)的要差,因此在用于開關(guān)應(yīng)用時(shí)存在功率損耗增加的課題。針對(duì)這種課題,ROHM推出采用自有的溝槽MOS結(jié)構(gòu)、同時(shí)改善了存在權(quán)衡關(guān)系的VF和IR、并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快trr的YQ系列產(chǎn)品。

“YQ系列”是繼以往支持各種電路應(yīng)用的4個(gè)SBD系列之后推出的新系列產(chǎn)品,也是ROHM首款采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的二極管。該系列利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快的trr(15ns),與同樣采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的普通產(chǎn)品相比,trr單項(xiàng)的損耗降低約37%,總開關(guān)損耗降低約26%,因此,有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。另外,通過采用溝槽MOS結(jié)構(gòu),與以往采用平面結(jié)構(gòu)的SBD相比,正向施加時(shí)的損耗VF*2和反向施加時(shí)的損耗IR*3均得到改善。這不僅可以降低在整流應(yīng)用等正向使用時(shí)的功率損耗,還可以降低對(duì)于SBD而言最令人擔(dān)心的熱失控風(fēng)險(xiǎn)*4。這些優(yōu)勢(shì)使得該系列產(chǎn)品非常適用于容易發(fā)熱的車載LED前照燈的驅(qū)動(dòng)電路、xEV用的DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要進(jìn)行高速開關(guān)的應(yīng)用。

新產(chǎn)品從2023年12月起全部投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格:300日元~/個(gè),不含稅),樣品可通過Ameya360、Sekorm、Right IC等網(wǎng)售平臺(tái)購買。今后,ROHM將持續(xù)努力提高從低耐壓到高耐壓半導(dǎo)體元器件的品質(zhì),并繼續(xù)加強(qiáng)別具特色的產(chǎn)品陣容,為應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化和更低功耗貢獻(xiàn)力量。

<關(guān)于SBD的溝槽MOS結(jié)構(gòu)>

溝槽MOS結(jié)構(gòu)是在外延層中形成溝槽(溝槽MOS)并用多晶硅填充的結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)可以緩和電場(chǎng)集中,從而可以降低外延層的電阻率,在正向施加時(shí)VF更低。另外,當(dāng)反向施加時(shí),可以緩和電場(chǎng)集中現(xiàn)象,從而實(shí)現(xiàn)更低的IR。前述的“YQ系列”通過采用這種溝槽MOS結(jié)構(gòu),與以往產(chǎn)品相比,VF改善了約7%,IR改善了約82%。另一方面,在普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)中,寄生電容(元器件中的電阻分量)較大,因此trr要比平面結(jié)構(gòu)的差?!癥Q系列”不僅改善了VF和IR,而且還利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了約15ns的業(yè)界超快trr。由于可將開關(guān)時(shí)的損耗降低約26%,因此非常有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。

<應(yīng)用示例>

  • 汽車LED前照燈
  • xEV用DC-DC轉(zhuǎn)換器
  • 工業(yè)設(shè)備電源 ?照明

<產(chǎn)品陣容表>

<支持頁面和資源信息>

ROHM的官網(wǎng)提供可以了解新產(chǎn)品電路優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用指南,以及介紹包括新產(chǎn)品在內(nèi)的各SBD系列產(chǎn)品特點(diǎn)的白皮書。在SBD產(chǎn)品頁面中,可以通過輸入耐壓條件等參數(shù)來縮小產(chǎn)品范圍,有助于設(shè)計(jì)時(shí)順利選擇產(chǎn)品。詳情請(qǐng)?jiān)L問以下網(wǎng)址:

  • ROHM的SBD產(chǎn)品頁面 https://www.rohm.com.cn/products/diodes/schottky-barrier-diodes
  • 應(yīng)用指南

《車載用小型高效肖特基勢(shì)壘二極管“YQ系列”的優(yōu)勢(shì)》 https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-c.pdf

  • 白皮書

有助于車載、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備小型化并降低損耗的ROHM SBD產(chǎn)品陣容 https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-c.pdf

<電商銷售信息>

電商平臺(tái):Ameya360、Sekorm、Right IC

產(chǎn)品型號(hào):見上表。

新產(chǎn)品在其他電商平臺(tái)也以開始逐步發(fā)售。

<術(shù)語解說>

*1) 反向恢復(fù)時(shí)間:trr(Reverse Recovery Time)

開關(guān)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低,開關(guān)時(shí)的損耗越小。

*2) 正向電壓:VF(Forward Voltage)

當(dāng)電流沿從+到-的方向流動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的電壓降。該值越低,效率越高。

*3) 反向電流:IR(Reverse Current)

反向施加電壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。該值越低,功耗(反向功耗)越小。

*4) 熱失控

當(dāng)向二極管施加反向電壓時(shí),內(nèi)部的芯片發(fā)熱量超過了封裝的散熱量,導(dǎo)致IR值增加,最終造成損壞的現(xiàn)象稱為“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發(fā)生熱失控,因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要格外注意。

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C0603C472K5RAC7411 1 KEMET Corporation Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 4700pF, 50V, ±10%, X7R, 0603 (1608 mm), -55o ~ +125oC, 13" Reel/Unmarked

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羅姆

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ROHM公司總部在日本京都,是著名電子元件制造商。公司1958年成立,開始制造電阻器件,公司名稱源自于此。1965年進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域。ROHM公司采用先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn)電子元器件,包括一些最先進(jìn)的自動(dòng)化技術(shù),因此能夠始終處于元件制造業(yè)的最前列.

ROHM公司總部在日本京都,是著名電子元件制造商。公司1958年成立,開始制造電阻器件,公司名稱源自于此。1965年進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域。ROHM公司采用先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn)電子元器件,包括一些最先進(jìn)的自動(dòng)化技術(shù),因此能夠始終處于元件制造業(yè)的最前列.收起

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