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    • 01、潮流如暗流:黃教主上陣催單,臺積電慌忙擴產
    • 02、當傳統(tǒng)思路走到盡頭
    • 03、撞見未來,揭開先進封裝的神秘面紗
    • 04、多一重意義,對國內產業(yè)鏈意味著什么?
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沒有EUV光刻機,也造不了5nm、3nm,國產芯片如何突破?

2023/09/19
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閱讀需 17 分鐘
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潮流如暗流,迅猛而至,行業(yè)龍頭也被沖擊的手忙腳亂。

半導體加工的制程微縮游戲走到盡頭,先進封裝,逐漸成為芯片行業(yè)的勝負手。

01、潮流如暗流:黃教主上陣催單,臺積電慌忙擴產

年初,任誰也料想不到,今年的半導體產業(yè)會如此的冰火兩重天。在今年整個芯片行業(yè)由于去庫存滿目哀鴻遍野之際,英偉達AI芯片卻一顆難求,國內互聯(lián)網大佬們親自飛往英偉達總部加州,只為多求幾顆A800和H800。

這倒并不是黃教主奇貨可居,奈何是因為整個AI芯片行業(yè)都受困于臺積電產能不夠。

5月27日,黃教主明面上是到臺灣大學發(fā)表畢業(yè)典禮演講,創(chuàng)業(yè)大佬給后生的心靈雞湯固然好喝,但實際上,敦促臺積電擴產才是老黃此行的核心目的之一。據(jù)了解,臺積電已經在協(xié)調提升產能,預估2024年底將沖刺20萬片的產能,臺積電股東會上CEO魏哲家表示,將會在龍?zhí)稄S加大力度擴充CoWoS產能,竹南AP6廠也將加入支援。

不是說芯片代工產能過剩嗎,怎么還需要老黃親自跑到臺積電督戰(zhàn)?與一般的認知不同,這次吃緊的不是臺積電7nm、5nm這些先進制程晶圓代工,而是那些以前不被人重視的先進封裝,成為了整個產業(yè)鏈的最短板。

在半導體的行業(yè)分工中,封裝一直都是鄙視鏈最底部的存在,低附加值高資本開支,芯片企業(yè)盡量都是繞道走。

而這次AI芯片的缺貨潮使得先進封裝技術代表之一的CoWoS,第一次走到了聚光燈下,以前這一冷門的名詞,變得家喻戶曉;業(yè)內甚至夸張到可以直接通過跟蹤先進封裝CoWoS的產能,來預判英偉達的下個季度的業(yè)績,然后在英偉達的財報季瘋狂買入看漲期權。

如果自上而下做邏輯推演,那就是:產業(yè)巨頭爭相進行AI的軍備競賽—>AI軍備競賽需要大量AI芯片—>AI芯片需要臺積電代工—>臺積電代工被先進封裝CoWoS產能制約。

毫不夸張的說,先進封裝一夜烏雞變鳳凰,成為制約TMT行業(yè)發(fā)展的最大瓶頸。

哪怕作為半導體制造無可撼動的大哥,臺積電雖然仍在引領先進封裝,但顯然對這一潮流的迅猛之勢準備不足,在客戶的催促下,也只能緊急催單設備商去被動的增加CoWoS產能。

這也是第一次,大家不得不正視封裝這個行業(yè)。


圖:半導體產業(yè)鏈;中泰證券

02、當傳統(tǒng)思路走到盡頭

提高芯片性能最直接的方式盡可能多的增加晶體管的數(shù)量,這跟提升電動車續(xù)航靠堆更多的電池包別無二致。所以對于半導體行業(yè)的發(fā)展而言,先進芯片研發(fā)的傳統(tǒng)思路,從來都是“在晶體管上做文章”,簡單來說就是在制程微縮的同時擴大芯片面積。

其中,制程微縮的目的是為了在單位面積上放更多的晶體管,也就是我們常聽到的14nm、7nm、5nm、3nm,這樣可以把晶體管越做越小,自然單位面積能堆的晶體管就變多了;另外的方式是擴大面積,就是在給定制程的前提下,盡量把芯片做得更大。

可以說過去數(shù)十年,我們使用的電腦和手機的邏輯芯片,都是靠這種方法在續(xù)命。而這種方法發(fā)展到今日,已經無可避免的直接撞上兩大限制。

限制一,制程微縮的邊際收益越來越小。

其實從28nm之后,芯片設計中追求更先進的制程的性價比就越來越低了。根據(jù)芯原股份的招股書披露的數(shù)據(jù),芯片的單位面積成本在14/16nm 后迅速增加,摩爾定律不斷放緩。隨著制程從28nm 制程演變到5nm,單次的研發(fā)投入也從5000萬美元劇增至5億美元以上。

先進制程成了燒錢競賽,所以最先進的芯片,只剩下蘋果、英偉達、三星、AMD英特爾、聯(lián)發(fā)科、特斯拉、華為等少數(shù)幾家企業(yè)在做;年初OPPO無奈解散旗下的哲庫團隊,便是研發(fā)先進芯片高門檻的最好體現(xiàn)。

正是由于先進的投入產出比并不一定合適,所以很多芯片停留在28nm之后,便不再一味追求先進制程。

圖:不同工藝節(jié)點處于各應用時期的芯片設計成本(單位:百萬美元);來源:芯原股份招股說明書

限制二,大尺寸芯片的良率越來越低。

除了追求先進制程將晶體管密度提升外,另外一個方法就是把芯片做大,所謂大力出奇跡。然而這一樸素的方法也基本走到了盡頭。

仍然以英偉達的AI芯片為例。由于相較于傳統(tǒng)芯片,AI芯片為了實現(xiàn)極限性能將面積做的更大,英偉達的AI裸芯片尺寸通常超過800mm2,是普通手機主控芯片的數(shù)倍大;芯片太大帶來的直接問題就是生產的良率迅速降低。

業(yè)內有一個判別工藝制造良率的Bose-Einstein 模型:良率=1/(1+芯片面積*缺陷密度)n。從這個公式不難看出,單芯片的面積越大,良率就會越低。

有人自然會說了,良率低無所謂,多做幾個不就行了?這顯然是對工業(yè)化生產了解不夠,英偉達AI芯片現(xiàn)在單顆出售價在1萬美元以上,良率低帶來的損失誰都承受不起。

根據(jù)模型估算,150mm2的中大型芯片的良率約為80%,而700mm2以上的超大芯片,良率會暴跌至30%。而且根據(jù)業(yè)內人士透露,由于光刻掩膜版的尺寸限制,其實單個芯片的面積一般不超過800mm2,所以英偉達的AI芯片其實已經逼近面積上限。

當推動先進芯片進步的方法,都開始遭受前所未有的挑戰(zhàn),行業(yè)勢必要尋找新的續(xù)命手段。

03、撞見未來,揭開先進封裝的神秘面紗

雖然封裝行業(yè)不如芯片設計和晶圓代工那么引人注目,但得益于芯片種類的大發(fā)展,全球芯片封裝行業(yè)的規(guī)模也比較可觀,在2022年的市場規(guī)模超過了800億美元,是一個很難被忽視的行業(yè),只不過一直被貼上周期的標簽。

回歸到產業(yè),半導體封裝是半導體制造工藝的后道工序,本身是為了更好的讓芯片和其他電子元器件實現(xiàn)電氣連接;曾有業(yè)內人士做過一個形象的比喻,芯片就相當于大腦皮層,而封裝就像大腦的顱骨;所以在半導體的歷史長河中,封裝都是配角的存在,市場關注度并不高。只是先進封裝讓封裝行業(yè)第一次走到了臺前。

另外一個層面,封裝行業(yè)的技術發(fā)展也并不慢,不是所謂的“純周期”行業(yè)。

過去70年,封裝行業(yè)至少經歷了四次大的技術變革。尤其是從2010s開始,行業(yè)逐漸進入到先進封裝的新發(fā)展階段(2010年,蔣尚義先生提出通過半導體公司連接多顆芯片的方法,區(qū)別于傳統(tǒng)封裝,定義為先進封裝)。自此之后,新的概念也開始層出不窮,比如有FC、SiP、2.5D封裝、3D封裝、FO、RDL、TSV等等。

當然,這也使得2023年學習先進封裝的研究者,一下子撲面而來眾多陌生的詞匯,著實有些招架不住。

圖:封裝技術發(fā)展歷史

先進封裝的理解其實并不復雜。順著之前講的思路,既然單純的擴大單一芯片面積和縮小制程變得愈發(fā)不可行了,那能不能把原本應該超大的單一芯片,拆成不同的功能模塊,然后都在某種制程下做成性能優(yōu)異的小芯片,最后再把這些小芯片拼在一起組成一顆“大芯片”,實現(xiàn)“三個臭皮匠頂個諸葛亮”的效果。

這就是先進封裝最底層的原理,用化整為零的方法大幅降低難度。如果都用相同的材料做不同的芯片,然后再將各個芯片封裝到一起,這種在業(yè)內就被稱為異構集成;如果甚至有些芯片,都是用不同的材料制造,然后封裝到一起,這種在業(yè)內被稱為異質集成。

為了實現(xiàn)以上想法,產業(yè)靠開發(fā)新的工藝,將這種設想變成現(xiàn)實,比如實現(xiàn)硅片之間連接的TSV技術(Through Silicon Via,硅通孔技術)、RDL(重布線技術)。

以3D 封裝為例,對于上下堆疊是同一種芯片,通常TSV就可以直接完成電氣互聯(lián)功能了,而堆疊上下如果是不同類型芯片,則需要通過RDL重布線層將上下層芯片的IO進行對準,從而完成電氣互聯(lián)。

仍然回到英偉達的AI芯片,作為先進封裝的代表方案,CoWoS雖然是10年前臺積電聯(lián)合賽靈思開發(fā)的,但是最終在英偉達的AI芯片上被發(fā)揚光大。

NVDIA當前主力產品A和H系列,都是采用了臺積電CoWoS 2.5D封裝,以A100為例,其中的主芯片A100為單芯片架構采用7nm制程,然后配備了海力士的HBM,而這兩個最重要的芯片之間,正是通過CoWoS的方式實現(xiàn)高速互聯(lián)。

圖:臺積電給英偉達提供的CoWoS封裝方案。

所以說,以前產業(yè)還對先進封裝將信將疑(封裝廠并未大量投資,而晶圓廠臺積電卻異軍突起),而英偉達熱賣的AI芯片,正式宣告先進封裝正在成為半導體的勝負手。

產業(yè)龍頭玩家也意識到,先進封裝在摩爾定律逼近物理極限的當下,將發(fā)揮越來越重要的作用,因此緊急地在先進封裝上追趕。

比如牙膏廠英特爾,重點布局的有兩種先進封裝方案:

1)2.5D封裝EMIB,主打低成本;2)Foveros3D face-to-face芯片堆疊封裝工藝,主打高性能。

據(jù)報道,英特爾今年計劃推出的14代CPU Meteor Lake,將首次引入Tile這種類Chiplet設計,集成CPU、GPU、IO和SoC四個獨立模塊,并采用Foveros封裝技術。

三星目前先進封裝的方案有四種,包括I-Cube、X-Cube、R-Cube、H-Cube。技術原理上大同小異,也就不展開細聊了。

拋開技術細節(jié)不談,其實不同廠商的先進封裝都與臺積電類似,只不過為了區(qū)分和避免專利糾紛,做了一定程度的規(guī)避。名字不同沒啥本質區(qū)別,更為關鍵的是,巨頭們在開始認識到先進封裝的重要性后,選擇了打不過就加入。

根據(jù)民生證券的總結,我們可以看到,以后靠先進封裝的產品,將滲透到服務器、手機、AI、可穿戴還有圖形顯示中去,基本涉及到生活的方方面面,重要性與日俱增。

圖:全球先進封裝代表性解決方案;資料來源:民生證券。

04、多一重意義,對國內產業(yè)鏈意味著什么?

大家自然要問,對于這么重要的一個趨勢,我們國內做得又怎么樣?

首先要厘清一個潛在的思維誤區(qū),雖然國內的半導體行業(yè)發(fā)展是滯后的,但是封裝產業(yè)鏈由于技術壁壘相對低、發(fā)展相對早,因此全球競爭力還是可圈可點的。

根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計,在全球前十大封裝公司中,中國大陸占到了3家,中國臺灣占5家,美國為1家。其中,長電科技、通富微電和華天科技,被稱為國內封測3巨頭,均位列全球前十。而且這3家封裝廠,業(yè)務布局非常全球化,海外收入占比均超過50%,以其中通富微電為例,AMD的大部分封裝都由通富微電來完成。所以說國產的封裝廠具備全球化的競爭力,也毫不為過。

圖:全球主要封測廠排名;資料來源:國金證券。

不得不說,雖然封裝我們并未掉隊,但是先進封裝確實慢人一步。

還是拿數(shù)據(jù)來說話,在整個先進封裝領域,日月光的份額達到26%,其次是臺積電和安靠,而國產排名最高的長電科技市場份額只有8%;如果是進一步上升到最尖端的先進封裝,那國產的存在感就更弱了,可以作為佐證的是,英偉達所需的CoWoS,中國大陸產業(yè)鏈存在感等于0。

隨著這波先進封裝的全球浪潮,國內的封裝廠也開始及時轉向。根據(jù)產業(yè)調研信息:

● 長電科技在TSV-less、RDL 等技術方面有所布局,已經推出XDFOI技術方案,并實現(xiàn)國際客戶4nm節(jié)點Chiplet產品的量產出貨。

● 通富微電推出融合了2.5D、3D、MCM-Chiplet 等技術的先進封裝平臺——VISionS,目前已經具備7nm Chiplet規(guī)模量產能力,并持續(xù)與AMD等龍頭廠商加強合作,估計在AMD即將量產的MI300中扮演重要的角色;

● 華天科技推出由TSV、eSiFo、3D SiP構成的最新先進封裝技術平臺——3D Matrix。

拋開這些封裝廠,那先進封裝對國內半導體產業(yè)鏈,又有著什么樣的意義?

先進封裝其實不僅是發(fā)展AI等芯片的必需工藝,更為國內實現(xiàn)突破卡脖子的重要“彎道”。這是因為,先進封裝是實現(xiàn)chiplet技術的基石性工藝。

很多人將chiplet與先進封裝混淆,從定義上來說,chiplet,就是將大型單片芯片劃分為多個相同或者不同的小芯片,這些小芯片可以使用相同或者不同的工藝節(jié)點制造,再通過跨芯片互聯(lián)和封裝技術進行封裝級別集成,降低成本的同時獲得更高的集成度。

所以chiplet只是一種設計理念,而實現(xiàn)這種設計理念最重要的依賴工藝之一就是先進封裝。只不過這種理念,對于國產芯片的發(fā)展,意義更為重大。

在海外的封鎖下,如果僅靠國內產業(yè)鏈,我們芯片制程目前能夠做到的理論極限是7nm左右,這跟海外的3nm仍有二代以上的代差。進一步彌補代差就需要通過多顆小芯片的堆疊,這是可能能夠做出更高性能的產品的。

簡單來說,就是我們可以通過chiplet來實現(xiàn)封鎖突破,甚至是換道超車。

于行業(yè)發(fā)展規(guī)律而言,先進封裝正在日益成為半導體競爭的勝負手,與先進制程一起成為先進芯片的必備工藝;于國產鏈而言,先進封裝是實現(xiàn)彎道超車的必由之路。疊加起來,國內發(fā)展先進封裝實則是更為緊迫的,當革命有了新的方向,同志們則更需努力。

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