普冉半導(dǎo)體推出業(yè)界首款1.1V Flash芯片，加速元宇宙及AIoT領(lǐng)域的技術(shù)革新

上海普冉半導(dǎo)體（以下簡稱普冉半導(dǎo)體）成立于2016年，總部位于上海張江高科，并在蘇州、深圳、韓國等地設(shè)有辦事處，日本、德國、英國等地也有合作伙伴。普冉半導(dǎo)體于2021年8月在上海科創(chuàng)板上市，成為業(yè)界領(lǐng)先的存儲器供應(yīng)商。專注于低功耗Flash存儲器及其芯片開發(fā)，普冉半導(dǎo)體擁有兩大核心產(chǎn)品線：超低功耗的NOR Flash及高可靠性的EEPROM，均在市場上取得了顯著成就，2022年其市場排名達(dá)到世界第六。此外，普冉半導(dǎo)體還擴(kuò)展到基于存儲器的芯片開發(fā)（Momory+），包括ARM Cortex內(nèi)核設(shè)計的低功耗32位MCU產(chǎn)品線，市場反響良好，銷售量持續(xù)攀升。

普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司設(shè)計中心高級總監(jiān)馮國友

在5月12日的松山湖IC設(shè)計高峰論壇上，普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司設(shè)計中心高級總監(jiān)馮國友介紹了普冉半導(dǎo)體的的存儲芯片——P25Q325N。該產(chǎn)品是業(yè)界首款支持1.1V的Flash芯片，采用業(yè)界領(lǐng)先的40納米SONOS工藝制造，表現(xiàn)出超低功耗、超低電壓、高速度等顯著優(yōu)勢，進(jìn)一步推動了元宇宙及AIoT領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步。

隨著制程技術(shù)的進(jìn)步，電壓標(biāo)準(zhǔn)正在持續(xù)降低，從1.8V逐漸過渡到1.2V，再到如今的1.1V。普冉半導(dǎo)體的這款Flash芯片也緊跟時代步伐，與主控SOC芯片同步降低電壓，實(shí)現(xiàn)了更高效的電源系統(tǒng)和更低的功耗。這種技術(shù)創(chuàng)新不僅簡化了電源系統(tǒng)設(shè)計，實(shí)現(xiàn)了單電源供電，還大幅降低了功耗，可為音頻、圖像等多模塊SOC智能芯片進(jìn)行輔助，使得智能音箱、智能穿戴、耳機(jī)等智能終端產(chǎn)品能更省電、更環(huán)保。

P25Q325N芯片在元宇宙領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，主要應(yīng)用于外圍設(shè)備，如開機(jī)啟動、藍(lán)牙和WIFI連接、顯示、觸屏、指紋識別、位置追蹤、傳感器等方面。在這些領(lǐng)域，低功耗的芯片能極大地提升產(chǎn)品性能和用戶體驗(yàn)，比如加速開機(jī)啟動、提升無線連接速度和穩(wěn)定性、優(yōu)化顯示效果、提升指紋識別準(zhǔn)確率和速度等。

P25Q325N芯片有五大特色。首先，它是業(yè)界首款支持1.1V的Flash芯片，具備超低電壓特性，同時支持從1.05V到2V的寬電壓范圍，涵蓋了1.2V、1.8V等電壓系統(tǒng)。其次，它的功耗是業(yè)界最低的，相比1.8V的Flash產(chǎn)品，功耗降低了60%，相比1.2V的現(xiàn)有產(chǎn)品，也有50%的優(yōu)化。此外，它在讀取方面采用DTR三元讀取方式，提供了高效的數(shù)據(jù)讀取性能。最后，它采用了業(yè)界創(chuàng)新的和領(lǐng)先的40納米SONOS工藝制造，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和長壽命。

相比之前主推的SONOS 1.8V和現(xiàn)有1.2V Flash產(chǎn)品，P25Q325N在多個方面都展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。在電壓范圍上，該芯片支持的電壓更低，范圍更廣。在功耗方面，相比1.8V產(chǎn)品有顯著改善，對比1.2V現(xiàn)有產(chǎn)品，優(yōu)勢更是巨大。在靈活應(yīng)用方面，P25Q325N支持最大1024BT，而現(xiàn)有1.2V的芯片只能支持到256兆，為各種應(yīng)用帶來更大的靈活性。在速度方面，該芯片達(dá)到了640兆比特/每秒，有極大的改善。在吞吐率方面，結(jié)合1024BRB，可以有每秒5兆的數(shù)據(jù)，顯著提升了性能。并且其響應(yīng)時間只有16毫秒，遠(yuǎn)小于現(xiàn)有1.2V Flash產(chǎn)品的300毫秒。

普冉半導(dǎo)體在P25Q325N產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)了一些技術(shù)上的突破和改善。首先是在工藝優(yōu)化方面，普冉半導(dǎo)體團(tuán)隊與華為長期深入合作，提升了器件的性能，改善了SONOS的性能，還提升了良率。在設(shè)計方面，采用低電壓的Differential SA設(shè)計，結(jié)合高精度的校器，實(shí)現(xiàn)了低電壓下的高性能讀取。模擬模塊的設(shè)計也使用了高效率的PM設(shè)計。在低功耗設(shè)計方面，采用了高效率的讀電路，結(jié)合功率優(yōu)化的讀方面，成功降低了讀功耗。邏輯部分采用了手搭設(shè)計，實(shí)現(xiàn)了極致的低功耗和高速度。在系統(tǒng)建造性方面，采用了全長分段SA，提升了讀性能和抗干擾能力，還有一些可靈活調(diào)節(jié)的LE驅(qū)動，線性的高壓系統(tǒng)，以及智能的ERZ和PRB流程。

普冉半導(dǎo)體在發(fā)布會上還展示了一款基于2顆32兆，通過少數(shù)改版快速推出的64兆的產(chǎn)品。這款產(chǎn)品體現(xiàn)了普冉半導(dǎo)體在快速響應(yīng)市場需求，提供高性能產(chǎn)品方面的能力。

最后，普冉半導(dǎo)體公司在發(fā)布會上公布了其產(chǎn)品的Roadmap?；谑袌鲂枨蠛途o迫性，他們首先推出了16兆、32兆和64兆三個容量的產(chǎn)品。在今年第三季度，公司計劃推出128兆和256兆兩款新產(chǎn)品，目前已經(jīng)進(jìn)入設(shè)計階段，即將推出。到第四季度，將推出4兆和16兆的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)全容量的覆蓋。這將為普冉半導(dǎo)體的客戶提供更為豐富和靈活的選擇。

普冉半導(dǎo)體的這一系列產(chǎn)品，無疑將在極低功耗、高性能的AIOT市場中引領(lǐng)新的技術(shù)趨勢。他們的產(chǎn)品不僅能夠簡化電源系統(tǒng)，而且能實(shí)現(xiàn)低功耗，有助于推動元宇宙、智能音箱、智能穿戴設(shè)備、耳機(jī)等智能終端的發(fā)展。更重要的是，普冉半導(dǎo)體的產(chǎn)品在降低功耗的同時，還具有優(yōu)異的性能，能夠滿足各類高性能應(yīng)用的需求。