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ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅動器IC

2023/10/19
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全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款超高速驅動GaN器件的柵極驅動器IC“BD2311NVX-LB”。

近年來,在服務器系統(tǒng)等領域,由于IoT設備的需求日益增長,電源部分的功率轉換效率提升和設備的小型化已經成為重要的社會課題,而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外,不僅在自動駕駛領域,在工業(yè)設備和社會基礎設施監(jiān)控等領域應用也非常廣泛的LiDAR*1,也需要通過高速脈沖激光照射來進一步提高識別精度。

在這類應用中,必須使用高速開關器件,因此,ROHM在推出支持高速開關的GaN器件的同時,還開發(fā)出可更大程度地激發(fā)出GaN器件性能的超高速驅動柵極驅動器IC。不僅如此,ROHM還會不定期推出更小型的WLCSP*2產品,助力應用產品的小型化。

新產品實現(xiàn)了納秒(ns)量級的柵極驅動速度,從而使GaN器件可實現(xiàn)高速開關。之所以能實現(xiàn)該特性,離不開ROHM對GaN器件的深入研究以及對柵極驅動器IC性能的追求。通過最小柵極輸入脈寬為1.25納秒的高速開關,助力應用產品實現(xiàn)小型化、進一步節(jié)能和更高性能。

另外,新產品通過采用ROHM自有的驅動方式、搭載柵極輸入波形過沖*3(一直以來的難題)抑制功能,可以防止因過電壓輸入而導致的GaN器件故障;通過集成ROHM的EcoGaN?,還可以簡化配套產品的設計,有助于提高應用產品的可靠性。不僅如此,針對多樣化的應用需求,還可以通過調整柵極電阻,來選擇理想的GaN器件。

新產品已于2023年9月開始量產(樣品價格900日元/個,不含稅)。

ROHM擁有有助于節(jié)能和小型化的GaN器件產品陣容——“EcoGaN?”系列產品,未來,ROHM將通過提供與更大程度地激發(fā)出這些GaN器件性能的柵極驅動器IC相結合的電源解決方案,為實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會貢獻力量。

臺灣國立中央大學 電氣工程專業(yè) 辛裕明 教授

GaN器件有望成為一種在高頻范圍的性能表現(xiàn)優(yōu)于硅器件的產品。在功率開關應用中,特別是在DC-DC和AC-DC轉換器領域,GaN器件的高頻特性可提高功率密度,因而有助于實現(xiàn)更小型、更節(jié)能的電路

而要想更大程度地發(fā)揮出GaN器件的性能,不僅需要考慮GaN HEMT*4的低驅動電壓,可實現(xiàn)高速開關的柵極驅動器IC也是必不可缺的。ROHM致力于通過先進的驅動器驅動技術來更大程度地提高GaN器件的性能,這引起了我們的關注。我與劉宇晨教授(國立臺北科技大學)和夏勤教授(長庚大學)合作,對ROHM的柵極驅動器IC“BD2311NVX”進行了測試。

測試結果證實,與其他驅動器IC相比,BD2311NVX在降壓和升壓轉換器1MHz開關頻率下的上升時間更短,開關噪聲更小。

縮短驅動器IC的這種上升時間有助于更大程度地發(fā)揮出GaN在降低開關損耗方面的優(yōu)勢。另外,我們對于在電源和驅動器等的模擬技術方面優(yōu)勢顯著的ROHM GaN解決方案也抱有非常高的期望。

<在LiDAR中的應用示意圖>

<產品陣容>

<應用示例>

<參考設計信息>

ROHM官網(wǎng)上提供配備新產品、ROHM 150V GaN“EcoGaN?”和高輸出功率激光二極管的LiDAR用參考設計。通過參考設計,有助于減少應用產品的開發(fā)工時。 參考設計產品型號:REFLD002-1(矩形波型電路) REFLD002-2(諧振型電路)

<什么是EcoGaN?>

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能,助力應用產品進一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件,該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。

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ROHM公司總部在日本京都,是著名電子元件制造商。公司1958年成立,開始制造電阻器件,公司名稱源自于此。1965年進入半導體領域。ROHM公司采用先進的生產技術生產電子元器件,包括一些最先進的自動化技術,因此能夠始終處于元件制造業(yè)的最前列.

ROHM公司總部在日本京都,是著名電子元件制造商。公司1958年成立,開始制造電阻器件,公司名稱源自于此。1965年進入半導體領域。ROHM公司采用先進的生產技術生產電子元器件,包括一些最先進的自動化技術,因此能夠始終處于元件制造業(yè)的最前列.收起

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